[發明專利]半導體存儲器件及其操作方法

有效

• 申請號: 201410855853.3
• 申請日: 2014-12-31
• 公開（公告）號: CN105047226B
• 公開（公告）日: 2020-02-07
• 發明（設計）人: 趙善基
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C17/16
• 分類號: G11C17/16;G11C17/18
• 代理公司: 11002 北京路浩知識產權代理有限公司
• 代理人: 張晶;王瑩

本發明涉及一種半導體存儲器件，其包括：熔絲陣列塊，其包括利用狀態信息編程的多個熔絲；操作方向控制塊，其適于控制所述熔絲陣列塊的編程操作方向和啟動操作方向；以及熔絲信息載入塊，其適于通過所述啟動操作載入在所述多個熔絲陣列塊的熔絲中被編程的所述狀態信息。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2014年4月24日提交的申請號為10-2014-0049282的韓國專利申請的優先權，該韓國專利申請以參閱方式全文并入本申請。

技術領域

本發明的示意性實施例涉及半導體設計技術，更具體地，涉及用于存儲各種狀態信息的半導體存儲器件。

背景技術

通常，諸如雙倍數據速率同步動態隨機訪問存儲器(DDR SDRAM)的半導體存儲器件包括用于存儲其狀態信息的電路。狀態信息表示半導體存儲器件的特性值。多個半導體存儲器件必須了解他們自己的特性值從而根據相同的標準來操作。狀態信息可以由測試操作等獲得，并且熔絲可以用作用于存儲狀態信息的電路。

下文中，一系列用于在熔絲中存儲狀態信息的操作被稱為編程操作。用于在熔絲中編程狀態信息的方法主要被分成物理方案和電氣方案。

物理方案是基于要被編程的狀態信息通過使用激光束并利用激光束熔斷熔絲而切斷熔絲。在物理方案中使用的熔絲被稱為物理型熔絲。由于激光束用來切斷熔絲的連接狀態，熔絲也被稱作激光熔斷型熔絲。物理型熔絲僅在半導體存儲器件被封裝之前的晶片階段可以被編程。

電氣方案通過基于要被編程的狀態信息將過流應用于熔絲而改變熔絲的連接狀態。在電氣方案中使用的熔絲被稱為電氣型熔絲。電氣型熔絲可以被分成反熔絲(anti-type fuse)和熔斷型熔絲。當被編程時，反熔絲從開路狀態(open state)變成閉路狀態(short state)，熔斷型熔絲從閉路狀態變為開路狀態。在電氣型熔絲的情況下，不像物理型熔絲，編程操作甚至可以在封裝階段執行。因此，電氣型熔絲被認為在設計半導體存儲器件時是必要部件。

由于需要半導體存儲器件來執行不同的操作，半導體存儲器件被設計為執行許多功能。半導體存儲器件的功能的數量增加表示用于存儲各功能的狀態信息的熔絲的數量增加。已經提出一種熔絲陣列電路以更有效地管理大量熔絲。

圖1是例示典型的半導體存儲器件的結構的一部分的框圖。為了描述簡單，描述的示例為半導體存儲器件包括采用電氣方案的熔絲陣列電路(參見圖1中的130)。

參照圖1，半導體存儲器件包括命令解碼塊110、控制信息生成塊120、熔絲陣列塊130和熔絲信息載入塊140。

命令解碼塊110解碼命令信號CMD并且生成內部命令信號，例如編程命令信號CMD_PRG和啟動命令信號CMD_BTU。下面描述編程命令信號CMD_PRG和啟動命令信號DMD_BYU。

控制信號生成塊120響應于編程命令信號CMD_PRG生成對應于狀態信息INF_ST的編程控制信號CTR_PRG。狀態信息INF_ST可以被提供為具有關于半導體存儲器件的特性值的信息的信號，該信號通過測試操作等獲得。編程控制信號CTR_PRG是用于基于狀態信息INF_ST改變包括在熔絲陣列塊130中的熔絲的連接狀態的信號。

熔絲陣列塊130響應于編程控制信號CTR_PRG執行編程操作。編程控制信號CTR_PRG對應于如上所述的狀態信息INF_ST。由于這個原因，狀態信息INF_ST在熔絲陣列塊130中被編程。然后，熔絲陣列塊130響應于啟動命令信號CMD_BTU輸出被編程的狀態信息。

熔絲信息載入塊140接收并存儲在熔絲陣列塊130中被編程的狀態信息，并且在半導體存儲器件的正常操作期間，存儲的狀態信息用于多種用途。

下文描述一種用于控制熔絲陣列電路的方法。

發明內容