[發明專利]COA型WOLED結構及制作方法

在審

• 申請號: 201410842747.1
• 申請日: 2014-12-29
• 公開（公告）號: CN104576700A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發明（設計）人: 石龍強;鄒清華
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種COA型WOLED結構及制作方法。

背景技術

OLED(Organic?Light-Emitting?Diode，有機發光二極管)是一種極具發展前景的平板顯示技術，它具有十分優異的顯示性能，具有自發光、結構簡單、超輕薄、響應速度快、寬視角、低功耗及可實現柔性顯示等特性，被譽為“夢幻顯示器”。再加上其生產設備投資遠小于TFT-LCD(Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display，薄膜晶體管液晶顯示器)，得到了各大顯示器廠家的青睞，已成為顯示技術領域中第三代顯示器件的主力軍。目前OLED已處于大規模量產的前夜，隨著研究的進一步深入，新技術的不斷涌現，OLED顯示器件必將有一個突破性的發展。

為實現?OLED?顯示器的全彩化，一種方式是通過白色有機發光二極管(WOLED，White?Organic?Light?Emitting?Diode)和彩色濾光層(CF，Color?Filter)疊加來實現。其中，WOLED和CF層疊加過程不需要精準的掩膜工藝，就可以實現OLED顯示器的高分辨率。

COA型WOLED是COA(CF?on?Array，彩色濾光片貼附于陣列基板)技術和WOLED技術的結合。利用COA技術，將?CF層(紅/綠/藍光阻)做到陣列基板上，然后OLED白光材料所發射的白光通過紅/綠/藍光阻，得到紅/綠/藍三原色的光。與傳統底發光OLED結構相比，這種技術不受有機蒸鍍光罩在大尺寸面板制作的限制，因此，在大尺寸OLED方面有著廣泛的應用。

圖1所示為一種現有COA型WOLED結構的紅色子像素區域的結構示意圖；其包括基板100、設于所述基板100上的柵極200、設于所述柵極200上的柵極絕緣層300、設于所述柵極絕緣層300上的島狀氧化物半導體層400、設于所述氧化物半導體層400上的島狀蝕刻阻擋層500、設于所述蝕刻阻擋層500上的源/漏極600、設于所述源/漏極600上的鈍化保護層700、設于所述鈍化保護層700上的紅色光阻層710、設于所述鈍化保護層700上覆蓋所述紅色光阻層710的平坦層800、設于所述平坦層800上并經由過孔810與所述源/漏極600相接觸的陽極層101、設于所述陽極層101上的像素定義層110、設于所述像素定義層110上的光阻間隔物120。該COA型WOLED結構的綠色子像素區域及藍色子像素區域的結構與紅色子像素區域相同。

上述COA型WOLED的缺點之一是紅/綠/藍三原色的發光效率相對較低。傳統頂發射型OLED器件可以通過調節OLED器件的厚度，利用微腔共振效應，使得發光效率得到有效增強。但在上述COA型WOLED中，無法像傳統OLED器件一樣通過調節器件的厚度，利用微腔效應提高各個光色的發光效率。

發明內容

本發明的目的在于提供一種COA型WOLED結構，其經過彩色濾光片后的紅/綠/藍三原色均具有較高的發光效率。

本發明的另一目的在于提供一種COA型WOLED的制作方法，能夠提高經過彩色濾光片后的紅/綠/藍三原色的發光效率，提高COA型WOLED器件的亮度。

為實現上述目的，本發明提供一種COA型WOLED結構，包括紅色子像素區域、綠色子像素區域、及藍色子像素區域；

所述紅色子像素區域、綠色子像素區域、及藍色子像素區域分別包括基板、設于所述基板上的柵極、設于所述柵極上的柵極絕緣層、設于所述柵極絕緣層上的島狀氧化物半導體層、設于所述氧化物半導體層上的島狀蝕刻阻擋層、設于所述蝕刻阻擋層上的源/漏極、設于所述源/漏極上的鈍化保護層、設于所述鈍化保護層上的紅/綠/藍色光阻層、設于所述鈍化保護層上覆蓋所述紅/綠/藍色光阻層的平坦層、設于所述平坦層上并經由過孔與所述源/漏極相接觸的半反射層、設于所述半反射層上的陽極層、設于所述陽極層上的像素定義層、設于所述像素定義層上的光阻間隔物、設于所述陽極層與像素定義層上的白光發光層、設于所述白光發光層上的陰極層、及設于所述陰極層上的封裝蓋板；

所述紅色子像素區域和綠色子像素區域的半反射層與陽極層之間分別設有透明光阻層，并且所述紅色子像素區域的透明光阻層的厚度大于所述綠色子像素區域的透明光阻層的厚度。

所述半反射層的材料為銀或銅或二者的合金，所述陰極層的材料為鋁。

所述半反射層的厚度為1～100nm。

所述紅色子像素區域的透明光阻層的厚度為20～300nm，所述綠色子像素區域的透明光阻層的厚度為20～250nm。