[發(fā)明專利]無芯板制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410856829.1 | 申請日： | 2014-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN104538320B | 公開（公告）日： | 2018-07-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張志強;李志東;謝添華 | 申請（專利權(quán)）人： | 廣州興森快捷電路科技有限公司;宜興硅谷電子科技有限公司;深圳市興森快捷電路科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/58 | 分類號： | H01L21/58 |
| 代理公司： | 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 吳平 |
| 地址： | 510663 廣東省廣州市廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 無芯板 制造 方法 | ||
1.一種無芯板制造方法，包括：
提供支撐載體；
在支撐載體上積層壓合內(nèi)層銅箔，各內(nèi)層銅箔層之間設(shè)有內(nèi)半固化片，然后在外半固化片外側(cè)設(shè)置外層銅箔并制成無芯板；其中，壓合內(nèi)層銅箔與內(nèi)半固化片的壓合最高溫度為140～180℃；所述內(nèi)半固化片、外半固化片兩者均包括樹脂和玻纖層，所述內(nèi)半固化片中玻纖層的厚度為10～25μm、且樹脂的含量超過75％；所述外半固化片中玻纖層的厚度至少比所述內(nèi)半固化片中玻纖的厚度大8μm、且所述外半固化片中樹脂的含量小于65％；
把無芯板從支撐載體分離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無芯板制造方法，其特征在于，壓合內(nèi)層銅箔與內(nèi)半固化片的壓合時間為60min～100min。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的無芯板制造方法，其特征在于，壓合內(nèi)層銅箔與內(nèi)半固化片的最高壓力值在30～50kgf/cm2。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的無芯板制造方法，其特征在于，壓合外半固化片與外層銅箔的最高溫度為220～260℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的無芯板制造方法，其特征在于，壓合外半固化片與外層銅箔的壓合時間大于110min。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的無芯板制造方法，其特征在于，壓合外半固化片與外層銅箔的最高壓力值在30～50kgf/cm2。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6任意一項所述的無芯板制造方法，其特征在于，所述把無芯板從支撐載體分離的步驟之后還包括：還包括對載體銅箔進行減銅。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
