[發明專利]降低功率晶體管導通電阻的方法有效
| 申請號： | 201410843907.4 | 申請日： | 2014-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN104538308A | 公開（公告）日： | 2015-04-22 |
| 發明（設計）人： | 廖奇泊;陳俊峰;周雯 | 申請（專利權）人： | 上海芯亮電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭國中 |
| 地址： | 200233 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 降低 功率 晶體管 通電 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種降低功率晶體管導通電阻的方法，其特征在于，其包括以下步驟：
步驟一，多晶硅沉積，以作為閘極控制導電層；
步驟二，多晶硅曝光，顯影及蝕刻以將閘極的設計形貌、圖案定義完成；
步驟三，多晶硅薄氧化，以形成保護膜并且消除蝕刻過程中所造成的傷害；
步驟四，氧化層蝕刻，控制蝕刻厚度為1200埃，以作為源極離子植入硅襯底的表面保護；
步驟五，源極離子植入，以定義源極并提供足夠的摻雜濃度。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
