[發明專利]生產制造載體的系統和方法在審
| 申請號: | 201410858127.7 | 申請日: | 2014-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN104701191A | 公開(公告)日: | 2015-06-10 |
| 發明(設計)人: | 張家驊 | 申請(專利權)人: | 毅寶力科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/495 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 金曉 |
| 地址: | 中國*** | 國省代碼: | 中國香港;81 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 生產 制造 載體 系統 方法 | ||
相關申請
本申請要求2014年12月06日提交的美國專利申請61/912737的優先權,要求此較早提交的申請的優先權并且通過引用將該較早提交的申請的全部內容并入于此。
發明領域
本發明一般涉及集成電路封裝,以及更具體地涉及用于制造管芯向下倒裝芯片(down?flip)載體的系統和方法。
背景技術
存在各種方法用于形成制造載體。例如,可通過借助于粘合劑層制造使用金屬箔層壓的聚酰亞胺載體來制造,接著圖案化該金屬和選擇性電鍍金屬部分,接著將聚酰亞胺載體層壓到厚金屬片上以形成管芯容腔(receptacle),其中厚金屬片上有與聚酰亞胺載體的開口對準的部分蝕刻腔。因為聚酰亞胺是相對昂貴的,所以制造這樣的載體不是經濟有效的方法。此外,聚酰亞胺是相對薄的,并且為了建立足夠深的容腔以容納半導體器件,需要具有部分蝕刻腔的相對厚的金屬片,并因此需要附加的蝕刻步驟。
發明內容
本發明的目的是提供一種新穎的管芯向下倒裝芯片(die?down?flip)載體及其制造方法,其消除和減輕至少一種現有技術的上述確定的缺點。
這些連同其它方面和優點隨后將是顯而易見,存在于更全面地在下文中描述并要求保護的結構和操作上的細節,參照的附圖構成本發明的一部分,其中相似的標號通篇指代相似的部件。
附圖說明
圖1示出根據一個實施方式的球柵陣列載體的示圖;
圖2示出根據一個實施方式的球柵載體制造方法的流程圖;
圖3示出根據一個實施方式的載體的板;
圖4,包括圖4(a)-(c),示出了根據一個實施方式的板的重復單元;
圖5,包括圖5(a)-(c),示出了根據一個實施方式的板的重復單元;
圖6示出了接合到載體的芯片管芯的截面圖;
圖7,包括圖7(a)-(c),示出了根據一個實施方式的板的重復單元;
圖8,包括圖8(a)-(c),示出了根據一個實施方式的板的重復單元;
圖9,包括圖9(a)-(c),示出了根據一個實施方式的板的重復單元;
圖10,包括圖10(a)-(c),示出了根據一個實施方式的板的重復單元;
圖11,包括圖11(a)-(c),示出了根據一個實施方式的板的重復單元;
圖12,包括圖12(a)-(c),示出了根據一個實施方式的板的重復單元;
圖13,包括圖13(a)-(c),示出了根據一個實施方式的板的重復單元;
圖14,包括圖14(a)-(c),示出了根據一個實施方式的板的重復單元;
圖15,包括圖15(a)-(c),示出了根據一個實施方式的板的重復單元;
圖16,包括圖16(a)-(c),示出了根據一個實施方式的板的重復單元;
圖17,包括圖17(a)-(c),示出了根據一個實施方式的板的重復單元;
圖18,包括圖18(a)-(c),示出了根據一個實施方式的板的重復單元;
圖19,包括圖19(a)-(c),示出了根據一個實施方式的板的重復單元;
圖20,包括圖20(a)-(c),示出了根據一個實施方式的板的重復單元;
圖21示出了根據一個實施方法的板的重復單元;
圖22,包括圖22(a)-(c),示出了根據一個實施方式的板的重復單元;
圖23,包括圖23(a)-(c),示出了根據一個實施方式的板的重復單元;
圖24,包括圖24(a)-(c),示出了根據一個實施方式的板的重復單元;
圖25示出了根據一個實施方法的疊層載體的截面圖;
圖26,包括圖26(a)-(c),示出了根據一個實施方式的板的重復單元;
圖27,包括圖27(a)-(c),示出了根據一個實施方式的板的重復單元;
圖28,包括圖28(a)-(c),示出了根據一個實施方式的板的重復單元;以及
圖29,包括圖29(a)-(c),示出了根據一個實施方式的板的重復單元。
發明內容
圖1示出根據一個實施方式的管芯向下倒裝芯片(down?flip)載體125的底視圖。現在參考圖2,一種制造管芯向下倒裝芯片載體的方法,通常表示為200。應當理解的是,方法200可以被改變,而不必精確地如在此所述執行,并且變化在本領域技術人員所熟知的范圍內。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于毅寶力科技有限公司;,未經毅寶力科技有限公司;許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410858127.7/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種LED穩態測試方法
- 下一篇:散熱片植放方法及裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





