[發(fā)明專利]COA型WOLED結構及制作方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201410842747.1
• 申請日: 2014-12-29
• 公開（公告）號: CN104576700A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發(fā)明（設計）人: 石龍強;鄒清華
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種COA型WOLED結構，其特征在于，包括紅色子像素區(qū)域、綠色子像素區(qū)域、及藍色子像素區(qū)域；

所述紅色子像素區(qū)域、綠色子像素區(qū)域、及藍色子像素區(qū)域分別包括基板(1)、設于所述基板(1)上的柵極(2)、設于所述柵極(2)上的柵極絕緣層(3)、設于所述柵極絕緣層(3)上的島狀氧化物半導體層(4)、設于所述氧化物半導體層(4)上的島狀蝕刻阻擋層(5)、設于所述蝕刻阻擋層(5)上的源/漏極(6)、設于所述源/漏極(6)上的鈍化保護層(7)、設于所述鈍化保護層(7)上的紅/綠/藍色光阻層(71/72/73)、設于所述鈍化保護層(7)上覆蓋所述紅/綠/藍色光阻層(71/72/73)的平坦層(8)、設于所述平坦層(8)上并經由過孔(81)與所述源/漏極(6)相接觸的半反射層(9)、設于所述半反射層(9)上的陽極層(10)、設于所述陽極層(10)上的像素定義層(11)、設于所述像素定義層(11)上的光阻間隔物(12)、設于所述陽極層(10)與像素定義層(11)上的白光發(fā)光層(13)、設于所述白光發(fā)光層(13)上的陰極層(14)、及設于所述陰極層(14)上的封裝蓋板(15)；

所述紅色子像素區(qū)域和綠色子像素區(qū)域的半反射層(9)與陽極層(10)之間分別設有透明光阻層(91)，并且所述紅色子像素區(qū)域的透明光阻層(91)的厚度大于所述綠色子像素區(qū)域的透明光阻層(91)的厚度。

2.如權利要求1所述的COA型WOLED結構，其特征在于，所述半反射層(9)的材料為銀或銅或二者的合金，所述陰極層(14)的材料為鋁。

3.如權利要求1所述的COA型WOLED結構，其特征在于，所述半反射層(9)的厚度為1～100nm。

4.如權利要求1所述的COA型WOLED結構，其特征在于，所述紅色子像素區(qū)域的透明光阻層(91)的厚度為20～300nm，所述綠色子像素區(qū)域的透明光阻層(91)的厚度為20～250nm。

5.如權利要求1所述的COA型WOLED結構，其特征在于，所述氧化物半導體層(4)的材料為氧化銦鎵鋅，所述陽極層(10)的材料為氧化銦錫。

6.如權利要求1所述的COA型WOLED結構，其特征在于，所述透明光阻層(91)的材料為SiO₂或Si₃N₄。

7.一種COA型WOLED的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1、提供基板(1)，在所述基板(1)上分別對應紅色子像素區(qū)域、綠色子像素區(qū)域、及藍色子像素區(qū)域，依次形成柵極(2)、柵極絕緣層(3)、氧化物半導體層(4)、蝕刻阻擋層(5)、源/漏極(6)、鈍化保護層(7)、紅/綠/藍色光阻層(71/72/73)、平坦層(8)、及過孔(81)；

步驟2、在所述平坦層(8)上分別對應所述紅/綠/藍色光阻層(71/72/73)的上方形成半反射層(9)，所述半反射層(9)經由所述過孔(81)與所述源/漏極(6)相接觸；

步驟3、在紅色子像素區(qū)域所對應的半反射層(9)上形成透明光阻層；

步驟4、在所述平坦層(8)上再次沉積透明光阻層，所述透明光阻層覆蓋綠色子像素區(qū)域的半反射層(9)；

步驟5、對所述透明光阻層進行圖案化處理，對紅色子像素區(qū)域與綠色子像素區(qū)域上對應的透明光阻層不進行曝光，得到位于紅色子像素區(qū)域與綠色子像素區(qū)域的透明光阻層(91)；

步驟6、在所述半反射層(9)與透明光阻層(91)上形成陽極層(10)；

步驟7、在所述平坦層(8)與陽極層(10)上形成像素定義層(11)，并在所述像素定義層(11)上形成光阻間隔物(12)；

步驟8、在所述陽極層(10)與像素定義層(11)上，于所述光阻間隔物(12)之間形成白光發(fā)光層(13)；

步驟9、在所述光阻間隔物(12)與白光發(fā)光層(13)上形成陰極層(14)；

步驟10、在所述陰極層(14)上設置封裝蓋板(15)，對COA型WOLED進行封裝，從而完成COA型WOLED的制作。

8.如權利要求7所述的COA型WOLED的制作方法，其特征在于，所述步驟2采用物理氣相沉積、黃光、及蝕刻制程形成所述半反射層(9)。