[實(shí)用新型]一種ITO靶材

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420024561.0
• 申請(qǐng)日: 2014-01-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203782225U
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡業(yè)新
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 昆山日久新能源應(yīng)用材料有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C14/35
• 分類(lèi)號(hào): C23C14/35;C23C14/08
• 代理公司: 北京康盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11331
• 代理人: 伊美年

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種ITO靶材。

背景技術(shù)

隨著科技的進(jìn)步，觸摸屏手機(jī)、觸摸屏筆記本、GPS導(dǎo)航儀、pos機(jī)觸摸屏、KTV觸摸屏、觸摸屏一體機(jī)、多媒體查詢(xún)機(jī)、工控觸摸屏等觸控產(chǎn)品在各個(gè)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，各類(lèi)觸摸屏的需求急劇增加，從而使ITO導(dǎo)電膜上升到新的技術(shù)層面，其需求量也隨之急劇上升。ITO靶材是制備ITO導(dǎo)電膜的原料，這種透明導(dǎo)電薄膜對(duì)可見(jiàn)光透過(guò)率＞85%，紅外光反射率達(dá)90%，且導(dǎo)電性好，有優(yōu)良的化學(xué)穩(wěn)定性、熱穩(wěn)定性和刻蝕性，是一種用途十分廣泛的透明導(dǎo)電薄膜材料。

目前ITO導(dǎo)電膜通常是采用磁控濺射的方法，在透明靶材上濺射氧化銦錫(ITO)導(dǎo)電薄膜鍍層并經(jīng)高溫退火處理得到。先期使用的濺射材料，即ITO靶材，具體參見(jiàn)圖1、2所示，一整塊靶材由5塊小塊的ITO材料拼接為一個(gè)整體，ITO靶材的濺射區(qū)1，分布在靶材的邊緣及兩端部分，即圖中陰影部分，靶材的中間部分為非濺射區(qū)2，基本沒(méi)有損耗。然而在實(shí)際的生產(chǎn)過(guò)程中，靶材中間部分非濺射區(qū)雖然在濺射中基本沒(méi)有損耗，但是在濺射結(jié)束后也無(wú)法被再次使用，導(dǎo)致靶材的成本較高，同時(shí)對(duì)資源的利用也較為不合理。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型目的是提供一種ITO靶材，通過(guò)對(duì)結(jié)構(gòu)的改進(jìn)，降低了靶材的成本，提高了資源的利用率。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案是：一種ITO靶材，包括靶材本體，所述靶材本體由分體式設(shè)置的外圈濺射區(qū)及設(shè)置于濺射區(qū)內(nèi)側(cè)的非濺射區(qū)構(gòu)成，所述濺射區(qū)與非濺射區(qū)之間拼接連接。

進(jìn)一步的技術(shù)方案，所述濺射區(qū)包括對(duì)稱(chēng)設(shè)置的上、下各四塊的基板及兩端各一塊的端部基板，所述基板與基板間及基板與端部基板間拼接連接。

進(jìn)一步的技術(shù)方案，所述非濺射區(qū)包括四塊拼接連接的基板。

進(jìn)一步的技術(shù)方案，所述基板尺寸為0.4m×0.042m，所述端部基板的尺寸為0.15m×0.127m。

本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是：

1．本實(shí)用新型ITO靶材由分體式的濺射區(qū)及設(shè)置于濺射區(qū)內(nèi)側(cè)非濺射區(qū)構(gòu)成，非濺射區(qū)與濺射區(qū)之間拼接連接，當(dāng)磁控濺射完成，非濺射區(qū)可從濺射區(qū)內(nèi)側(cè)拆卸下來(lái)，再次利用，從而降低了靶材的成本，提高了資源的利用率；

2．本實(shí)用新型無(wú)需對(duì)現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行大規(guī)模改變，易于實(shí)現(xiàn)，適合推廣使用。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述：

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中靶材結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中靶材中濺射區(qū)的示意圖；

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例一中濺射區(qū)與非濺射區(qū)的示意圖。

其中：1、濺射區(qū)；2、非濺射區(qū)；3、濺射區(qū)；4、非濺射區(qū)；5、基板；6、端部基板。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例一：參見(jiàn)圖3、4所示，一種ITO靶材，包括靶材本體，所述靶材本體由分體式設(shè)置的外圈濺射區(qū)3及設(shè)置于濺射區(qū)3內(nèi)側(cè)的非濺射區(qū)4構(gòu)成，所述濺射區(qū)3與非濺射區(qū)4之間拼接連接。

上述的濺射區(qū)3包括對(duì)稱(chēng)設(shè)置的上、下各四塊的基板5及兩端各一塊的端部基板6，所述基板與基板間及基板與端部基板間拼接連接。

上述的非濺射區(qū)4包括四塊拼接連接的基板5。

上述基板尺寸為0.4m×0.042m，端部基板的尺寸為0.15m×0.127m。

本實(shí)施例中，整塊靶材本體由于12塊0.4m×0.042m的基板和2塊0.15m×0.127m的端部基板拼接而成，該拼接可為綁定。靶材本體的中間部分為非濺射區(qū)，在濺射的過(guò)程中消耗量幾乎為零，非濺射區(qū)為中間4塊0.4m×0.042m的基板，這4快基板消耗量幾乎為零。靶材濺射完畢后，整塊靶材本體解綁，將中間4塊0.4m×0.042m的非濺射區(qū)的基板分離下來(lái)，再和其他新的基板重新綁定，進(jìn)行再次利用，從而降低了靶材的成本，提高了資源的利用率。

當(dāng)然上述實(shí)施例只為說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人能夠了解本實(shí)用新型的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本實(shí)用新型主要技術(shù)方案的精神實(shí)質(zhì)所做的修飾，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。