[發明專利]半導體存儲器件及其操作方法

有效

• 申請號: 201410855853.3
• 申請日: 2014-12-31
• 公開（公告）號: CN105047226B
• 公開（公告）日: 2020-02-07
• 發明（設計）人: 趙善基
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C17/16
• 分類號: G11C17/16;G11C17/18
• 代理公司: 11002 北京路浩知識產權代理有限公司
• 代理人: 張晶;王瑩

1.一種半導體存儲器件，其包括：

熔絲陣列塊，其包括利用狀態信息編程的多個熔絲；

操作方向控制塊，其適于控制所述熔絲陣列塊的編程操作方向和啟動操作方向；以及

熔絲信息載入塊，其適于通過啟動操作載入在所述熔絲陣列塊的多個熔絲中被編程的所述狀態信息。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中所述操作方向控制塊包括：

編程順序控制塊，其適于控制所述熔絲陣列塊的所述編程操作方向；和

啟動順序控制塊，其適于控制所述熔絲陣列塊的所述啟動操作方向。

3.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，進一步包括：

命令解碼塊，其適于解碼命令信號并且生成對應于所述熔絲陣列塊的編程操作和啟動操作的內部命令信號；和

控制信號生成塊，其適于生成用于改變所述熔絲的連接狀態的編程控制信號，并且響應于所述狀態信息將所述編程控制信號應用于所述操作方向控制塊。

4.根據權利要求2所述的半導體存儲器件，其中所述編程順序控制塊接收編程控制信號，并且以基于所述編程操作方向確定的順序將所述編程控制信號順序地應用于在所述熔絲中的編程目標熔絲。

5.根據權利要求2所述的半導體存儲器件，其中所述熔絲陣列塊以基于所述啟動順序控制塊的輸出信號確定的順序來順序地輸出在所述熔絲中被編程的所述狀態信息。

6.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中所述編程操作方向與所述啟動操作方向相反。

7.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中所述熔絲陣列塊被分成第一熔絲陣列塊和第二熔絲陣列塊，并且所述操作方向控制塊控制所述第一熔絲陣列塊和所述第二熔絲陣列塊的編程操作方向和啟動操作方向。

8.根據權利要求7所述的半導體存儲器件，其中所述第一熔絲陣列塊和所述第二熔絲陣列塊可以基于在其中被編程的所述狀態信息的種類彼此區分。

9.一種半導體存儲器件，其包括：

熔絲陣列塊，其包括利用修復目標地址信息編程的多個熔絲；

編程順序控制塊，其適于控制所述熔絲陣列塊的編程操作方向；

啟動順序控制塊，其適于將所述熔絲陣列塊的啟動操作方向控制為沿與所述編程操作方向相反的方向；以及

熔絲信息載入塊，其適于通過啟動操作載入在所述熔絲陣列塊的所述多個熔絲中被編程的所述修復目標地址信息。

10.根據權利要求9所述的半導體存儲器件，進一步包括：

數據比較塊，其適于通過所述啟動操作將在所述熔絲信息載入塊上載入的修復目標地址與從所述熔絲陣列塊輸出的修復目標地址進行比較并且生成操作控制信號。

11.根據權利要求10所述的半導體存儲器件，其中所述啟動順序控制塊控制是否響應于所述操作控制信號而執行所述啟動操作。

12.根據權利要求9所述的半導體存儲器件，其中所述熔絲陣列塊在所述啟動操作期間按照與所述修復目標地址信息在所述多個熔絲中被編程的方式相反的順序輸出所述修復目標地址信息。

13.根據權利要求10所述的半導體存儲器件，其中在所述熔絲信息載入塊中載入的所述修復目標地址用于所述半導體存儲器件的修復操作。