[實用新型]一種防擴散型高溫太陽能選擇性吸收涂層

有效

• 申請號: 201420061007.X
• 申請日: 2014-02-10
• 公開（公告）號: CN203999784U
• 公開（公告）日: 2014-12-10
• 發明（設計）人: 鄭禮清;沈劍山;周壯大;譚卓鵬;周福云
• 申請（專利權）人: 康達新能源設備股份有限公司
• 主分類號: C23C8/10
• 分類號: C23C8/10;C23C14/10;C23C14/35;B32B15/04;B32B17/06
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 譚一兵;曾云騰

1.一種防擴散型高溫太陽能選擇性吸收涂層，包括金屬基底層，所述金屬基底層上依次設置有紅外反射層、中間吸收層和表層減反射層，所述紅外反射層為Mo膜，所述中間吸收層包括由Mo+SiO₂形成的第一亞層和第二亞層，所述表層減反層為SiO₂膜，其特征在于：所述金屬基底層靠近所述紅外反射層的一面經熱處理后形成一層致密的氧化防擴散層，所述紅外反射層與中間吸收層之間設有SiO₂防擴散層。

2.根據權利要求1所述的防擴散型高溫太陽能選擇性吸收涂層，其特征在于：所述熱處理的溫度為500-600℃。

3.根據權利要求1或2所述的防擴散型高溫太陽能選擇性吸收涂層，其特征在于：所述熱處理的處理時間為2～4小時。

4.根據權利要求1所述的防擴散型高溫太陽能選擇性吸收涂層，其特征在于：所述金屬基底層由不銹鋼制成。

5.根據權利要求1所述的防擴散型高溫太陽能選擇性吸收涂層，其特征在于：所述氧化防擴散層為不銹鋼氧化層。

6.根據權利要求1所述的防擴散型高溫太陽能選擇性吸收涂層，其特征在于：所述氧化防擴散層和SiO₂防擴散層的厚度均為20～40nm。

7.根據權利要求6所述的防擴散型高溫太陽能選擇性吸收涂層，其特征在于：所述氧化防擴散層和SiO₂防擴散層的厚度均為30nm。