[實用新型]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420013401.6
• 申請日: 2014-01-09
• 公開（公告）號: CN203774333U
• 公開（公告）日: 2014-08-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 伊藤明
• 申請（專利權(quán)）人: 美國博通公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 田喜慶

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

第一阱，注入在半導(dǎo)體基板中；

第二阱，注入在所述半導(dǎo)體基板中；

柵極結(jié)構(gòu)，在所述第一阱和所述第二阱上；

凸起源極結(jié)構(gòu)，在所述第一阱上且與所述第一阱接觸，并且通過第一半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)與所述柵極結(jié)構(gòu)連接；以及

凸起漏極結(jié)構(gòu)，在所述第二阱上且與所述第二阱接觸，并且與第二半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)連接，

其中，所述第二半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)包括將所述柵極結(jié)構(gòu)與所述凸起漏極結(jié)構(gòu)分開的間隙。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)和所述第二半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)具有比所述柵極結(jié)構(gòu)窄的寬度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)具有比所述凸起源極結(jié)構(gòu)窄的寬度，或所述第二半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)具有比所述凸起漏極結(jié)構(gòu)窄的寬度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述凸起源極結(jié)構(gòu)和所述凸起漏極結(jié)構(gòu)都具有比所述柵極結(jié)構(gòu)窄的寬度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述間隙具有比所述第二半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)的鰭狀長度小的間隙長度。

6.一種半導(dǎo)體器件，包括：

第一阱，具有第一阱上表面；

第二阱，具有第二阱上表面；

柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述第一阱上表面和所述第二阱上表面上；

凸起源極結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述第一阱上且與所述第一阱接觸，在至少一個位置具有比所述第一阱上表面更高的源極上表面，并且通過第一半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)與所述柵極結(jié)構(gòu)連接；以及

凸起漏極結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述第二阱上并且通過第二半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)與所述柵極結(jié)構(gòu)連接，其中，所述第二半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)比所述第一半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)相對輕地?fù)诫s。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)和所述第二半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)具有比所述柵極結(jié)構(gòu)窄的寬度。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述柵極結(jié)構(gòu)具有比所述源極上表面和漏極上表面高的柵極上表面。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述柵極結(jié)構(gòu)包括多個柵極，所述第一半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)具有比所述凸起源極結(jié)構(gòu)窄的寬度或所述第二半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)具有比所述凸起漏極結(jié)構(gòu)窄的寬度。