[實用新型]氦氣測漏裝置

有效

• 申請號: 201420013301.3
• 申請日: 2014-01-09
• 公開（公告）號: CN203688172U
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 羅建華;賀波亮;陳起偉;李斌;張潮;封龍剛
• 申請（專利權）人: 西安神光安瑞光電科技有限公司
• 主分類號: G01M3/20
• 分類號: G01M3/20
• 代理公司: 西安智邦專利商標代理有限公司 61211
• 代理人: 倪金榮

技術領域

本實用新型屬于LED技術領域，主要涉及一種氦氣測漏裝置，用于檢測ICP托盤裝載晶圓后是否發生氦氣泄漏。

背景技術

目前LED外延襯底圖形在制造過程中，常常要在晶圓上做出極細微尺寸的圖案(Pattern)，這些圖案最主要的形成方式乃是使用蝕刻(Etching)技術，將微影(Photo-Lithography)技術所產生的光阻圖形轉印到光阻底下的材質上，而電漿反應離子蝕刻是將晶圓上不需要的部分的材質用電漿氣體去除以達成圖形轉移(PatternTransfer)目的。

反應式離子蝕刻屬于干蝕刻的一種，機械上屬電感耦合式，在反應腔中通入氣體，控制真空抽氣系統使環境維持于低壓(-1～20mTorr)狀態，利用下電極上之13.56MHz低功率射頻產生偏壓，使電漿中離子或自由基轟擊或與基板反應造成蝕刻。

反應式離子蝕刻反應腔中有2個電極，下電極接射頻電源并通水冷卻，并可通入氦氣當熱傳導介質幫助冷卻，被蝕刻晶圓即放在下電極板上，而上電極為分氣盤，蝕刻氣體由上方均勻注入腔中，反應后之氣體由腔體下方四周的抽氣管路排出。

現有ICP蝕刻機是將有承載晶圓的鋁托盤放置在腔體內的卡盤上，通過壓環裝置使鋁托盤和卡盤緊密接觸，通過氦氣的通入使鋁托盤的溫度快速的降低，但是目前的工藝是在ICP（Inductively?Coupled?Plasma感應耦合等離子體）托盤裝載Wafer（晶圓）完成后，將裝載Wafer的托盤通入機臺的蝕刻環境腔體，開始執行工藝配方后才能夠了解氦氣泄漏的大小，如果氦氣泄漏超過設定的最大值，將會改變腔室環境的壓力嚴重影響蝕刻的效果。

發明內容

本實用新型提供一種氦氣測漏裝置，主要解決了現有裝載晶圓的托盤開始執行工藝配方后才能夠了解氦氣泄漏的大小，從而嚴重影響ICP蝕刻機蝕刻效果的問題。

本實用新型的具體技術解決方案如下：

該氦氣測漏裝置包括用于固定裝載晶圓的托盤的固定機構，用于將托盤和固定機構接觸面之間形成的腔體進行抽真空的真空泵，真空泵通過管道和腔體連通，管道上設置有用于檢測真腔體真空度的真空計和用于檢測氦氣泄漏數據的氦氣偵測計。

上述管道上設置有開關真空泵的手動閥。

上述固定機構包括用于承載托盤的卡盤，托盤通過固定壓塊固定在卡盤上。

本實用新型的優點如下：

該氦氣測漏裝置可以準確掌握鋁托盤氦氣泄漏的實際情況，并通過調整托盤裝載晶圓的位置減少對工藝的影響，提高了設備的穩定性。

附圖說明

圖1為本實用新型氦氣測漏裝置的結構示意圖；

附圖明細如下：1-卡盤；2-鋁托盤；3-固定裝置；4-手動閥；5-真空計；6-氦氣偵測計；7-真空泵。

具體實施方式

以下結合附圖對本實用新型的工作過程進行詳述，如圖2所示：

在將裝載晶圓后的托盤裝入機臺的環境腔室之前，先將托盤放置在氦氣測漏裝置的卡盤上，再使用固定壓塊壓住鋁托盤的邊緣位置，然后打開裝置中的真空泵(Pump)，使管道達到真空狀態，緊接著慢慢打開管道上端的手動閥門，抽取托盤與卡盤之間的大氣。

抽取一段時間后觀察真空計的數值，當真空計的數值達到工藝的要求后，在裝有氦氣的鋼瓶端口加裝氣槍，并調整氦氣壓力在要求工作的范圍內，然后使用氣槍對偵測氦氣泄漏裝置上托盤中晶圓的邊緣位置進行吹掃，在吹掃的過程中可以通過該裝置上的氦氣偵測計觀察濃度的存在，如果氦氣偵測計顯示無氦氣被偵測到，說明此晶圓位置處的氦氣無泄漏，接著可以偵測下一個晶圓位置處的氦氣泄漏情況，如果氦氣偵測計顯示有氦氣被偵測到，說明此晶圓位置處的氦氣有泄漏，可以暫時將該晶圓的位置記錄。

等到將鋁托盤上的所有晶圓位置處的氦氣泄漏情況記錄完成后，關閉手動閥門，將托盤從偵測裝置上拆卸下來，再將托盤放置在裝片載臺上，拆卸托盤上的石英蓋板，使用裝片工具調整有氦氣泄漏位置的晶圓，調整完成后再次使用托盤裝載晶圓偵測氦氣泄漏裝置，直至托盤上裝載的晶圓位置處都沒有氦氣被偵測到。