[實用新型]晶圓級半導體器件

有效

• 申請號: 201420043692.3
• 申請日: 2014-01-23
• 公開（公告）號: CN203871335U
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發明（設計）人: 蔡勇;張亦斌;徐飛
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/00
• 代理公司: 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256
• 代理人: 王鋒

1.一種晶圓級半導體器件，其特征在于，包括：

晶圓級基片；

形成于基片表面且并聯設置的多個串聯組，每一串聯組包括串聯設置的多個并聯組，每一并聯組包括并聯設置的多個單胞，其中每一單胞均是由直接生長于所述基片表面的半導體層加工形成的獨立功能單元；以及，

導線，其至少電性連接于每一串聯組中的一個選定并聯組與所述半導體器件的一個電極之間和/或兩個選定并聯組之間，用以使所有串聯組的導通電壓基本一致。

2.根據權利要求1所述的晶圓級半導體器件，其特征在于，形成于基片表面的所有單胞包括多個正常單胞和多個冗余單胞，該多個正常單胞被排布為并聯設置的多個多級單元組，任一多級單元組包括串聯設置的多個第一并聯組，并且任一多級單元組中選定的M個第一并聯組還與N個第二并聯組串聯形成一串聯組，

其中，任一第一并聯組包括并聯設置的多個正常單胞，任一第二并聯組包括并聯設置的多個冗余單胞，M為正整數，?N為0或正整數。

3.根據權利要求1所述的晶圓級半導體器件，其特征在于，至少一串聯組中還設有至少一匹配電阻。

4.根據權利要求2所述的晶圓級半導體器件，其特征在于，至少一多級單元組中選定的兩個以上第一并聯組直接經過導線與至少一第二并聯組串聯形成串聯組。

5.根據權利要求1所述的晶圓級半導體器件，其特征在于，它還包括與基片密封連接的冷卻結構，并且該基片第二表面的選定區域暴露于該冷卻結構中的冷卻介質流通腔體內，該選定區域至少與分布有該多個單胞的基片第一表面的區域對應。

6.根據權利要求1所述的晶圓級半導體器件，其特征在于，它還包括與基片密封連接的冷卻結構，并且該多個單胞均暴露于該冷卻結構中的冷卻介質流通腔體內。

7.根據權利要求1所述的晶圓級半導體器件，其特征在于，所述晶圓級基片的直徑在2英寸以上。

8.根據權利要求1所述的晶圓級半導體器件，其特征在于，所述串聯組的導通電壓為110V、220V或380V。

9.根據權利要求1-8中任一項所述的晶圓級半導體器件，其特征在于，所述晶圓級半導體器件包括半導體激光器、LED或二極管。