[實用新型]半導體器件

有效

• 申請號: 201420044132.X
• 申請日: 2014-01-23
• 公開（公告）號: CN203733779U
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發明（設計）人: 施建根
• 申請（專利權）人: 南通富士通微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/367
• 代理公司: 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435
• 代理人: 孟阿妮

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

印刷電路板和芯片級封裝結構；

所述芯片級封裝結構具有凸點下金屬層、以及設置在所述凸點下金屬層上表面的金屬柱；

其中，所述印刷電路板與所述金屬柱之間焊接。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述芯片級封裝結構還包括半導體芯片，所述半導體芯片的上表面設置有電極，所述凸點下金屬層設置在所述電極上；

在所述半導體芯片與所述上表面對應的下表面，設置散熱金屬層。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，

所述散熱金屬層包括散熱結構，以及將散熱結構固定在所述半導體芯片下表面的焊料層。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，

所述散熱結構的表面形成多個凸起，每個凸起之間彼此間隔。

5.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，

所述散熱結構為翅片結構。

6.根據權利要求4或5所述的半導體器件，其特征在于，

所述散熱金屬層的表面積是所述半導體芯片下表面面積的至少一倍。

7.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，

所述凸點下金屬層為由下至上層疊設置的粘附層和導電層組成的層疊結構。

8.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，

所述芯片級封裝結構還包括：

鈍化層，覆蓋所述半導體芯片，在所述鈍化層上形成有開口，所述電極從所述開口處露出；

保護層，覆蓋所述鈍化層。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，

在所述保護層上表面以及環繞所述金屬柱外表面設置保護框架。

10.根據權利要求1-5、7-9中任意一項所述的半導體器件，其特征在于，

所述金屬柱高度為40-110μm。