[發明專利]高多層半導體測試板的鉆孔方法

有效

• 申請號: 201410857323.2
• 申請日: 2014-12-31
• 公開（公告）號: CN104608265A
• 公開（公告）日: 2015-05-13
• 發明（設計）人: 李艷國;史宏宇;李娟
• 申請（專利權）人: 廣州興森快捷電路科技有限公司;宜興硅谷電子科技有限公司;深圳市興森快捷電路科技股份有限公司
• 主分類號: B28D5/02
• 分類號: B28D5/02
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 吳平

技術領域

本發明涉及半導體領域，特別是涉及一種高多層半導體測試板的鉆孔方法。

背景技術

半導體測試板主要用于測試芯片和未封裝的晶圓，用于滿足集成電路(integrated?circuit，IC)測試需求。BGA封裝是集成電路采用有機載板的一種封裝法。BGA間距越來越小，0.4mm?Pitch的細間距球柵陣列產品(Fine-Pitch?Ball?Grid?Array，FBGA)已成為當前主流設計。該設計特點是內層信號層在兩孔間走線，孔與不同網絡的走線的距離小于等于。目前測試板的一般鉆孔方法步驟如下：1、首先壓合出測試板；2、在測試板的邊緣沖出2個定位孔和1個方向孔；3、根據測量板邊內層靶標的變形比例，相應地拉伸一個均值拉伸鉆帶文件；4、通過使用板邊定位孔，取均值拉伸鉆帶文件把板內孔全部鉆出。上述方法的缺陷在于采用板邊孔進行整體對位，局部對位效果差，容易鉆到內層信號線引起短路報廢。

發明內容

基于此，有必要提供一種對位精度較高的高多層半導體測試板的鉆孔方法。

一種高多層半導體測試板的鉆孔方法，包括：

提供基板；

將所述基板分成多個等份，得到多個全等的鉆孔區；

在每個鉆孔區內以等間距方式布設多個對位標，所述對位標在水平和垂直方向分別對齊設置；

在每個對位標上對應放置一個第一銅盤，經曝光和蝕刻去除每個第一銅盤的部分區域，得到第一定位環和位于所述第一定位環內的第一圓板；

對每個鉆孔區的每個第一圓板進行沖孔得到多個通孔，所述通孔的孔徑小于所述第一圓板的徑長；及

采取CCD抓取定位進行分區對位鉆孔。

在其中一個實施例中，還包括：

沿所述基板的邊緣設置多個定位標；

在每個定位標上對應放置一個第二銅盤，并經曝光和蝕刻去除每個第二銅盤的部分區域，得到第二定位環和位于所述第二定位環內的第二圓板；

對每個第二圓板進行沖孔得到多個定位孔；

在其中一個定位標的旁邊設置一個防呆標；

在所述防呆標上對應放置一個第三銅盤，并經曝光和蝕刻去除所述第三銅盤的部分區域，得到第三定位環和位于所述第三定位環內的第三圓板；及

對所述第三圓板進行沖孔得到防呆孔；

其中，所述定位孔的孔徑小于所述第二圓板的徑長，所述防呆孔的孔徑小于所述第三圓板的徑長。

在其中一個實施例中，所述第二定位環、所述第二定位環內的所述第二圓板及與所述第二圓板對應的所述定位孔為同心圓；所述第三定位環、所述第三圓板及所述防呆孔為同心圓。

在其中一個實施例中，所述鉆孔區為正方形，所述對位標為圓形，所述對位標位于所述鉆孔區的頂點處，每個對位標與所述鉆孔區的兩條鄰邊相切。

在其中一個實施例中，所述第一定位環、所述第一定位環內的所述第一圓板及與所述第一圓板對應的所述通孔為同心圓。

在其中一個實施例中，所述第一定位環、所述第二定位環及所述第三定位環的直徑相同。

在其中一個實施例中，所述第一定位環、所述第二定位環及所述第三定位環的直徑為5mil～10mil。

在其中一個實施例中，所述第一圓板的直徑比所述通孔的孔徑大4～8mil，所述第二圓板的直徑比所述定位孔的孔徑大4～8mil，所述第三圓板的直徑比所述防呆孔的孔徑大4～8mil。

在其中一個實施例中，所述通孔、所述定位孔及所述防呆孔的孔徑相同。

在其中一個實施例中，所述高多層半導體測試板為0.4mm～0.55mm?Pitch高多層半導體測試板。

在上述高多層半導體測試板的鉆孔方法中，將基板整體分割成多個全等的鉆孔區，然后在每個鉆孔區上設置多個對位標，在對位標上進行沖孔，由于對位標在橫軸方向和縱軸方向對齊設置，根據對位標進行沖孔得到對位進度較高的通孔，在此基礎上采取CCD抓取定位進行分區對位鉆孔。通過提高局部對位精度進一步提高整體對位精度，使高多層半導體測試板對位精度較高。同時，采用上述方法減少材料變形對測試板的影響。采用此方法可將高多層半導體測試板的良率提高20％以上。

附圖說明

圖1為一實施方式的高多層半導體測試板的鉆孔方法的流程圖；

圖2為一實施方式的高多層半導體測試板鉆孔前的結構示意圖；

圖3為圖2所示的高多層半導體測試板沖孔前的局部放大示意圖；

圖4為圖2所示的高多層半導體測試板沖孔后的局部放大示意圖；