[實用新型]有源矩陣有機發(fā)光二極管陣列基板和顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420079006.8
• 申請日: 2014-02-24
• 公開（公告）號: CN203707137U
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蓋翠麗;宋丹娜;張保俠
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/50;G09G3/32
• 代理公司: 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 杜秀科

1.一種有源矩陣有機發(fā)光二極管陣列基板，其特征在于，包括基板和位于基板上且陣列排布的多個像素單元，每個所述像素單元包括薄膜晶體管、第一透明電極和第二透明電極，其中，

所述第一透明電極位于基板之上且與所述薄膜晶體管的柵極電連接；所述第二透明電極與薄膜晶體管的漏極電連接，所述第一透明電極與第二透明電極位置相對。

2.如權(quán)利要求1所述的有源矩陣有機發(fā)光二極管陣列基板，其特征在于，所述第一透明電極與第二透明電極圖形相同。

3.如權(quán)利要求1所述的有源矩陣有機發(fā)光二極管陣列基板，其特征在于，所述第一透明電極搭接于柵極的上表面。

4.如權(quán)利要求1所述的有源矩陣有機發(fā)光二極管陣列基板，其特征在于，

所述第一透明電極為所述像素單元的存儲電容的底電極，所述第二透明電極為所述像素單元的像素電極且同時為所述像素單元的存儲電容的頂電極。

5.如權(quán)利要求1～4任一項所述的有源矩陣有機發(fā)光二極管陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管上形成有第一絕緣層，所述第二透明電極通過第一絕緣層的過孔與所述薄膜晶體管的漏極電連接。

6.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1～5任一項所述的有源矩陣有機發(fā)光二極管陣列基板。