[實(shí)用新型]覆晶式LED芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420082716.6
• 申請(qǐng)日: 2014-02-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203721756U
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 龐曉東;王瑞慶;劉鎮(zhèn);陳浩明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市兆明芯科技控股有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/44
• 分類號(hào): H01L33/44;H01L33/38
• 代理公司: 深圳市博銳專利事務(wù)所 44275
• 代理人: 張明

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及發(fā)光元件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種覆晶式LED芯片。

背景技術(shù)

隨著LED（Light?Emitting?Diode，發(fā)光二極管）照明技術(shù)的日益發(fā)展，LED在人們?nèi)粘Ｉ钪械膽?yīng)用也越來(lái)越廣泛。采用覆晶（Flip?Chip）方式進(jìn)行封裝的LED（以下稱覆晶式LED）的固晶方式簡(jiǎn)略，擁有更高的信賴度，使得量產(chǎn)可行性大幅晉升，且兼具縮短高溫烘烤的制程時(shí)間、高良率、導(dǎo)熱效果佳、高出光量等優(yōu)勢(shì)，遂成為業(yè)界竭力開(kāi)展的技術(shù)。

LED的發(fā)光是利用正極的電流到達(dá)負(fù)極所完成，電流會(huì)以最小的電阻路線由正極到達(dá)負(fù)極，在覆晶式LED芯片的封裝中，必須保證正電極區(qū)與負(fù)電極區(qū)的可靠隔離，防止正負(fù)電極電性導(dǎo)通，為此，現(xiàn)有技術(shù)中一般采用在芯片側(cè)邊走線的方式在不同的正電極或負(fù)電極之間進(jìn)行引線。但在經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期的使用后發(fā)現(xiàn)，該引線方法存在漏電的可能，導(dǎo)致產(chǎn)品的良率下降。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型主要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種覆晶式LED芯片。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種覆晶式LED芯片，包括襯底，由襯底的正面向上依次層疊地設(shè)有第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、導(dǎo)電層和反射層；還包括至少一個(gè)第一電極孔和至少一個(gè)第二電極孔，所述第一電極孔由所述反射層貫穿至發(fā)光層并暴露出第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，所述第二電極孔貫穿反射層并暴露出導(dǎo)電層，第一電極孔的孔壁上涂覆有絕緣層；第一電極孔內(nèi)設(shè)有第一電極，所述第一電極的一端位于反射層的正面、另一端與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層電性接觸；第二電極孔內(nèi)設(shè)有第二電極，所述第二電極的一端位于反射層的正面、另一端與導(dǎo)電層電性接觸；所述反射層的正面設(shè)有第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層用于分別電性連接第一電極和第二電極以形成第一電極區(qū)和第二電極區(qū)，第一導(dǎo)電層上暴露第一電極和第二電極；第一導(dǎo)電層的正面設(shè)有隔離層，所述隔離層覆蓋該覆晶式LED芯片的頂面和第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的側(cè)面的部分或者全部，隔離層上設(shè)有暴露第一電極區(qū)的第一導(dǎo)電孔和暴露第二電極區(qū)的第二導(dǎo)電孔；隔離層的正面設(shè)有第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層用于分別通過(guò)設(shè)于第一導(dǎo)電孔和第二導(dǎo)電孔中的導(dǎo)電金屬電極分別電性連接第一電極區(qū)和第二電極區(qū)。

其中，所述絕緣層和反射層由相同的高反射率絕緣材料制成。

其中，所述高反射率絕緣材料包括分布式布拉格反射鏡DBR或SiO₂、SiNx、AlN。

其中，所述第一電極、第二電極和第一導(dǎo)電層的材質(zhì)為鈦、鉻、鋁和銀中的一種。

其中，所述第一導(dǎo)電層的厚度為

其中，所述第二導(dǎo)電層和導(dǎo)電金屬電極的材質(zhì)為金、銀、鉑、鈦、鉻、鎳、銅和鋁中的一種或多種。

其中，所述第二導(dǎo)電層的厚度為

其中，所述隔離層在該覆晶式LED芯片的頂面的水平方向上暴露于第二導(dǎo)電層之間的長(zhǎng)度在整體尺寸中的占比為五分之一至二分之一。

其中，所述導(dǎo)電層的材質(zhì)為透明導(dǎo)電材料或摻錫氧化銦ITO。

其中，所述隔離層的材質(zhì)為二氧化硅或分布式布拉格反射鏡DBR。

本實(shí)用新型的有益效果是：通過(guò)在覆晶式LED芯片的正面設(shè)置兩層導(dǎo)電層和一層隔離層，可以有效防止LED芯片漏電，顯著提高產(chǎn)品良率。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型的覆晶式LED芯片的第一實(shí)施方式的剖面視圖；

圖2是本實(shí)用新型的覆晶式LED芯片的第一實(shí)施方式在第一導(dǎo)電層處的俯視圖；

圖3是本實(shí)用新型的覆晶式LED芯片的第一實(shí)施方式的俯視圖。

主要元件符號(hào)說(shuō)明：

10、襯底；??20、第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；??30、發(fā)光層；??40、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；??50、導(dǎo)電層；??60、反射層；??61、絕緣層；??70、第一電極孔；??71、第一電極；??72、第一電極區(qū)；??80、第二電極孔；??81、第二電極；??82、第二電極區(qū)；??90、第一導(dǎo)電層；??100、隔離層；??101、第一導(dǎo)電孔；??102、第二導(dǎo)電孔；??110、第二導(dǎo)電層；??120、導(dǎo)電金屬電極。

具體實(shí)施方式

為詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所實(shí)現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實(shí)施方式并配合附圖詳予說(shuō)明。

請(qǐng)參閱圖1，本實(shí)用新型的第一實(shí)施方式為一種覆晶式LED芯片，包括襯底10，由襯底10的正面向上依次層疊地設(shè)有第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層20、發(fā)光層30、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層40、導(dǎo)電層50和反射層60。