[實用新型]一種背凹超減薄晶圓的出片電性測試裝置

有效

• 申請號: 201420000853.0
• 申請日: 2014-01-01
• 公開（公告）號: CN203733763U
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發明（設計）人: 李磊;鄧丹
• 申請（專利權）人: 長沙創芯集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及出片電性測試技術領域，更具體的說，特別涉及一種背凹超減薄晶圓的出片電性測試裝置。

背景技術

超薄芯片是指芯片厚度小于100μm的芯片，目前6英寸的設備只能做到150-180um，其對于120um以下的芯片的破片率超過30%。而在280-350μm厚度的6英寸預減薄晶圓背面中心，減薄出一個5英寸直徑的圓，該圓的內部晶圓達到60-90μm厚度，保留圓外的晶圓材料，支撐晶圓不變形，稱其為背凹超減薄晶圓。

背凹超減薄片基本避免了各種原因造成的內部應力和脆性損傷的問題，但是其是以浪費近28%的晶圓面積和材料為代價，完全避免了減薄破片。由于圓片背面形貌的變化，導致無法進行WAT測試（wafer?accept?test，即出片電性測試），無法校正工藝制程。因此，在加工完成后將直接封測，存在以下幾個問題：一、無法取得晶圓的WAT測試參數，也無法校正工藝制程，導致超減薄區域的合格率僅為70%-80%；二、晶圓直接封測，增加20%-30%的封裝成本，由于無法監控WAT測試參數，容易產生工藝波動，影響成品質量，降低了客戶的滿意度。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種可獲得出片電性測試參數并且封裝成本低、合格率高的背凹超減薄晶圓的出片電性測試裝置。

為了解決以上提出的問題，本實用新型采用的技術方案為：一種背凹超減薄晶圓的出片電性測試裝置，包括測試臺盤，還包括設于測試臺盤上用于對背凹超減薄晶圓進行限位的晶圓限位裝置，設于測試臺盤上對背凹超減薄晶圓背面進行吸附的真空槽，設于測試臺盤內的導腔管道，設于導腔上并與測試臺盤上表面連通的多個孔道，設于導腔管道上的二位三通閥，與二位三通閥連通的真空泵和U型管，以及填充于U型管內的導電材料，并且所述二位三通閥還與真空槽連通。

根據本實用新型的一優選實施例：所述晶圓限位裝置包括設于測試臺盤上的兩個晶圓限位塊。

根據本實用新型的一優選實施例：所述導電材料為水銀。

根據本實用新型的一優選實施例：所述背凹超減薄晶圓的外徑為6英寸，所述真空槽的外徑為5.5英寸，寬度為1mm。

根據本實用新型的一優選實施例：所述孔道的數量為九個，其中一個孔道設置于測試臺盤的中心位置，其中八個孔道均勻設置于以測試臺盤的中心為圓心、半徑為50mm的位置，并且每個孔道的直徑均為1mm。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果在于：

1、本實用新型實現了背凹超減薄晶圓的出片電性測試并獲取測試參數，可用于指導制程的改善，提高了背凹超減薄晶圓的合格率；

2、實現了對不合格的背凹超減薄晶圓事先剔除，降低了封裝成本，同時還避免了工藝波動對產品的影響。

附圖說明

圖1為本實用新型的背凹超減薄晶圓的出片電性測試裝置的側視圖。

圖2為本實用新型的背凹超減薄晶圓的出片電性測試裝置的俯視圖。

附圖標記說明：1、測試臺盤，2、真空槽，3、孔道，4、導腔管道，5、二位三通閥，6、真空泵，7、U型管，8、導電材料，9、背凹超減薄晶圓，10、晶圓限位塊，11、晶圓外輪廓，12、晶圓內輪廓。

具體實施方式

下面結合實施例及附圖對本實用新型作進一步詳細的描述，但本實用新型的實施方式不限于此。

參閱圖1和圖2所示，本實用新型提供一種背凹超減薄晶圓的出片電性測試裝置，包括測試臺盤1，還包括設于測試臺盤1上用于對背凹超減薄晶圓9進行限位的晶圓限位裝置，設于測試臺盤1上對背凹超減薄晶圓9背面進行吸附的真空槽2，設于測試臺盤1內的導腔管道4，設于導腔4上并與測試臺盤1上表面連通的多個孔道3，設于導腔管道4上的二位三通閥5，與二位三通閥5連通的真空泵6和U型管7，以及填充于U型管7內的導電材料8，并且所述二位三通閥5還與真空槽2連通。

在本實用新型中，所述的晶圓限位裝置包括設于測試臺盤1上的兩個晶圓限位塊10，其采用的是特氟龍材料。

在本實用新型中，所述的導電材料8優選為水銀。

在本實用新型中，所述背凹超減薄晶圓9的外徑為6英寸，所述真空槽2的外徑為5.5英寸，寬度為1mm，同時孔道3的數量為九個，其中一個孔道3設置于測試臺盤1的中心位置，其中八個孔道3均勻設置于以測試臺盤1的中心為圓心、半徑為50mm的位置，并且每個孔道3的直徑均為1mm。