[發(fā)明專利]分柵式閃存及其制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410854942.6 | 申請(qǐng)日： | 2014-12-30 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN104465664A | 公開（公告）日： | 2015-03-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉憲周 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/115 | 分類號(hào)： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 董世蕊;駱蘇華 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 分柵式 閃存 及其 制作方法 | ||
1.一種分柵式閃存，其特征在于，包括：
半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底中具有間隔設(shè)置的源線和位線；
字線，設(shè)置于所述源線和所述位線之間的半導(dǎo)體襯底上；
第一存儲(chǔ)位單元，位于所述字線和所述源線之間的半導(dǎo)體襯底上，所述第一存儲(chǔ)位單元從下至上依次包括：第一浮柵介質(zhì)層、第一浮柵、第一控制柵介質(zhì)層、第一控制柵、第一阻擋層和第一硅化鎢層；
第二存儲(chǔ)位單元，位于所述字線和所述位線之間的半導(dǎo)體襯底上，所述第二存儲(chǔ)位單元從下至上依次包括：第二浮柵介質(zhì)層、第二浮柵、第二控制柵介質(zhì)層、第二控制柵、第二阻擋層和第二硅化鎢層；
隧穿氧化層，位于所述字線與所述半導(dǎo)體襯底、所述字線與所述第一存儲(chǔ)位單元之間以及所述字線與所述第二存儲(chǔ)位之間；
三個(gè)金屬硅化層，分別設(shè)置于所述源線上、所述位線上和所述字線上；
五個(gè)金屬插塞，分別設(shè)置于所述第一硅化鎢層上、所述第二硅化鎢層上以及三個(gè)所述金屬硅化層上。
2.如權(quán)利要求1所述的分柵式閃存，其特征在于，所述第一阻擋層和所述第二阻擋層為氮化鎢。
3.如權(quán)利要求1或2所述的分柵式閃存，其特征在于，所述第一阻擋層的厚度范圍包括：100埃～300埃，所述第二阻擋層的厚度范圍包括：100埃～300埃。
4.如權(quán)利要求1所述的分柵式閃存，其特征在于，所述第一硅化鎢的厚度范圍包括：500?！?00埃，所述第二硅化鎢的厚度范圍包括：500埃～600埃。
5.如權(quán)利要求1所述的分柵式閃存，其特征在于，所述金屬硅化層的材料包括硅化鈷、硅化鎳、硅化鈦和硅化鎢中的一種或多種。
6.一種分柵式閃存的制作方法，其特征在于，包括：
提供半導(dǎo)體襯底；
在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成浮柵介質(zhì)材料層、浮柵材料層、控制柵介質(zhì)材料層、控制柵材料層、阻擋材料層和硅化鎢材料層；
在所述硅化鎢材料層上形成具有開口的硬掩膜層，并在所述開口內(nèi)形成覆蓋所述硬掩膜層側(cè)壁的第一側(cè)墻；
以所述第一側(cè)墻和所述硬掩膜層為掩模，依次刻蝕所述硅化鎢材料層、所述阻擋材料層、所述控制柵材料層和所述控制柵介質(zhì)材料層直至露出所述浮柵材料層的部分上表面，形成第一凹槽；
在所述第一凹槽的側(cè)壁上形成第二側(cè)墻；
以所述硬掩膜層、所述第一側(cè)墻和所述第二側(cè)墻為掩模，依次刻蝕所述浮柵材料層和所述浮柵介質(zhì)材料層直至露出所述半導(dǎo)體襯底的部分上表面，形成第二凹槽；
在所述第二凹槽的內(nèi)壁表面形成隧穿氧化層；
在所述隧穿氧化層上形成填充滿所述第二凹槽的字線；
依次去除所述硬掩膜層以及位于所述硬掩膜層下的硅化鎢材料層、阻擋材料層、控制柵材料層、控制柵介質(zhì)材料層、浮柵材料層和浮柵介質(zhì)材料層，形成位于所述字線兩側(cè)的第一存儲(chǔ)位單元和第二存儲(chǔ)位單元；
在所述第一存儲(chǔ)位單元遠(yuǎn)離所述字線一側(cè)的半導(dǎo)體襯底中進(jìn)行離子注入以形成源線，并在所述第二存儲(chǔ)位單元遠(yuǎn)離所述字線一側(cè)的半導(dǎo)體襯底中進(jìn)行離子注入以形成位線；
在所述源線上、所述位線上和所述字線上分別形成金屬硅化層；
在所述金屬硅化層和剩余的所述硅化鎢材料層上分別形成金屬插塞。
7.如權(quán)利要求6所述的分柵式閃存的制作方法，其特征在于，采用化學(xué)氣相沉積工藝或原子層沉積工藝形成所述硅化鎢材料層。
8.如權(quán)利要求6或7所述的分柵式閃存的制作方法，其特征在于，所述硅化鎢材料層的厚度范圍包括：500埃～600埃。
9.如權(quán)利要求6所述的分柵式閃存的制作方法，其特征在于，采用化學(xué)氣相沉積工藝或原子層沉積工藝形成所述阻擋材料層，所述阻擋材料層為氮化鎢，所述阻擋材料層的厚度范圍包括：100?！?00埃。
10.如權(quán)利要求6所述的分柵式閃存的制作方法，其特征在于，所述金屬硅化層的材料包括硅化鈷、硅化鎳、硅化鈦和硅化鎢中的一種或多種。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
