[實用新型]一種陣列基板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201420053176.9 | 申請日: | 2014-01-27 |
| 公開(公告)號: | CN203707135U | 公開(公告)日: | 2014-07-09 |
| 發明(設計)人: | 牛菁 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管,所述第一薄膜晶體管包括第一柵極、第一源極和第一漏極,所述第二薄膜晶體管包括第二柵極、第二源極和第二漏極,其中:
所述第一柵極、所述第二源極和所述第二漏極同層設置;
所述第二柵極、所述第一源極和所述第一漏極同層設置,且所述第二柵極與所述第一漏極為一體結構。
2.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,還包括與所述第一柵極電連接的柵線,以及與所述第二源極電連接的電源線,其中,
所述柵線、所述電源線與所述第一柵極、所述第二源極和所述第二漏極同層設置,且所述柵線與所述電源線平行。
3.如權利要求1或2所述的陣列基板,其特征在于,還包括位于所述第一柵極、所述第二源極和所述第二漏極之上的第一絕緣層,以及依次形成在所述第一絕緣層上、并采用同一構圖工藝制作的有源層和刻蝕阻擋層,其中,
所述有源層包括第一有源層和第二有源層,所述刻蝕阻擋層包括第一刻蝕阻擋層和第二刻蝕阻擋層;
所述第一有源層位于所述第一柵極的上方,所述第二有源層位于所述第二源極和所述第二漏極的上方;
所述第一刻蝕阻擋層,覆蓋第一有源層被所述第一源極和所述第一漏極暴露的區域,所述第二刻蝕阻擋層覆蓋所述第二有源層。
4.如權利要求3所述的陣列基板,其特征在于,還包括第一過孔和第一連接線,第二過孔和第二連接線,其中,
所述第一連接線和所述第二連接線與所述第二柵極同層設置;
所述第二源極通過所述第一連接線和所述第一過孔,與所述第二有源層電連接;
所述第二漏極通過所述第二連接線和所述第二過孔,與所述第二有源層電連接。
5.如權利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述第一過孔和所述第二過孔貫穿所述第二刻蝕阻擋層、所述第二有源層和所述第一絕緣層,并具有暴露所述第二刻蝕阻擋層的側斷面、所述第二有源層的部分上表面以及所述第一絕緣層側斷面的形狀。
6.如權利要求4或5所述的陣列基板,其特征在于,還包括位于所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管之上的樹脂層和像素電極,其中,
所述樹脂層開設有第三過孔,所述第三過孔位于所述第二漏極的上方;
所述像素電極通過所述第三過孔與所述第二漏極電連接。
7.如權利要求6所述的陣列基板,其特征在于,形成有像素電極的第三過孔內設置有黑矩陣,且位于第三過孔內的黑矩陣的上表面與位于第三過孔外的像素電極的上表面位于同一水平面。
8.一種顯示裝置,其特征在于,包括權1-7任一所述的陣列基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





