[實(shí)用新型]薄膜晶體管、陣列基板及有機(jī)發(fā)光顯示面板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420016475.5
• 申請(qǐng)日: 2014-01-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203674269U
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 田宗民;謝振宇;陳旭
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L51/05
• 分類(lèi)號(hào): H01L51/05;H01L27/28;H01L21/77;H01L51/40;H01L27/32
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管、陣列基板及有機(jī)發(fā)光顯示面板。

背景技術(shù)

有機(jī)發(fā)光顯示面板是指包括有機(jī)發(fā)光器件的面板，例如包括OLED（Organic?Light?Emitting?Diode，有機(jī)發(fā)光二極管）或其他有機(jī)電致發(fā)光元件EL(Electro?Luminescent，電致發(fā)光元件)。最常用的發(fā)光器件為OLED。有機(jī)發(fā)光顯示面板為采用有機(jī)發(fā)光顯示器件的面板，該面板中每一像素結(jié)構(gòu)中包括一有機(jī)發(fā)光器件，由于有機(jī)發(fā)光器件是一種自發(fā)光的顯示器件，因此，這類(lèi)面板中無(wú)需背光源。有機(jī)發(fā)光器件因具有薄、輕、自發(fā)光、寬視角、高清晰、高亮度、響應(yīng)快速、低能耗、使用溫度范圍廣、抗震能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，逐漸成為平板顯示領(lǐng)域的亮點(diǎn)，并將占據(jù)重要的地位。

OLED發(fā)光器件為電流驅(qū)動(dòng)型發(fā)光器件，正常工作時(shí)需要的驅(qū)動(dòng)電流較大。驅(qū)動(dòng)電路為OLED提供的驅(qū)動(dòng)電流越大越能保證OLED的正常工作，還能降低有機(jī)發(fā)光顯示面板的功耗。驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光的薄膜晶體管非常重要，薄膜晶體管TFT（Thin?Film?Transistor，薄膜晶體管）中有源層載流子遷移率越高，驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光的驅(qū)動(dòng)電流就越大。

目前，有機(jī)發(fā)光顯示面板中薄膜晶體管TFT主要包括非晶硅TFT和低溫多晶硅TFT。低溫多晶硅TFT載流子的遷移率比非晶硅TFT載流子遷移率大至少兩個(gè)數(shù)量級(jí)。因此，現(xiàn)有有機(jī)發(fā)光顯示面板中的薄膜晶體管大多使用低溫多晶硅TFT。

現(xiàn)有制作低溫多晶硅TFT的條件比較苛刻，具體地，對(duì)于低溫多晶硅的TFT制作一般需要先沉積非晶硅，然后再進(jìn)行除氫處理，經(jīng)過(guò)處理后再進(jìn)行激光退火，再曝光刻蝕，這一步驟至少需要經(jīng)過(guò)3-4掩模工序，工序復(fù)雜且良率比較低。此外，制作低溫多晶硅TFT的溫度較高，不適合在柔性基板上制作。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型實(shí)施例提供了薄膜晶體管、陣列基板及有機(jī)發(fā)光顯示面板，用以提供一種結(jié)構(gòu)和制作工藝流程較簡(jiǎn)單的薄膜晶體管、陣列基板及有機(jī)發(fā)光顯示面板。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供的薄膜晶體管至少包括有源層，所述有源層由具有半導(dǎo)體性質(zhì)的碳納米管材料或具有半導(dǎo)體性質(zhì)的石墨烯材料構(gòu)成；還包括位于所述有源層上下兩側(cè)與有源層相接觸的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層；所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層由具有電子倍增功能的二次電子發(fā)射層構(gòu)成。

較佳地，所述具有電子倍增功能的二次電子發(fā)射層由金屬氧化物或金屬有機(jī)化合物材料構(gòu)成。

較佳地，所述第一導(dǎo)電層的厚度為40-50nm，所述第二導(dǎo)電層的厚度為40-50nm。

較佳地，所述具有半導(dǎo)體性質(zhì)的碳納米管為氧化碳納米管，所述具有半導(dǎo)體性質(zhì)的石墨烯為氫氣石墨烯。

較佳地，還包括源極和漏極，所述源極和漏極由具有導(dǎo)體性質(zhì)的碳納米管或石墨烯材料構(gòu)成；所述第二導(dǎo)電層位于所述源極和漏極與所述有源層之間且與所述源極和漏極對(duì)應(yīng)設(shè)置。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種陣列基板，包括基板，設(shè)置于所述基板上呈矩陣分布的多個(gè)像素單元，所述每一像素單元包括上述薄膜晶體管。

較佳地，所述陣列基板還包括位于每一像素單元的有機(jī)發(fā)光器件，所述有機(jī)發(fā)光器件至少包括疊層設(shè)置的陰極、陽(yáng)極和位于陰極和陽(yáng)極之間的發(fā)光層，所述陽(yáng)極與所述薄膜晶體管中的漏極相連；

其中，所述陰極和陽(yáng)極至少之一由碳納米管或石墨烯導(dǎo)電材料構(gòu)成。

較佳地，所述陽(yáng)極還包括與所述陽(yáng)極疊層設(shè)置的具有反光作用的導(dǎo)電膜層；和/或

所述陰極還包括與所述陰極疊層設(shè)置的具有反光作用的導(dǎo)電膜層。

較佳地，所述基板為柔性基板。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種有機(jī)發(fā)光顯示面板，包括上述陣列基板。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供的薄膜晶體管，有源層為具有半導(dǎo)體性質(zhì)的碳納米管或具有半導(dǎo)體性質(zhì)的石墨烯，有源層、第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層只需要使用類(lèi)似化學(xué)氣相沉積法或涂覆法的工藝條件就能夠制備，并且所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層為具有電子倍增功能的二次電子發(fā)射層，當(dāng)所述薄膜晶體管TFT通電工作時(shí)，電子通過(guò)有源層進(jìn)入第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層進(jìn)行傳導(dǎo)，由于第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層具有電子倍增功能的二次電子發(fā)射的特性，電子會(huì)呈旋轉(zhuǎn)狀加速前進(jìn)，在這過(guò)程中會(huì)發(fā)生多次的碰撞，使得電子產(chǎn)生倍增作用，最后輸出的電子成幾何倍的增長(zhǎng)，使得電子的遷移率增大，達(dá)到所述薄膜晶體管TFT載流子遷移率與低溫多晶硅載流子遷移率相比擬。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例二提供的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；