[發(fā)明專利]高多層半導(dǎo)體測試板的鉆孔方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410857323.2
• 申請(qǐng)日: 2014-12-31
• 公開（公告）號(hào): CN104608265A
• 公開（公告）日: 2015-05-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李艷國;史宏宇;李娟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣州興森快捷電路科技有限公司;宜興硅谷電子科技有限公司;深圳市興森快捷電路科技股份有限公司
• 主分類號(hào): B28D5/02
• 分類號(hào): B28D5/02
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 吳平

1.一種高多層半導(dǎo)體測試板的鉆孔方法，其特征在于，包括：

提供基板；

將所述基板分成多個(gè)等份，得到多個(gè)全等的鉆孔區(qū)；

在每個(gè)鉆孔區(qū)內(nèi)以等間距方式布設(shè)多個(gè)對(duì)位標(biāo)，所述對(duì)位標(biāo)在水平和垂直方向分別對(duì)齊設(shè)置；

在每個(gè)對(duì)位標(biāo)上對(duì)應(yīng)放置一個(gè)第一銅盤，經(jīng)曝光和蝕刻去除每個(gè)第一銅盤的部分區(qū)域，得到第一定位環(huán)和位于所述第一定位環(huán)內(nèi)的第一圓板；

對(duì)每個(gè)鉆孔區(qū)的每個(gè)第一圓板進(jìn)行沖孔得到多個(gè)通孔，所述通孔的孔徑小于所述第一圓板的徑長；及

采取CCD抓取定位進(jìn)行分區(qū)對(duì)位鉆孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高多層半導(dǎo)體測試板的鉆孔方法，其特征在于，還包括：

沿所述基板的邊緣設(shè)置多個(gè)定位標(biāo)；

在每個(gè)定位標(biāo)上對(duì)應(yīng)放置一個(gè)第二銅盤，并經(jīng)曝光和蝕刻去除每個(gè)第二銅盤的部分區(qū)域，得到第二定位環(huán)和位于所述第二定位環(huán)內(nèi)的第二圓板；

對(duì)每個(gè)第二圓板進(jìn)行沖孔得到多個(gè)定位孔；

在其中一個(gè)定位標(biāo)的旁邊設(shè)置一個(gè)防呆標(biāo)；

在所述防呆標(biāo)上對(duì)應(yīng)放置一個(gè)第三銅盤，并經(jīng)曝光和蝕刻去除所述第三銅盤的部分區(qū)域，得到第三定位環(huán)和位于所述第三定位環(huán)內(nèi)的第三圓板；及

對(duì)所述第三圓板進(jìn)行沖孔得到防呆孔；

其中，所述定位孔的孔徑小于所述第二圓板的徑長，所述防呆孔的孔徑小于所述第三圓板的徑長。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高多層半導(dǎo)體測試板的鉆孔方法，其特征在于，所述第二定位環(huán)、所述第二定位環(huán)內(nèi)的所述第二圓板及與所述第二圓板對(duì)應(yīng)的所述定位孔為同心圓；所述第三定位環(huán)、所述第三圓板及所述防呆孔為同心圓。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高多層半導(dǎo)體測試板的鉆孔方法，其特征在于，所述鉆孔區(qū)為正方形，所述對(duì)位標(biāo)為圓形，所述對(duì)位標(biāo)位于所述鉆孔區(qū)的頂點(diǎn)處，每個(gè)對(duì)位標(biāo)與所述鉆孔區(qū)的兩條鄰邊相切。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高多層半導(dǎo)體測試板的鉆孔方法，其特征在于，所述第一定位環(huán)、所述第一定位環(huán)內(nèi)的所述第一圓板及與所述第一圓板對(duì)應(yīng)的所述通孔為同心圓。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高多層半導(dǎo)體測試板的鉆孔方法，其特征在于，所述第一定位環(huán)、所述第二定位環(huán)及所述第三定位環(huán)的直徑相同。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高多層半導(dǎo)體測試板的鉆孔方法，其特征在于，所述第一定位環(huán)、所述第二定位環(huán)及所述第三定位環(huán)的直徑為5mil～10mil。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高多層半導(dǎo)體測試板的鉆孔方法，其特征在于，所述第一圓板的直徑比所述通孔的孔徑大4～8mil，所述第二圓板的直徑比所述定位孔的孔徑大4～8mil，所述第三圓板的直徑比所述防呆孔的孔徑大4～8mil。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高多層半導(dǎo)體測試板的鉆孔方法，其特征在于，所述通孔、所述定位孔及所述防呆孔的孔徑相同。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高多層半導(dǎo)體測試板的鉆孔方法，其特征在于：所述高多層半導(dǎo)體測試板為0.4mm～0.55mm?Pitch高多層半導(dǎo)體測試板。