[實用新型]有源矩陣有機發光二極管陣列基板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201420079006.8 | 申請日: | 2014-02-24 |
| 公開(公告)號: | CN203707137U | 公開(公告)日: | 2014-07-09 |
| 發明(設計)人: | 蓋翠麗;宋丹娜;張保俠 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;G09G3/32 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 杜秀科 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有源 矩陣 有機 發光二極管 陣列 顯示裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及顯示技術領域,特別是涉及一種有源矩陣有機發光二極管陣列基板和一種顯示裝置。
背景技術
OLED(Organic?Light-Emitting?Diode,有機發光二極管,簡稱OLED)顯示屏由于具有薄、輕、寬視角、主動發光、發光顏色連續可調、成本低、響應速度快、能耗小、驅動電壓低、工作溫度范圍寬、生產工藝簡單、發光效率高及可柔性顯示等優點,已被列為極具發展前景的下一代顯示技術。
OLED依據驅動方式的不同,可分為無源矩陣驅動(Passive?Matrix,簡稱PM)PMOLED與有源矩陣驅動(Active?Matrix,簡稱AM)AMOLED兩種。其中,PMOLED以陰極、陽極構成矩陣狀,以掃描方式點亮陣列中的像素,每個像素都是操作在短脈沖模式下,為瞬間高亮度發光,其結構簡單,可以有效降低制造成本,但其驅動電壓較高,不適合應用在大尺寸、高分辨率的顯示面板中。AMOLED則是采用獨立的薄膜晶體管(Thin?Film?Transistor,簡稱TFT)去控制每個像素,每個像素皆可以連續且獨立的驅動發光,AMOLED的驅動電壓較低,壽命較長,可應用于大尺寸平板顯示,但其制作工藝較為復雜,成本相對較高。
AMOLED依據出光方式的不同可分為頂發射型(光從上基板射出)和底發射型(光從下基板射出)兩種。圖1為現有底發射型AMOLED陣列基板的一個像素單元在TFT處的截面結構示意圖,包括:基板1、位于基板1之上的柵極22、覆蓋柵極22的柵極絕緣層4,位于柵極絕緣層4之上并與柵極22位置相對的有源層5,位于有源層5之上且相對而置的源極6和漏極7,位于源極6和漏極7之上的第一絕緣層8,穿過第一絕緣層8的過孔9與漏極7連接的透明電極23。其中,柵極22的部分區域與漏極7位置相對并形成存儲電容100。
底發射型AMOLED的陣列基板上設置有TFT和金屬配線,這些結構阻擋了部分光線,成為影響像素開口率(開口率指像素可發光面積占像素面積的比率)的重要因素。尤其是,當前很多公司及研究單位為了改善因像素間差異性而導致的顯示畫面品質不均勻問題,紛紛提出了電路補償方式的像素結構,其像素單元包含兩個或者兩個以上的TFT,這對于底發射型結構而言,TFT和金屬配線占用的像素面積更多,像素開口率更小,所需發光強度也相應提高,因此勢必造成顯示裝置的功耗增加,使用壽命縮短。因此,如何提高像素開口率已成為當前亟待解決的技術問題之一。
實用新型內容
本實用新型實施例提供了一種有源矩陣有機發光二極管陣列基板和一種顯示裝置,以提高陣列基板的像素開口率,提升顯示裝置的顯示品質,降低顯示裝置的能耗并延長其使用壽命。
本實用新型實施例提供的有源矩陣有機發光二極管陣列基板,包括基板和位于基板上且陣列排布的多個像素單元,每個所述像素單元包括薄膜晶體管、第一透明電極和第二透明電極,其中:
所述第一透明電極位于基板之上且與所述薄膜晶體管的柵極電連接;所述第二透明電極與所述薄膜晶體管的漏極電連接,所述第一透明電極與第二透明電極位置相對。
在本實用新型技術方案中,不透光的柵極和漏極的面積可以設計的相對較小,具有高透過率的第一透明電極與第二透明電極位置相對且面積較大,兩者之間形成存儲電容,因此,相比于現有技術,像素開口率大大增加,包含該陣列基板的顯示裝置的顯示品質提升,并且能耗較低,使用壽命延長。
優選的,所述第一透明電極與第二透明電極圖形相同。第一透明電極的構圖工藝和第二透明電極的構圖工藝可以采用同一張掩模板,該方案可以在不增加掩模板數量的前提下增大像素的開口率,因此,大大節約了制造成本。
優選的,所述第一透明電極搭接于柵極的上表面。第一透明電極與柵極之間能夠可靠地電連接,且第一透明電極的制作精度要求相對較低,因此能夠進一步節約制造成本。
優選的,所述第一透明電極為所述像素單元的存儲電容的底電極,所述第二透明電極為所述像素單元的像素電極且同時為所述像素單元的存儲電容的頂電極。
優選的,所述薄膜晶體管上形成有第一絕緣層,所述第二透明電極通過第一絕緣層的過孔與所述薄膜晶體管的漏極電連接。
本實用新型實施例還提供了一種顯示裝置,包括前述任一技術方案所述的有源矩陣有機發光二極管陣列基板。該顯示裝置的像素開口率較高,顯示品質較佳,且能耗低,使用壽命長。
附圖說明
圖1為現有AMOLED陣列基板的一個像素單元在TFT處的截面結構示意圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





