[實用新型]一種基于半導體基板的3D封裝裝置

有效

• 申請號: 201420051411.9
• 申請日: 2014-01-26
• 公開（公告）號: CN203774282U
• 公開（公告）日: 2014-08-13
• 發明（設計）人: 袁正紅;潘計劃;毛忠宇
• 申請（專利權）人: 深圳市興森快捷電路科技股份有限公司;廣州興森快捷電路科技有限公司;宜興硅谷電子科技有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/528
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 唐致明

技術領域

本實用新型涉及芯片封裝技術，尤其涉及一種基于半導體基板的3D封裝裝置。

背景技術

隨著電子產品向小型化、高密度化、高集成度和多功能化的方向迅速發展，芯片的封裝要求也越來越高了，高集成度、多功能、小尺寸、結構復雜的芯片封裝裝置日漸增多。然而，行業目前常用的芯片封裝結構，其分別具有不同的缺點：1、第一種常用的芯片封裝結構為多個芯片粘貼在同一個平面，但這一方案卻占據水平方向上較多的面積，并不符合器件小尺寸的發展趨勢；2、第二種常用的芯片封裝結構為芯片之間通過一個硅隔層粘貼在一起進而形成豎直方向的結構，但這一方案卻會導致芯片之間直接互連密度小，并且使大部分引腳互連至載體基板上，大大增加載體基板的負擔以及增加載體基板的電路設計難度；3、第三種常用的芯片封裝結構為在芯片上種植微焊球作為芯片之間的互連引腳，這樣就能夠提高各個芯片之間的直接互連密度，但是這種方案的技術要求高，制造難度大，并且成本投資花費高。由此可知，人們應該盡快實用新型一種芯片的封裝結構，從而能夠同時滿足器件尺寸小、芯片之間的互連性高以及易于實現等要求。

實用新型內容

為了解決上述技術問題，本實用新型的目的是提供一種基于半導體基板的3D封裝裝置。

本實用新型所采用的技術方案是：一種基于半導體基板的3D封裝裝置，其包括載體基板和金線，所述載體基板的下表面設有引腳焊球，所述載體基板的上表面分別設有第一綁線焊盤以及第一粘貼層，所述第一粘貼層的上表面設有第一芯片，所述第一芯片的上表面設有第二粘貼層，所述第二粘貼層的上表面設有用于實現芯片之間互連與隔離的隔層基板，所述隔層基板的上表面分別設有第二綁線焊盤以及第三粘貼層，所述第三粘貼層的上表面設有第二芯片；

所述第一綁線焊盤通過金線進而與第一芯片進行連接，所述第一芯片通過金線進而與第二綁線焊盤進行連接，所述第二綁線焊盤通過金線進而與第二芯片進行連接。

進一步，所述的第二芯片通過金線進而與第一綁線焊盤進行連接。

進一步，所述載體基板的上表面還設有銅層，而所述的第一粘貼層設置在銅層的上表面。

進一步，所述載體基板的上表面還設有油墨層，而所述的第一粘貼層設置在油墨層的上表面。

進一步，所述的銅層上設有過孔。

進一步，所述的第一粘貼層、第二粘貼層以及第三粘貼層均為銀膠層、樹脂膠層或膠膜層。

本實用新型的有益效果是：由于本實用新型的封裝裝置采用了隔層基板來實現芯片之間的互連以及隔離，因此，本實用新型的封裝裝置不僅能夠形成豎直方向的結構，使裝置的體積更小，而且還能夠提高芯片之間的直接互連性密度、提高芯片封裝裝置的集成度、減少載體基板的負擔以及降低載體基板電路設計的難度。另外，將基板設置在芯片之間從而實現芯片之間的隔離和互連，這一封裝工藝簡單，無需采用昂貴的半導體封裝設備來實現，由此可知，本實用新型的封裝裝置還具有易于實現以及投資成本低優點。

附圖說明

下面結合附圖對本實用新型的具體實施方式作進一步說明：

圖1是一種基于半導體基板的3D封裝裝置的結構示意圖。

1、第一芯片；2、引腳焊球；3、載體基板；4、金線；5、隔層基板；6、第二芯片；7、第一綁線焊盤；8、塑封料層；9、第二綁線焊盤。

具體實施方式

由圖1所示，一種基于半導體基板的3D封裝裝置，其包括載體基板3和金線4，所述載體基板3的下表面設有引腳焊球2，所述載體基板4的上表面分別設有第一綁線焊盤7以及第一粘貼層，所述第一粘貼層的上表面設有第一芯片1，所述第一芯片1的上表面設有第二粘貼層，所述第二粘貼層的上表面設有用于實現芯片之間互連與隔離的隔層基板5，所述隔層基板5的上表面分別設有第二綁線焊盤9以及第三粘貼層，所述第三粘貼層的上表面設有第二芯片6；

所述第一綁線焊盤7通過金線4進而與第一芯片1進行連接，所述第一芯片1通過金線4進而與第二綁線焊盤9進行連接，所述第二綁線焊盤9通過金線4進而與第二芯片6進行連接。另外，本實用新型的3D封裝裝置還包括一用于對載體基板3、第一芯片1、隔層基板5以及第二芯片6進行包封的塑封料層8。所述的塑封料層8，其所使用的成分主要有二氧化硅和樹脂。

對于所述的隔層基板5和載體基板3，兩者的材料可為相同或不同，例如兩者的材料均可采用由玻璃纖維布與樹脂混壓合成的半導體材料。另外，對于所述的隔層基板5和載體基板3，兩者的內部均布有線路和過孔，并且兩者的厚度可均為0.1mm至0.45mm，層數為2層至8層。