[實用新型]一種半導(dǎo)體工藝機臺的對準(zhǔn)模塊的真空管路裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420076340.8 | 申請日： | 2014-02-21 |
| 公開（公告）號： | CN203812857U | 公開（公告）日： | 2014-09-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 石軼;張弢;蔣德念 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務(wù)所 31272 | 代理人： | 吳俊 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 半導(dǎo)體 工藝 機臺 對準(zhǔn) 模塊 真空 管路 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體工藝機臺的對準(zhǔn)模塊的真空管路裝置，其特征在于，所述機臺通過一真空管路與一對準(zhǔn)模塊進行連接，在所述真空管路上設(shè)置有至少一個調(diào)整裝置，以調(diào)整所述真空管路中壓力的大小。?
2.如權(quán)利要求1所述的真空管路裝置，其特征在于，所述機臺還通過另外兩根真空管路分別與一晶圓處理模塊和一盒式處理模塊連接。?
3.如權(quán)利要求2所述的真空管路裝置，其特征在于，所述機臺為一PV機臺。?
4.如權(quán)利要求1所述的真空管路裝置，其特征在于，所述調(diào)整裝置的數(shù)量為多個。?
5.如權(quán)利要求1所述的真空管路裝置，其特征在于，所述對準(zhǔn)模塊內(nèi)設(shè)有真空吸盤。?
6.如權(quán)利要求5所述的真空管路裝置，其特征在于，所述真空吸盤上設(shè)有真空吸附口。?
7.如權(quán)利要求1所述的真空管路裝置，其特征在于，所述對準(zhǔn)模塊內(nèi)設(shè)有晶圓缺口檢測單元。?
8.如權(quán)利要求1所述的真空管路裝置，其特征在于，所述對準(zhǔn)模塊內(nèi)設(shè)有種子檢驗單元。?
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海華力微電子有限公司，未經(jīng)上海華力微電子有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201420076340.8/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
- 對準(zhǔn)標(biāo)記,對準(zhǔn)方法和對準(zhǔn)系統(tǒng)
- 對準(zhǔn)裝置及對準(zhǔn)方法
- 對準(zhǔn)裝置、用于這樣的對準(zhǔn)裝置的對準(zhǔn)元件和對準(zhǔn)方法
- 對準(zhǔn)標(biāo)記及其對準(zhǔn)方法
- 對準(zhǔn)裝置和對準(zhǔn)方法
- 對準(zhǔn)裝置及對準(zhǔn)方法
- 使用物理對準(zhǔn)標(biāo)記和虛擬對準(zhǔn)標(biāo)記進行對準(zhǔn)
- 使用物理對準(zhǔn)標(biāo)記和虛擬對準(zhǔn)標(biāo)記進行對準(zhǔn)
- 對準(zhǔn)裝置和對準(zhǔn)方法
- 對準(zhǔn)裝置及對準(zhǔn)方法
