[實用新型]一種真空吸筆有效
| 申請號： | 201420019390.2 | 申請日： | 2014-01-13 |
| 公開（公告）號： | CN203674189U | 公開（公告）日： | 2014-06-25 |
| 發明（設計）人： | 周振林;李紅梅;郭煒;李愛民;劉競文 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/683 | 分類號： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 100176 北京市大興*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 真空 | ||
【權利要求書】：
1.一種真空吸筆，其特征在于，所述真空吸筆至少包括：依次連接的真空裝置、中空筆桿及吸盤，所述吸盤包括多個獨立的真空吸附單元，各真空吸附單元連接有獨立管道，各獨立管道藉由所述中空筆桿與所述真空裝置連接。
2.根據權利要求1所述的真空吸筆，其特征在于：所述吸盤中的多個獨立的真空吸附單元為均勻分布。
3.根據權利要求1所述的真空吸筆，其特征在于：所述真空吸附單元至少為3個。
4.根據權利要求1所述的真空吸筆，其特征在于：各獨立管道于所述中空筆桿處合并為一根。
5.根據權利要求1所述的真空吸筆，其特征在于：所述吸盤還包括設置于所述吸盤頂端的吹氣嘴及與所述吹氣嘴相連接的吹氣管道。
6.根據權利要求5所述的真空吸筆，其特征在于：還包括一與所述吹氣管道連接的空氣壓縮裝置。
7.根據權利要求1所述的真空吸筆，其特征在于：所述吸盤的吸附面積不小于3cm*5cm。
8.根據權利要求1所述的真空吸筆，其特征在于：所述吸盤的橫截面形狀為長方形、圓形、圓環形、三角形的一種或組合。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
