[發明專利]無芯板制造方法有效
| 申請號: | 201410856829.1 | 申請日: | 2014-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN104538320B | 公開(公告)日: | 2018-07-20 |
| 發明(設計)人: | 張志強;李志東;謝添華 | 申請(專利權)人: | 廣州興森快捷電路科技有限公司;宜興硅谷電子科技有限公司;深圳市興森快捷電路科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/58 | 分類號: | H01L21/58 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 吳平 |
| 地址: | 510663 廣東省廣州市廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 無芯板 制造 方法 | ||
一種無芯板制造方法,包括:提供支撐載體;在支撐載體上積層壓合內層銅箔,各內層銅箔層之間設有內半固化片,然后在外半固化片外側設置外層銅箔并制成無芯板;其中,壓合內層銅箔與內半固化片的壓合最高溫度為140~180℃;把無芯板從支撐載體分離。采用本申請的無芯板制造方法,在壓合過程中,內半固化片與內層銅箔采用預壓合,外層采用全壓合,壓合溫度與壓合時間均提高。與常規的壓合相比,采用本方案中的壓合參數壓合后的內半固化片固化程度只占常規參數的70~95%,在最終外層的壓合過程再采用全壓合參數進行壓合,降低各內層半固化片整體的殘留應力,降低無芯板的翹曲。
技術領域
本發明涉及無芯板技術領域,特別是涉及一種無芯板制造方法。
背景技術
隨著半導體封裝產品朝高性能、薄型化及低成本方向發展,催生了無芯薄基板技術;由于無芯板太薄,會遇到較嚴重的翹曲問題,制作過程中容易造成板損、卡板報廢的問題。
發明內容
基于此,有必要針對翹曲問題,提供一種無芯板制造方法。
一種無芯板制造方法,包括:提供支撐載體;在支撐載體上積層壓合內層銅箔,各內層銅箔層之間設有內半固化片,然后在外半固化片外側設置外層銅箔并制成無芯板;其中,壓合內層銅箔與內半固化片的壓合最高溫度為140~180℃;把無芯板從支撐載體分離。
在其中一個實施例中,壓合內層銅箔與內半固化片的壓合時間為60min~100min。
在其中一個實施例中,壓合內層銅箔與內半固化片的最高壓力值在30~50kgf/cm2。
在其中一個實施例中,壓合外半固化片與外層銅箔的最高溫度為220~260℃。
在其中一個實施例中,壓合外半固化片與外層銅箔的壓合時間大于110min。
在其中一個實施例中,壓合外半固化片與外層銅箔的最高壓力值在30~50kgf/cm2。
在其中一個實施例中,所述把無芯板從支撐載體分離的步驟之后還包括:還包括對載體銅箔進行減銅。
采用本申請的無芯板制造方法,在壓合過程中,內半固化片與內層銅箔采用預壓合,外層采用全壓合,壓合溫度與壓合時間均提高。與常規的壓合相比,采用本方案中的壓合參數壓合后的內半固化片固化程度只占常規參數的70~95%,在最終外層的壓合過程再采用全壓合參數進行壓合,降低各內層半固化片整體的殘留應力,降低無芯板的翹曲。
附圖說明
圖1為本發明提出的無芯板制造構件結構示意圖;
圖2為一種實施例中的支撐載體結構示意圖;
圖3為圖1中無芯板結構圖;
圖4為圖1中外層銅箔的圖案示意圖;
圖5為圖1中內層銅箔的圖案示意圖;
圖6為圖1中玻纖結構示意圖;
圖7為一種實施例中的雙層玻纖結構示意圖;
圖8為本發明提出的制造方法流程圖;
圖9為一種實施例中的制造方法流程圖;
圖10為另一種實施例中的制造方法流程圖;
圖11為定位孔設計示意圖。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





