[實用新型]一種晶舟結構有效
| 申請號： | 201420031375.X | 申請日： | 2014-01-17 |
| 公開（公告）號： | CN203690269U | 公開（公告）日： | 2014-07-02 |
| 發明（設計）人： | 張學良;高海林 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/673 | 分類號： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 100176 北京市大興區大*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶舟結構，其特征在于，所述晶舟結構至少包括：位于底部的兩根連接柱，所述連接柱兩端分別固定有前擋板及后擋板，所述前擋板與所述后擋板之間設置有多個平行且間隔排列的支撐板，所述支撐板為下寬上窄的無底邊的框體結構。
2.根據權利要求1所述的晶舟結構，其特征在于：所述多個支撐板均勻排布。
3.根據權利要求1所述的晶舟結構，其特征在于：任意兩個相鄰的支撐板之間的槽位寬度為0.8mm～1.2mm。
4.根據權利要求1所述的晶舟結構，其特征在于：所述框體結構為梯形，其下邊長度為84mm～86mm，上邊長度為18.5mm～19.5mm。
5.根據權利要求4所述的晶舟結構，其特征在于：所述梯形框體結構的框體寬度為7.5mm～8.5mm。
6.根據權利要求1所述的晶舟結構，其特征在于：所述支撐板的高度為101mm～103mm。
7.根據權利要求1所述的晶舟結構，其特征在于：所述支撐板在沿厚度W3方向的平面上的投影包括矩形下部以及位于所述矩形下部上的梯形上部。
8.根據權利要求7所述的晶舟結構，其特征在于：所述支撐板的矩形下部厚度為4.8mm～5.2mm。
9.根據權利要求1所述的晶舟結構，其特征在于：所述連接柱的寬度為12.5mm～13.5mm，高度為7.5mm～8.5mm。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
