[實用新型]薄膜晶體管、陣列基板及有機發光顯示面板有效
| 申請號: | 201420016475.5 | 申請日: | 2014-01-10 |
| 公開(公告)號: | CN203674269U | 公開(公告)日: | 2014-06-25 |
| 發明(設計)人: | 田宗民;謝振宇;陳旭 | 申請(專利權)人: | 北京京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/05 | 分類號: | H01L51/05;H01L27/28;H01L21/77;H01L51/40;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜晶體管 陣列 有機 發光 顯示 面板 | ||
1.一種薄膜晶體管,其特征在于,至少包括有源層,所述有源層由具有半導體性質的碳納米管材料或具有半導體性質的石墨烯材料構成;還包括位于所述有源層上下兩側與有源層相接觸的第一導電層和第二導電層;所述第一導電層和第二導電層由具有電子倍增功能的二次電子發射層構成。
2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管,其特征在于,所述具有電子倍增功能的二次電子發射層由金屬氧化物或金屬有機化合物材料構成。
3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管,其特征在于,所述第一導電層的厚度為40-50nm,所述第二導電層的厚度為40-50nm。
4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管,其特征在于,所述具有半導體性質的碳納米管為氧化碳納米管,所述具有半導體性質的石墨烯為氫氣石墨烯。
5.根據權利要求1-4任一權項所述的薄膜晶體管,其特征在于,還包括源極和漏極,所述源極和漏極由具有導體性質的碳納米管或石墨烯材料構成;所述第二導電層位于所述源極和漏極與所述有源層之間且與所述源極和漏極對應設置。
6.一種陣列基板,包括基板及設置于所述基板上呈矩陣分布的多個像素單元,其特征在于,所述每一像素單元包括權利要求1-5任一權項所述的薄膜晶體管。
7.根據權利要求6所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括位于每一像素單元的有機發光器件,所述有機發光器件至少包括疊層設置的陰極、陽極和位于陰極和陽極之間的發光層,所述陽極與所述薄膜晶體管中的漏極相連;
其中,所述陰極和陽極至少之一由具有導體性質的碳納米管或石墨烯材料構成。
8.根據權利要求7所述的陣列基板,其特征在于,所述陽極還包括與所述陽極疊層設置的具有反光作用的導電膜層;和/或
所述陰極還包括與所述陰極疊層設置的具有反光作用的導電膜層。
9.根據權利要求6-8任一權項所述的陣列基板,其特征在于,所述基板為柔性基板。
10.一種有機發光顯示面板,其特征在于,包括權利要求6-9任一權項所述的陣列基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





