[發(fā)明專利]一種像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)、陣列及其控制方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410854189.0
• 申請日: 2014-12-31
• 公開（公告）號(hào): CN104486565B
• 公開（公告）日: 2019-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙立新;喬勁軒;李敏蘭
• 申請（專利權(quán)）人: 格科微電子（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H04N5/374
• 分類號(hào): H04N5/374
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 潘彥君;駱蘇華

一種像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)、陣列及其控制方法，所述像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)包括：第一NMOS管、第二NMOS管、光電傳感器、電流源；所述第一NMOS管的漏極選擇性連接至第一電壓或第二電壓，所述第一NMOS管柵極選擇性連接至第三電壓或第四電壓，所述第一NMOS管源極連接至所述第二NMOS管的柵極以及所述光電傳感器；所述第二NMOS管的漏極連接至所述第三電壓，所述第二NMOS管的源極連接至所述電流源，所述第二NMOS管的源極選擇性連接至第三電壓或所述像素點(diǎn)輸出端。所述像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)可以用來穩(wěn)定第三電壓。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電子領(lǐng)域，尤其涉及一種像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)、陣列及其控制方法。

背景技術(shù)

包含像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)的圖像處理芯片為獲得穩(wěn)定的參考電壓，通常需要外接一個(gè)大電容作為負(fù)載。但通過在圖像處理芯片外部接大電容的方式來穩(wěn)定參考電壓，需要增加一個(gè)大電容，占用空間較大，穩(wěn)壓效果受到芯片封裝產(chǎn)生的電感的影響，參考電壓的穩(wěn)定性依然有待提高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例解決的問題是如何穩(wěn)定參考電壓。

為解決上述問題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)，包括：第一NMOS管、第二NMOS管、光電傳感器、電流源；

所述第一NMOS管的漏極選擇性連接至第一電壓或第二電壓，所述第一NMOS管柵極選擇性連接至第三電壓或第四電壓，所述第一NMOS管源極連接至所述第二NMOS管的柵極以及所述光電傳感器；

所述第二NMOS管的漏極連接至所述第三電壓，所述第二NMOS管的源極連接至所述電流源，所述第二NMOS管的源極選擇性連接至第三電壓或所述像素點(diǎn)輸出端。

可選的，所述傳感器包括光敏二極管，所述光敏二極管陰極連接至所述第一NMOS管的源極。

可選的，所述第一電壓低于所述第二電壓。

可選的，所述第一電壓范圍是0V-1V。

可選的，其特征在于，所述第二電壓范圍是3V-4V。

可選的，所述第三電壓包括：基準(zhǔn)電壓。

可選的，所述第四電壓包括：復(fù)位電壓。

可選的，所述電流源包括：第三NMOS管、第四NMOS管；

所述第三NMOS管的漏極連接至所述第二NMOS管的源極，所述第三NMOS管的源極連接至所述第四NMOS管的漏極，所述第三NMOS管的柵極連接到第五電壓；

所述第四NMOS管的柵極連接至第六電壓，所述第四NMOS管的源極連接至第七電壓。

可選的，所述第五電壓、第六電壓包括：由基本的偏置電壓產(chǎn)生電路產(chǎn)生的控制電壓。

可選的，所述第七電壓包括：地。

可選的，所述的、像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)、還包括：第五NMOS管，所述第五NMOS管連接在所述第一NMOS管的源極與所述光電傳感器之間；

所述第五NMOS管的漏極連接至所述第一NMOS管的源極，所述第五NMOS管的源極連接至所述光電傳感器，所述第五NMOS管的柵極連接至第八電壓。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)的控制方法，包括：

所述像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定所述第三電壓時(shí)，所述第一NMOS管的漏接連接至所述第一電壓，所述第一NMOS管柵極連接至所述第三電壓，所述第二NMOS管的源極連接至所述第三電壓；

所述像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)采集圖像時(shí)，所述第一NMOS管的漏接連接至所述第二電壓，所述第一NMOS管柵極連接至所述第四電壓，所述第二NMOS管的源極連接至所述像素點(diǎn)輸出端。