[實用新型]一種背凹超減薄晶圓的出片電性測試裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420000853.0 | 申請日： | 2014-01-01 |
| 公開（公告）號： | CN203733763U | 公開（公告）日： | 2014-07-23 |
| 發(fā)明（設計）人： | 李磊;鄧丹 | 申請（專利權）人： | 長沙創(chuàng)芯集成電路有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 410100 湖南省長沙*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 背凹超減薄晶圓 出片電性 測試 裝置 | ||
1.一種背凹超減薄晶圓的出片電性測試裝置，包括測試臺盤（1），其特征在于：還包括設于測試臺盤（1）上用于對背凹超減薄晶圓（9）進行限位的晶圓限位裝置，設于測試臺盤（1）上對背凹超減薄晶圓（9）背面進行吸附的真空槽（2），設于測試臺盤（1）內(nèi)的導腔管道（4），設于導腔（4）上并與測試臺盤（1）上表面連通的多個孔道（3），設于導腔管道（4）上的二位三通閥（5），與二位三通閥（5）連通的真空泵（6）和U型管（7），以及填充于U型管（7）內(nèi)的導電材料（8），并且所述二位三通閥（5）還與真空槽（2）連通。
2.根據(jù)權利要求1所述的背凹超減薄晶圓的出片電性測試裝置，其特征在于：所述晶圓限位裝置包括設于測試臺盤（1）上的兩個晶圓限位塊（10）。
3.根據(jù)權利要求2所述的背凹超減薄晶圓的出片電性測試裝置，其特征在于：所述導電材料（8）為水銀。
4.根據(jù)權利要求2所述的背凹超減薄晶圓的出片電性測試裝置，其特征在于：所述背凹超減薄晶圓（9）的外徑為6英寸，所述真空槽（2）的外徑為5.5英寸，寬度為1mm。
5.根據(jù)權利要求2所述的背凹超減薄晶圓的出片電性測試裝置，其特征在于：所述孔道（3）的數(shù)量為九個，其中一個孔道（3）設置于測試臺盤（1）的中心位置，其中八個孔道（3）均勻設置于以測試臺盤（1）的中心為圓心、半徑為50mm的位置，并且每個孔道（3）的直徑均為1mm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
