[實用新型]一種陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201420053176.9
• 申請日: 2014-01-27
• 公開（公告）號: CN203707135U
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 牛菁
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本實用新型涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及顯示裝置。

背景技術

有機發光顯示器（Organic?Light?Emitting?Diode，OLED），相較于陰極射線管（CRT）或液晶顯示器（LCD）相比，具有更輕薄、更寬的視角、更快的響應速度和更低的功耗等優點，故有機發光顯示器作為下一代顯示器，備受關注。

有機發光顯示器陣列基板中一般包括兩個薄膜晶體管，其中一個作為開關晶體管，另一個作為驅動晶體管。圖1A所示為現有技術中陣列基板局部結構的平面圖，圖1B所示為圖1A中虛線A-A方向上的剖面圖。如圖1A和圖1B所示，現有技術中陣列基板包括兩個薄膜晶體管分別為第一薄膜晶體管TFT1和第二薄膜晶體管TFT2，具體的層級結構包括透明基板1、第一柵極101a、第二柵極101b、柵極絕緣層102、第一有源層103a、第二有源層103b、刻蝕保護層104、第一源極105a、第一漏極106a、第二源極105b、第二漏極106b、樹脂層107、金屬連接線108、像素電極109、黑矩陣110、有機發光層111、對電極112、柵線113、數據線114、電源線115。其中，柵線113與第一薄膜晶體管TFT1的柵極即第一柵極101a連接，數據線114與TFT1的源極即第一源極105a相連，第一薄膜晶體管TFT1的第一漏極106a通過過孔與第二薄膜晶體管TFT2的柵極即第二柵極101b連接。電源線115與數據線114平行，并與第二薄膜晶體管TFT2的源極即第二源極105b連接，第二薄膜晶體管TFT2的漏極即第二漏極106b與像素電極109連接。

由圖1A和圖1B所示可知，第一薄膜晶體管TFT1和第二薄膜晶體管TFT2均采用底柵結構，第一漏極106a通過與像素電極109同層設置的連接金屬線108與第二柵極101b過孔連接。連接金屬線108與像素電極109采用同種材料，并具有導電性，為避免短路，像素電極109覆蓋區域須避開連接金屬線108，如圖1A和圖1B所示，相應的像素電極109上設置的有機發光層111也須避開連接金屬線108覆蓋的區域，連接金屬線108覆蓋的區域由劃分子像素區域的黑矩陣110覆蓋。

上述存在兩個薄膜晶體管連接的結構中，第一薄膜晶體管的漏極與第二薄膜晶體管的柵極進行連接時，需要單獨設置連接金屬線進行連接，為避免連接金屬線與其它導電金屬之間形成短路，則需要在連接金屬線上覆蓋例如黑矩陣等絕緣材料，工藝較復雜。

實用新型內容

本實用新型的目的是提供一種陣列基板及顯示裝置，以解決現有存在兩個薄膜晶體管的結構中，實現兩個薄膜晶體管的連接需要單獨設置連接金屬線的問題。

本實用新型的目的是通過以下技術方案實現的：

一方面，提供一種陣列基板，該陣列基板包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管包括第一柵極、第一源極和第一漏極，所述第二薄膜晶體管包括第二柵極、第二源極和第二漏極，其中：

所述第一柵極、所述第二源極和所述第二漏極同層設置；

所述第二柵極、所述第一源極和所述第一漏極同層設置，且所述第二柵極與所述第一漏極為一體結構。

本實用新型中陣列基板包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，第二薄膜晶體管的柵極，與第一薄膜晶體管的源極和漏極同層設置，并且第二薄膜晶體管的柵極與第一薄膜晶體管的漏極為一體結構，故無需單獨設置金屬連接線，連接第二薄膜晶體管的柵極與第一薄膜晶體管的源極或漏極，使得制作工藝簡單，并且應用在有機發光顯示器件中，能夠增大有效的發光顯示區域，提高有機發光顯示器的開口率。

較佳的，該陣列基板還包括與所述第一柵極電連接的柵線，以及與所述第二源極電連接的電源線，其中，

所述柵線、所述電源線與所述第一柵極、所述第二源極和所述第二漏極同層設置，且所述柵線與所述電源線平行。

本實用新型實施例中電源線與柵線平行設置能夠避免短路，并且電源線與第二源極同層設置，改變原有電源線與數據線同層設置的結構，能夠使得電源線與第二源極電連接時，避免過多的過孔設計。

較佳的，該陣列基板還包括位于所述第一柵極、所述第二源極和所述第二漏極之上的第一絕緣層，以及依次形成在所述第一絕緣層上、并采用同一構圖工藝制作的有源層和刻蝕阻擋層，簡化了制作工藝，其中，

所述有源層包括第一有源層和第二有源層，所述刻蝕阻擋層包括第一刻蝕阻擋層和第二刻蝕阻擋層；

所述第一有源層位于所述第一柵極的上方，所述第二有源層位于所述第二源極和所述第二漏極的上方；