[實用新型]一種集成型一分16路光分路器有效
| 申請號: | 201420074787.1 | 申請日: | 2014-02-21 |
| 公開(公告)號: | CN203759293U | 公開(公告)日: | 2014-08-06 |
| 發明(設計)人: | 彭智祥;劉勇;胡燦棟;陸昇 | 申請(專利權)人: | 杭州天野通信設備有限公司 |
| 主分類號: | G02B6/122 | 分類號: | G02B6/122;G02B6/24 |
| 代理公司: | 杭州杭誠專利事務所有限公司 33109 | 代理人: | 尉偉敏 |
| 地址: | 311400 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 集成 一分 16 分路 | ||
技術領域
本實用新型涉及光通信分光技術領域,尤其涉及一種集成型一分16路光分路器。
背景技術
目前,制造光分路器的方法有兩種,一種是熔融拉錐型光分路器,但是由于熔融拉錐型光分路的尺寸較大,會占用很大的空間;另一種是平面波導型光分路器是現在技術發展的主流方向,但是平面波導型光分路器錐形段的分光距離過大,分光角度較小,造成了16路及以上多路分路器占用的平面面積比較大、設計制作困難、尺寸過大的問題。
中國專利公開號CN1467926,公開日是2004年1月14日,名稱為“光功率分路器”的方案中公開了一種光功率分路器,具有一個輸入光波導和用于將輸入光波導分路成多個信號光的多個輸出光波導,包括:至少兩個具有平面光波電路元件結構并在單一芯片中以預設的距離被分開放置的光分路器;以及用于對準多個光分路器的輸入和輸出光波導的對準波導。不足之處在于,這種光功率分路器,分光角度較小,使得分光距離過大,造成了16路及以上多路分路器占用的分光距離長,分光面積大,使得多路光分結構設計制作困難、尺寸過大。
名稱解釋:
CVD(Chemical Vapor Deposition,化學氣相沉積),指把含有構成薄膜元素的氣態反應劑或液態反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入反應室,在襯底表面發生化學反應生成薄膜的過程。在超大規模集成電路中很多薄膜都是采用CVD方法制備。經過CVD處理后,表面處理膜密著性約提高30%,防止高強力鋼的彎曲,拉伸等成形時產生的刮痕。
實用新型內容
本實用新型是為了解決現有光功率分路器的分光距離長,導致分光面積大,多路光分結構設計制作困難、尺寸過大的不足,提供一種讓信號光在耦合波導內發生多模干涉耦合,使信號光能迅速沿著其傳輸方向的橫切面方向均勻的分散開,從而增大信號光輸出接口的面積,進而實現信號光在分光區長度較短的尺寸內實現一路對多路信號光分光的一種集成型一分16路光分路器及其制備方法。
為了實現上述目的,本實用新型采用以下技術方案:
一種集成型一分16路光分路器,包括:襯底層;
在襯底層的上表面設有厚度為10微米的下包層;
在下包層的上表面設有厚度為3微米的一號夾包層;
在一號夾包層上設有長為340微米、寬為36微米的一號矩形凹槽,并且一號矩形凹槽的槽底落在下包層的上表面上;
在一號矩形凹槽內設有一號矩形干涉波導,并且一號矩形干涉波導的上表面與一號夾包層的上表面在同一個水平面上,一號矩形干涉波導的折射率比下包層的折射率大1.02-1.1倍;
在一號矩形干涉波導的上表面以及一號夾包層的上表面上設有厚度為3微米的二號夾包層;
在二號夾包層上設有二號矩形凹槽,并且二號矩形凹槽的槽底落在一號矩形干涉波導的上表面上,二號矩形凹槽的正投影與一號矩形凹槽的正投影重合;
在二號矩形凹槽右側的二號夾包層上分別設有與二號矩形凹槽相通的一號輸出矩形凹槽、二號輸出矩形凹槽、三號輸出矩形凹槽和四號輸出矩形凹槽,并且一號輸出矩形凹槽、二號輸出矩形凹槽、三號輸出矩形凹槽和四號輸出矩形凹槽的寬度和深度均與二號夾包層的厚度相等;
其中:一號輸出矩形凹槽與二號輸出矩形凹槽間隔6微米,二號輸出矩形凹槽與三號輸出矩形凹槽間隔6微米,三號輸出矩形凹槽與四號輸出矩形凹槽間隔6微米,二號矩形凹槽前側壁豎直平面到一號輸出矩形凹槽前側壁豎直平面的水平間隔距離為3微米;
在二號矩形凹槽、一號輸出矩形凹槽、二號輸出矩形凹槽、三號輸出矩形凹槽和四號輸出矩形凹槽內分別對應一體成型設有折射率與一號矩形干涉波導折射率相等的二號矩形干涉波導、一號輸出波導、二號輸出波導、三號輸出波導和四號輸出波導,并且二號矩形干涉波導、一號輸出波導、二號輸出波導、三號輸出波導和四號輸出波導的上表面均與二號夾包層的上表面在同一個水平面上;
在二號矩形干涉波導、一號輸出波導、二號輸出波導、三號輸出波導和四號輸出波導的上表面以及二號夾包層的上表面上設有厚度為6微米的三號夾包層;
在三號夾包層上設有三號矩形凹槽,并且三號矩形凹槽的槽底落在二號矩形干涉波導的上表面上,三號矩形凹槽的正投影與一號矩形凹槽的正投影重合;
在三號矩形凹槽內設有三號矩形干涉波導,并且三號矩形干涉波導的上表面與三號夾包層的上表面在同一個水平面上,三號矩形干涉波導的折射率等于一號矩形干涉波導的折射率;
在三號矩形干涉波導的上表面以及三號夾包層的上表面上設有厚度3微米的四號夾包層;
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