[發(fā)明專利]生產(chǎn)制造載體的系統(tǒng)和方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410858127.7 | 申請日: | 2014-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN104701191A | 公開(公告)日: | 2015-06-10 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張家驊 | 申請(專利權)人: | 毅寶力科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/495 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 金曉 |
| 地址: | 中國*** | 國省代碼: | 中國香港;81 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 生產(chǎn) 制造 載體 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種制造BGA載體的方法,所述方法包括:
組合導電部分和模制的介電部分,所述介電部分具有頂表面,底表面和內(nèi)表面,所述內(nèi)表面與所述頂表面和所述底表面相交,所述內(nèi)表面形成用于容納半導體管芯的腔;
選擇性地將所述半導體管芯接合至所述導電部分的頂表面;
選擇性地蝕刻所述導電部分的一部分;以及
將焊料抗蝕劑施加至所述導電部分的底表面。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法,其中所述介電部分由聚合模制化合物模制。
3.根據(jù)權利要求2所述的方法,其中所述聚合模制化合物包括粘結材料。
4.根據(jù)權利要求2所述的方法,其中所述粘結材料包含填充有無機填料的環(huán)氧樹脂。
5.根據(jù)權利要求4所述的方法,其中所述無機填料包括或者二氧化硅或碳化硅中至少一個或者塑料化合物中的一個。
6.根據(jù)權利要求1所述的方法,其中所述介電部分的內(nèi)表面與所述頂表面和所述底表面正交相交。
7.根據(jù)權利要求1所述的方法,其中所述介電部分的內(nèi)表面與所述頂表面和所述底表面非正交相交。
8.根據(jù)權利要求1所述的方法,其中所述腔的形狀是或者正方形、矩形、三角形、圓形或者不規(guī)則形狀中的一個。
9.根據(jù)權利要求1所述的方法,還包括:選擇性地電鍍所述導電部分的底表面的暴露部分。
10.根據(jù)權利要求9所述的方法,其中所述選擇性地電鍍被成形為形成BGA焊盤。
11.根據(jù)權利要求9所述的方法,其中所述選擇性地電鍍包括將可光成像的電鍍抗蝕劑施加至所述導電部分的底表面,將所述可光成像電鍍抗蝕劑暴露于圖像圖案,顯影所述抗蝕劑,在所述電鍍抗蝕劑的未暴露部分上沉積金屬,并剝離所述電鍍抗蝕劑。
12.根據(jù)權利要求11所述的方法,其中所述金屬是或者銀、鎳/金或者鈀中的一個。
13.根據(jù)權利要求9所述的方法,其中選擇性地蝕刻步驟包括將可光成像抗蝕劑施加到所述導電部分的底表面,將可光成像抗蝕劑暴露于圖像圖案,顯影所述抗蝕劑,并剝離所述抗蝕劑。
14.根據(jù)權利要求1所述的方法,其中按照預定的形狀將焊料抗蝕劑選擇性地施加到所述導電部分的底表面。
15.根據(jù)權利要求14所述的方法,其中所述預定形狀是這樣的:形成BGA焊盤的所述導電部分的區(qū)域被留下暴露在導電部分的底表面處。
16.根據(jù)權利要求15所述的方法,進一步包括使用助焊劑隨后回流將焊料球附接到BGA焊盤,以及去除臨時帶。
17.根據(jù)權利要求15所述的方法,其中
選擇性地將所述半導體管芯接合至所述導電部分的頂表面進一步包括:
將粘合劑層施加到所述介電部分的底表面;
將所述管芯臨時接合到所述腔內(nèi)的粘合劑層的頂表面;
在所述管芯、所述介電部分的內(nèi)表面以及所述粘合劑層之間分配底部填料;以及
去除所述粘合劑層,并且其中
組合導電部分和模制的介電部分還包括:
金屬化所述模制的介電部分的底表面以及所述底部填料的底表面,以形成所述導電部分。
18.根據(jù)權利要求17所述的方法,還包括和固化所述底部填料。
19.根據(jù)權利要求17所述的方法,其中所述粘合劑層包含或者熱固性環(huán)氧樹脂或者膜中的一個。
20.根據(jù)權利要求17所述的方法,還包括將散熱器施加至所述粘合劑層。
21.根據(jù)權利要求17所述的方法,其中所述管芯的臨時接合包括以下之一:用芯片連接附接所述管芯;以及將所述管芯直接附接到所述粘合劑層,將包括引線接合焊盤的管芯也暫時附接于所述粘合劑層。
22.根據(jù)權利要求17所述的方法,其中金屬化包括濺射金屬籽晶層和浸漬金屬電鍍中的一個。
23.根據(jù)權利要求22所述的方法,還包括金屬化之后選擇性地電鍍所述導電部分的底表面。
24.根據(jù)權利要求10所述的方法,其中所述介電部分包括多個接觸腔。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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