[實用新型]光半導體用片和光半導體裝置有效
| 申請號: | 201420056563.8 | 申請日: | 2014-01-29 |
| 公開(公告)號: | CN203923079U | 公開(公告)日: | 2014-11-05 |
| 發明(設計)人: | 小名春華;松田廣和;片山博之 | 申請(專利權)人: | 日東電工株式會社 |
| 主分類號: | C09J7/00 | 分類號: | C09J7/00;C09J7/02;C09J183/00;H01L23/28 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及光半導體用片和光半導體裝置,詳細而言,涉及具備光半導體用片以及通過該光半導體用片封裝的光半導體元件的光半導體裝置。
背景技術
橡膠狀的有機硅樹脂片由于耐久性、耐熱性等優異而被用于各種用途。
這種有機硅樹脂片由于表面具有粘合性,因此在運輸時,有機硅樹脂片會附著其他構件而污染周圍,或者需要另行層疊剝離片來保護表面。此外,在表面的粘合性過高時,還存在將脫模片自有機硅樹脂片脫模時脫模性降低的情況。
因此,提出了例如在表面散布滑石、云母等鱗片狀粉末而得到的熱壓接用硅橡膠片(例如參見下述專利文獻1。)。
專利文獻1的熱壓接用硅橡膠片通過所散布的粉來減小表面的粘合性,減小對周圍的污染,進而提高脫模性。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開平10-219199號公報
實用新型內容
實用新型要解決的問題
然而,專利文獻1所記載的熱壓接用硅橡膠片會因所散布的粉導致透明性不充分,因此存在如此封裝光半導體元件而得到的光半導體裝置的發光效率降低這一不利情況。
本實用新型的目的在于提供減小對周圍的污染、提高非粘合性、并且透明性優異的光半導體用片、以及抑制了發光效率的降低的光半導體裝置。
用于解決問題的方案
本實用新型的光半導體用片的特征在于,具備由第1有機硅樹脂形成的粘合層,以及設置于前述粘合層的厚度方向一面、由第2有機硅樹脂形成的非粘合層。
該光半導體用片由于在粘合層的厚度方向一面設置非粘合層,因此可以減小因粘合層附著于周圍的構件而導致的污染,提高非粘合性,同時提高透明性。
此外,本實用新型的光半導體用片優選的是,前述第2有機硅樹脂在常溫下為固態且為熱塑性。
在該光半導體用片中,由于第2有機硅樹脂為熱塑性,因此可以通過加熱使非粘合層與粘合層密合。因此,可以防止在非粘合層與粘合層之間產生間隙。結果,可以更進一步提高光半導體用片的透明性。
此外,在本實用新型的光半導體用片中,優選的是,前述第1有機硅樹脂為B階的熱固化性有機硅樹脂。
根據該光半導體用片,由于第1有機硅樹脂為B階的熱固化性有機硅樹脂,因此可以容易且確實地被覆對象物。在被覆對象物后,通過將光半導體用片加熱使其為C階,可以確實地封裝對象物。
此外,在本實用新型的光半導體用片中,優選的是,前述第2有機硅樹脂為倍半硅氧烷。
根據該光半導體用片,由于第2有機硅樹脂為倍半硅氧烷,因此在耐久性和透明性優異的同時,可以容易地保證熱塑性。
此外,在本實用新型的光半導體用片中,優選的是,前述倍半硅氧烷含有與前述第1有機硅樹脂反應的官能團。
在該光半導體用片中,由于倍半硅氧烷含有與第1有機硅樹脂反應的官能團,因此通過使第2有機硅樹脂與第1有機硅樹脂反應,可以更進一步提高粘合層與非粘合層的密合性。
此外,本實用新型的光半導體用片優選用于光半導體元件的封裝。
由于該光半導體用片用于光半導體元件的封裝,因此可以在提高光半導體元件的可靠性的同時抑制發光效率的降低。
此外,在本實用新型的光半導體用片中,優選的是,前述非粘合層通過由前述第2有機硅樹脂形成的片所形成。
根據該光半導體用片,由于非粘合層通過由第2有機硅樹脂形成的片所形成,因此可以確保非粘合層的厚度均勻,此外,長期保存性優異。
此外,在本實用新型的光半導體用片中,優選的是,前述非粘合層通過由前述第2有機硅樹脂形成的顆粒形成為層狀。
根據該光半導體用片,由于非粘合層由顆粒形成為層狀,因此可以使得工藝簡單。
此外,本實用新型的光半導體裝置的特征在于,其具備光半導體用片、以及通過前述光半導體用片封裝的光半導體元件,前述光半導體用片具備由第1有機硅樹脂形成的粘合層,以及設置于前述粘合層的厚度方向一面、由第2有機硅樹脂形成的非粘合層。
該光半導體裝置由于具備通過透明性優異的光半導體用片封裝的光半導體元件,因此可以抑制發光效率的降低。
實用新型的效果
本實用新型的光半導體用片可以減小由粘合層附著于周圍的構件而導致的污染,提高非粘合性,同時提高透明性。
本實用新型的光半導體裝置可以抑制發光效率的降低。
附圖說明
圖1(a)和圖1(b)是說明本實用新型的光半導體用片的第1實施方式的制造方法的工序圖,
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