[發明專利]高多層半導體測試板的鉆孔方法

有效

• 申請號: 201410857323.2
• 申請日: 2014-12-31
• 公開（公告）號: CN104608265A
• 公開（公告）日: 2015-05-13
• 發明（設計）人: 李艷國;史宏宇;李娟
• 申請（專利權）人: 廣州興森快捷電路科技有限公司;宜興硅谷電子科技有限公司;深圳市興森快捷電路科技股份有限公司
• 主分類號: B28D5/02
• 分類號: B28D5/02
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 吳平

1.一種高多層半導體測試板的鉆孔方法，其特征在于，包括：

提供基板；

將所述基板分成多個等份，得到多個全等的鉆孔區；

在每個鉆孔區內以等間距方式布設多個對位標，所述對位標在水平和垂直方向分別對齊設置；

在每個對位標上對應放置一個第一銅盤，經曝光和蝕刻去除每個第一銅盤的部分區域，得到第一定位環和位于所述第一定位環內的第一圓板；

對每個鉆孔區的每個第一圓板進行沖孔得到多個通孔，所述通孔的孔徑小于所述第一圓板的徑長；及

采取CCD抓取定位進行分區對位鉆孔。

2.根據權利要求1所述的高多層半導體測試板的鉆孔方法，其特征在于，還包括：

沿所述基板的邊緣設置多個定位標；

在每個定位標上對應放置一個第二銅盤，并經曝光和蝕刻去除每個第二銅盤的部分區域，得到第二定位環和位于所述第二定位環內的第二圓板；

對每個第二圓板進行沖孔得到多個定位孔；

在其中一個定位標的旁邊設置一個防呆標；

在所述防呆標上對應放置一個第三銅盤，并經曝光和蝕刻去除所述第三銅盤的部分區域，得到第三定位環和位于所述第三定位環內的第三圓板；及

對所述第三圓板進行沖孔得到防呆孔；

其中，所述定位孔的孔徑小于所述第二圓板的徑長，所述防呆孔的孔徑小于所述第三圓板的徑長。

3.根據權利要求2所述的高多層半導體測試板的鉆孔方法，其特征在于，所述第二定位環、所述第二定位環內的所述第二圓板及與所述第二圓板對應的所述定位孔為同心圓；所述第三定位環、所述第三圓板及所述防呆孔為同心圓。

4.根據權利要求1所述的高多層半導體測試板的鉆孔方法，其特征在于，所述鉆孔區為正方形，所述對位標為圓形，所述對位標位于所述鉆孔區的頂點處，每個對位標與所述鉆孔區的兩條鄰邊相切。

5.根據權利要求1所述的高多層半導體測試板的鉆孔方法，其特征在于，所述第一定位環、所述第一定位環內的所述第一圓板及與所述第一圓板對應的所述通孔為同心圓。

6.根據權利要求1所述的高多層半導體測試板的鉆孔方法，其特征在于，所述第一定位環、所述第二定位環及所述第三定位環的直徑相同。

7.根據權利要求1所述的高多層半導體測試板的鉆孔方法，其特征在于，所述第一定位環、所述第二定位環及所述第三定位環的直徑為5mil～10mil。

8.根據權利要求1所述的高多層半導體測試板的鉆孔方法，其特征在于，所述第一圓板的直徑比所述通孔的孔徑大4～8mil，所述第二圓板的直徑比所述定位孔的孔徑大4～8mil，所述第三圓板的直徑比所述防呆孔的孔徑大4～8mil。

9.根據權利要求1所述的高多層半導體測試板的鉆孔方法，其特征在于，所述通孔、所述定位孔及所述防呆孔的孔徑相同。

10.根據權利要求1所述的高多層半導體測試板的鉆孔方法，其特征在于：所述高多層半導體測試板為0.4mm～0.55mm?Pitch高多層半導體測試板。