[實用新型]一種晶圓邊緣清洗裝置有效
| 申請號: | 201420072365.0 | 申請日: | 2014-02-19 |
| 公開(公告)號: | CN203707094U | 公開(公告)日: | 2014-07-09 |
| 發明(設計)人: | 唐強;劉永 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;B08B3/00 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人: | 李儀萍 |
| 地址: | 100176 北京市大興區大*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 邊緣 清洗 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及半導體工藝技術領域,特別是涉及一種晶圓邊緣清洗裝置。
背景技術
目前,在半導體器件的制造工藝中,常常使用電化學鍍(ECP)等工藝在刻蝕出的溝槽內壁以及晶圓表面形成銅電鍍層,在銅電鍍層形成完畢,將晶圓從電鍍液中取出后,由于晶圓的邊緣區域原來被電鍍環夾住,所以基本鍍不上銅電鍍層,但是,可能會出現毛邊,為防止該毛邊對后續工藝造成影響,需要對其進行清洗。采用物理氣相沉積(PVD)對晶圓進行鍍銅時也會遇見同樣的晶圓邊緣污染問題,需要對其進行清洗。目前清洗通常采用的方式是,在現有的晶圓清洗裝置上對晶圓進行清洗,該晶圓清洗裝置通常包括電機和清洗噴嘴,清洗噴嘴位于晶圓清洗裝置的上方,將晶圓放置到晶圓清洗裝置的清洗位置后,在電機的驅動下進行晶圓可以高速旋轉,同時從位于晶圓清洗裝置上方的清洗噴嘴噴灑出清洗溶劑,通過控制清洗噴嘴的角度,可使得清洗溶劑僅噴灑到晶圓的邊緣區域上,從而利用清洗液的化學特性來對可能出現的毛邊進行清洗。
使用現有技術,在對晶圓進行電化學鍍(ECP)或物理氣相沉積(PVD)后,對晶圓邊緣清洗(EBR,Edge?Bevel?Remove)的過程中,有時會遇到清洗后晶圓的邊緣還有殘余的污染的問題,即對晶圓邊緣清洗的不徹底,這是不成功的晶圓清洗,清洗不成功的晶圓是次品并不能使用。
因此,如何提高晶圓邊緣清洗的成功率,進而提高晶圓制造的成功率是本領域技術人員亟待解決的一個技術問題。
實用新型內容
鑒于以上所述現有技術的缺點,本實用新型的目的在于提供一種晶圓邊緣清洗裝置,用于解決現有技術中晶圓邊緣清洗不徹底的問題。
為實現上述目的及其他相關目的,本實用新型提供一種晶圓邊緣清洗裝置,所述晶圓邊緣清洗裝置至少包括:
提供晶圓清洗液的至少一條供應管道,具有靠近晶圓邊緣的管道口;所述管道口邊緣設置有突起;
置于所述管道口且與所述突起固定連接的清洗刷;
夾持在所述供應管道表面且用于固定所述供應管道的夾持件;
套接在所述夾持件表面且用于控制所述清洗刷接觸或離開所述晶圓邊緣的主控部件;
以及支撐所述晶圓并控制晶圓旋轉的旋轉控制裝置。
優選地,所述清洗刷為PVA海綿。
優選地,所述清洗刷呈U字形,所述U字形內壁上具有清洗晶圓邊緣的齒狀結構。
優選地,所述旋轉控制裝置為真空控制裝置。
優選地,所述晶圓旋轉的轉速為300~600轉每分鐘。
優選地,所述主控部件為氣缸。
優選地,所述供應管道為相對設置的兩條供應管道,每一條供應管道的管道口內置一個清洗刷。
優選地,所述清洗液通過供應管道流動至所述清洗刷并通過清洗刷滲透到晶圓邊緣。
優選地,所述清洗液為檸檬酸。
優選地,所述晶圓邊緣清洗裝置還包括位于所述晶圓上方、用于對所述清洗刷進行沖洗的兩個噴嘴。
優選地,所述晶圓邊緣清洗裝置還包括與所述噴嘴連接且用于帶動所述噴嘴旋轉的旋轉驅動件。
如上所述,本實用新型的晶圓邊緣清洗裝置,具有以下有益效果:
本實用新型提供的晶圓邊緣清洗裝置能夠對晶圓邊緣進行物理清洗,使得晶圓邊緣的清洗更加徹底,從而減少了晶圓邊緣清洗過程中的污染殘余問題,提高了晶圓制造的成功率;所述晶圓邊緣清洗裝置僅在進行晶圓邊緣清洗工作時靠近晶圓,對原有的晶圓清洗裝置沒有影響。
附圖說明
圖1為本實用新型的晶圓清洗裝置清洗晶圓時的結構示意圖。
圖2為本實用新型晶圓邊緣清洗裝置對清洗刷沖洗時的結構示意圖。
元件標號說明
1????????????????供應管道
11???????????????管道口
12???????????????突起
2????????????????清洗液
3????????????????清洗刷
31???????????????齒狀結構
4????????????????夾持件
5????????????????主控部件
6????????????????旋轉控制裝置
7????????????????噴嘴
8????????????????晶圓
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





