[發(fā)明專利]半導(dǎo)體芯片和半導(dǎo)體芯片封裝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410848251.5 | 申請(qǐng)日: | 2014-12-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104881079B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-05-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉得平;盧臺(tái)佑 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 聯(lián)發(fā)科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G06F1/10 | 分類號(hào): | G06F1/10;G06F17/50;H01L23/488;H01L23/498 |
| 代理公司: | 北京市萬(wàn)慧達(dá)律師事務(wù)所 11111 | 代理人: | 張金芝;楊穎 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新竹科*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 芯片 封裝 | ||
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體芯片,包含第一電路,第二電路,第三電路,第一信號(hào)路徑和第二信號(hào)路徑。第一電路提供參考信號(hào);第一信號(hào)路徑包括第一導(dǎo)電跡線以及從所述第一電路傳送所述參考信號(hào)至所述第二電路;第二信號(hào)路徑從所述第一電路傳送所述參考信號(hào)至所述第三電路,其中,所述第一信號(hào)路徑和所述第二信號(hào)路徑的時(shí)序偏移是平衡的,并且所述第一信號(hào)路徑和所述第二信號(hào)路徑是全局布線。本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體芯片封裝。本發(fā)明降低了設(shè)計(jì)復(fù)雜度并減少了設(shè)計(jì)時(shí)間,半導(dǎo)體芯片的設(shè)計(jì)更可靠。
【技術(shù)領(lǐng)域】
本發(fā)明關(guān)于半導(dǎo)體芯片,更具體地,關(guān)于平衡半導(dǎo)體芯片的時(shí)序偏移(timingskew)。
【背景技術(shù)】
在現(xiàn)代高速超大規(guī)模集成(high-speed very-large-scale integrated,VLSI)電路中,時(shí)鐘設(shè)計(jì)在決定芯片性能和促進(jìn)時(shí)序及設(shè)計(jì)收斂中起著至關(guān)重要的作用。時(shí)鐘布線(clock routing)在同步系統(tǒng)的布局設(shè)計(jì)中很重要,因?yàn)樗绊懞铣上到y(tǒng)(synthesizedsystem)的功能、面積、速度和功耗。因此,最小化時(shí)鐘的時(shí)序偏移對(duì)于VLSI設(shè)計(jì)的高性能和高速電路來(lái)說(shuō)一直是一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題。
通常,考慮到時(shí)序偏移、電路面積和功率消耗方面,執(zhí)行時(shí)鐘樹(shù)合成(clock treesynthesis,CTS)以插入緩沖器來(lái)減少時(shí)序偏移以及構(gòu)造時(shí)鐘樹(shù)來(lái)到達(dá)優(yōu)化的解決方案。然而,時(shí)鐘樹(shù)的時(shí)序偏移對(duì)于不同的工藝、溫度和電壓轉(zhuǎn)角(corner)變化相當(dāng)明顯。對(duì)于先進(jìn)的技術(shù),這種影響會(huì)變得更糟。處理此問(wèn)題的一種方式是使用所提出的半導(dǎo)體芯片和封裝。
【發(fā)明內(nèi)容】
為了解決上述問(wèn)題,本發(fā)明提出了一種半導(dǎo)體芯片和半導(dǎo)體芯片封裝。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面,提供一種半導(dǎo)體芯片,包含第一電路,第二電路,第三電路,第一信號(hào)路徑和第二信號(hào)路徑。第一電路提供參考信號(hào);第一信號(hào)路徑包括第一導(dǎo)電跡線以及從所述第一電路傳送所述參考信號(hào)至所述第二電路;第二信號(hào)路徑從所述第一電路傳送所述參考信號(hào)至所述第三電路,其中,所述第一信號(hào)路徑和所述第二信號(hào)路徑的時(shí)序偏移是平衡的,并且所述第一信號(hào)路徑和所述第二信號(hào)路徑是全局布線。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面,提供一種半導(dǎo)體芯片封裝,包含封裝基板和半導(dǎo)體芯片。封裝基板包括:第一接觸焊盤(pán);第二接觸焊盤(pán);以及第三接觸焊盤(pán)。半導(dǎo)體芯片,安裝在所述封裝基板上,包括:第一焊盤(pán);第二焊盤(pán);第三焊盤(pán);第一電路,通過(guò)所述第一焊盤(pán)和第一連接單元耦接于所述第一接觸焊盤(pán),用于提供參考信號(hào);第二電路,通過(guò)所述第二焊盤(pán)和第二連接單元耦接于所述第二接觸焊盤(pán);以及第三電路,通過(guò)所述第三焊盤(pán)和第三連接單元耦接于所述第三接觸焊盤(pán)。所述封裝基板還包括:第一信號(hào)路徑,從所述第一接觸焊盤(pán)傳送所述參考信號(hào)至所述第二接觸焊盤(pán);以及第二信號(hào)路徑,從所述第一接觸焊盤(pán)傳送所述參考信號(hào)至所述第三接觸焊盤(pán);其中所述第一信號(hào)路徑和所述第二信號(hào)路徑的時(shí)序偏移是平衡的。
上述半導(dǎo)體芯片和半導(dǎo)體芯片封裝降低了設(shè)計(jì)復(fù)雜度并減少了設(shè)計(jì)時(shí)間,半導(dǎo)體芯片的設(shè)計(jì)更可靠。
【附圖說(shuō)明】
圖1表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片100。
圖2表示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片200。
圖3A表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的延遲單元300A。
圖3B表示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的延遲單元300B。
圖3C表示根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的延遲單元300C。
圖4表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片封裝400的橫截面圖。
圖5表示圖4的半導(dǎo)體芯片封裝400的上視圖的范例。
圖6表示圖5的封裝基板410的上視圖的范例。
【具體實(shí)施方式】
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