[實(shí)用新型]一種半導(dǎo)體工藝機(jī)臺的對準(zhǔn)模塊的真空管路裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420076340.8
• 申請日: 2014-02-21
• 公開（公告）號: CN203812857U
• 公開（公告）日: 2014-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 石軼;張弢;蔣德念
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 吳俊

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種應(yīng)用在管路中的裝置，尤其涉及一種半導(dǎo)體工藝機(jī)臺的對準(zhǔn)模塊的真空管路裝置。

背景技術(shù)

一般銅電鍍機(jī)臺給化學(xué)機(jī)械平坦化（CMP）虛擬循環(huán)都會鍍60K的銅膜供化學(xué)機(jī)械平坦化機(jī)臺拋光大約6次。但電鍍的薄膜越厚，其翹曲度也就越大，硅片吸附在真空吸盤上所受的應(yīng)力也就越大；化學(xué)機(jī)械平坦化或電子電路保護(hù)裝置（ECP）機(jī)臺的虛擬大都是各組監(jiān)控降級下來的晶圓，以電子電路保護(hù)裝置虛擬為例，尤其是電子電路保護(hù)裝置監(jiān)控晶圓回收15次下坡下來的，然后再作為電子電路保護(hù)裝置虛擬回收12次，那么類似這些晶圓的質(zhì)量可能變差；以上的兩種情況都可能導(dǎo)致晶圓在對準(zhǔn)模塊上的真空吸盤上受應(yīng)力碎片，而為了減少碎片概率，現(xiàn)有技術(shù)大多暫時采取減少化學(xué)機(jī)械平坦化或電子電路保護(hù)裝置虛擬回收次數(shù)，以及分布鍍虛擬薄膜，但依舊不能杜絕碎片，以及需要花費(fèi)大量時間來復(fù)機(jī)。圖1為一種現(xiàn)有技術(shù)中機(jī)臺真空管路結(jié)構(gòu)示意圖，其中，機(jī)臺通過一真空管路與一對準(zhǔn)模塊和一盒式處理模塊進(jìn)行連接，機(jī)臺連接的真空管路的一分支連接一晶圓處理模塊。

實(shí)用新型內(nèi)容

有鑒于此，本實(shí)用新型提出一種半導(dǎo)體工藝機(jī)臺的對準(zhǔn)模塊的真空管路裝置，以解決上述晶圓受到真空吸盤的應(yīng)力產(chǎn)生碎片，導(dǎo)致花費(fèi)大量時間復(fù)機(jī)的問題。

為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種半導(dǎo)體工藝機(jī)臺的對準(zhǔn)模塊的真空管路裝置，其中，所述機(jī)臺通過一真空管路與一對準(zhǔn)模塊進(jìn)行連接，在所述真空管路上設(shè)置有至少一個調(diào)整裝置，以調(diào)整所述真空管路中壓力的大小。

上述半導(dǎo)體工藝機(jī)臺的對準(zhǔn)模塊的真空管路裝置，其中，所述機(jī)臺還通過另外兩根真空管路分別與一晶圓處理模塊和一盒式處理模塊連接。

上述半導(dǎo)體工藝機(jī)臺的對準(zhǔn)模塊的真空管路裝置，其中，所述機(jī)臺為一PV機(jī)臺。

上述半導(dǎo)體工藝機(jī)臺的對準(zhǔn)模塊的真空管路裝置，其中，所述調(diào)整裝置的數(shù)量為多個。

上述半導(dǎo)體工藝機(jī)臺的對準(zhǔn)模塊的真空管路裝置，其中，所述對準(zhǔn)模塊內(nèi)設(shè)有真空吸盤。

上述半導(dǎo)體工藝機(jī)臺的對準(zhǔn)模塊的真空管路裝置，其中，所述真空吸盤上設(shè)有真空吸附口。

上述半導(dǎo)體工藝機(jī)臺的對準(zhǔn)模塊的真空管路裝置，其中，所述對準(zhǔn)模塊內(nèi)設(shè)有晶圓缺口檢測單元。

上述半導(dǎo)體工藝機(jī)臺的對準(zhǔn)模塊的真空管路裝置，其中，所述對準(zhǔn)模塊內(nèi)設(shè)有種子檢驗(yàn)單元。

本實(shí)用新型由于采用了上述技術(shù)，產(chǎn)生的積極效果是：

通過本實(shí)用新型的使用可以有效地解決機(jī)臺晶圓破損情況的發(fā)生，增加銅電鍍機(jī)臺的生產(chǎn)量；同時通過這樣的設(shè)計(jì)將晶圓的對準(zhǔn)模塊上的VAC吸盤上所受應(yīng)力減小，使晶圓對其本身的翹曲度，質(zhì)量的條件及限制減少，這樣可以增加化學(xué)機(jī)械平坦化或電子電路保護(hù)裝置虛擬等晶圓的回收次數(shù)、化學(xué)機(jī)械平坦化電鍍的厚度，這樣可以大大節(jié)約工藝成本。

附圖說明

構(gòu)成本實(shí)用新型的一部分的附圖用來提供對本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，本實(shí)用新型的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對本實(shí)用新型的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中機(jī)臺真空管路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型的一種半導(dǎo)體工藝機(jī)臺的對準(zhǔn)模塊的真空管路裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明，但不作為本實(shí)用新型的限定。

實(shí)施例：

請參見圖2所示，本實(shí)用新型的一種半導(dǎo)體工藝機(jī)臺的對準(zhǔn)模塊的真空管路裝置，其特征在于，機(jī)臺通過一真空管路與一對準(zhǔn)模塊進(jìn)行連接，在真空管路上設(shè)置有至少一個調(diào)整裝置1，以調(diào)整真空管路中壓力的大小。

本實(shí)用新型在上述基礎(chǔ)上還具有以下實(shí)施方式，請繼續(xù)參見圖2所示，

本實(shí)用新型的進(jìn)一步實(shí)施例中，機(jī)臺還通過另外兩根真空管路分別與一晶圓處理模塊和一盒式處理模塊連接。

本實(shí)用新型的進(jìn)一步實(shí)施例中，機(jī)臺為一光伏設(shè)備機(jī)臺。

本實(shí)用新型的進(jìn)一步實(shí)施例中，調(diào)整裝置1的數(shù)量為多個。

本實(shí)用新型的進(jìn)一步實(shí)施例中，對準(zhǔn)模塊內(nèi)設(shè)有真空吸盤。

本實(shí)用新型的進(jìn)一步實(shí)施例中，真空吸盤上設(shè)有真空吸附口。

本實(shí)用新型的進(jìn)一步實(shí)施例中，對準(zhǔn)模塊內(nèi)設(shè)有晶圓缺口檢測單元。

本實(shí)用新型的進(jìn)一步實(shí)施例中，對準(zhǔn)模塊內(nèi)設(shè)有種子檢驗(yàn)單元。

使用者可根據(jù)以下說明進(jìn)一步的認(rèn)識本實(shí)用新型的特性及功能，