[發明專利]COA型WOLED結構及制作方法

在審

• 申請號: 201410842747.1
• 申請日: 2014-12-29
• 公開（公告）號: CN104576700A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發明（設計）人: 石龍強;鄒清華
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種COA型WOLED結構，其特征在于，包括紅色子像素區域、綠色子像素區域、及藍色子像素區域；

所述紅色子像素區域、綠色子像素區域、及藍色子像素區域分別包括基板(1)、設于所述基板(1)上的柵極(2)、設于所述柵極(2)上的柵極絕緣層(3)、設于所述柵極絕緣層(3)上的島狀氧化物半導體層(4)、設于所述氧化物半導體層(4)上的島狀蝕刻阻擋層(5)、設于所述蝕刻阻擋層(5)上的源/漏極(6)、設于所述源/漏極(6)上的鈍化保護層(7)、設于所述鈍化保護層(7)上的紅/綠/藍色光阻層(71/72/73)、設于所述鈍化保護層(7)上覆蓋所述紅/綠/藍色光阻層(71/72/73)的平坦層(8)、設于所述平坦層(8)上并經由過孔(81)與所述源/漏極(6)相接觸的半反射層(9)、設于所述半反射層(9)上的陽極層(10)、設于所述陽極層(10)上的像素定義層(11)、設于所述像素定義層(11)上的光阻間隔物(12)、設于所述陽極層(10)與像素定義層(11)上的白光發光層(13)、設于所述白光發光層(13)上的陰極層(14)、及設于所述陰極層(14)上的封裝蓋板(15)；

所述紅色子像素區域和綠色子像素區域的半反射層(9)與陽極層(10)之間分別設有透明光阻層(91)，并且所述紅色子像素區域的透明光阻層(91)的厚度大于所述綠色子像素區域的透明光阻層(91)的厚度。

2.如權利要求1所述的COA型WOLED結構，其特征在于，所述半反射層(9)的材料為銀或銅或二者的合金，所述陰極層(14)的材料為鋁。

3.如權利要求1所述的COA型WOLED結構，其特征在于，所述半反射層(9)的厚度為1～100nm。

4.如權利要求1所述的COA型WOLED結構，其特征在于，所述紅色子像素區域的透明光阻層(91)的厚度為20～300nm，所述綠色子像素區域的透明光阻層(91)的厚度為20～250nm。

5.如權利要求1所述的COA型WOLED結構，其特征在于，所述氧化物半導體層(4)的材料為氧化銦鎵鋅，所述陽極層(10)的材料為氧化銦錫。

6.如權利要求1所述的COA型WOLED結構，其特征在于，所述透明光阻層(91)的材料為SiO₂或Si₃N₄。

7.一種COA型WOLED的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1、提供基板(1)，在所述基板(1)上分別對應紅色子像素區域、綠色子像素區域、及藍色子像素區域，依次形成柵極(2)、柵極絕緣層(3)、氧化物半導體層(4)、蝕刻阻擋層(5)、源/漏極(6)、鈍化保護層(7)、紅/綠/藍色光阻層(71/72/73)、平坦層(8)、及過孔(81)；

步驟2、在所述平坦層(8)上分別對應所述紅/綠/藍色光阻層(71/72/73)的上方形成半反射層(9)，所述半反射層(9)經由所述過孔(81)與所述源/漏極(6)相接觸；

步驟3、在紅色子像素區域所對應的半反射層(9)上形成透明光阻層；

步驟4、在所述平坦層(8)上再次沉積透明光阻層，所述透明光阻層覆蓋綠色子像素區域的半反射層(9)；

步驟5、對所述透明光阻層進行圖案化處理，對紅色子像素區域與綠色子像素區域上對應的透明光阻層不進行曝光，得到位于紅色子像素區域與綠色子像素區域的透明光阻層(91)；

步驟6、在所述半反射層(9)與透明光阻層(91)上形成陽極層(10)；

步驟7、在所述平坦層(8)與陽極層(10)上形成像素定義層(11)，并在所述像素定義層(11)上形成光阻間隔物(12)；

步驟8、在所述陽極層(10)與像素定義層(11)上，于所述光阻間隔物(12)之間形成白光發光層(13)；

步驟9、在所述光阻間隔物(12)與白光發光層(13)上形成陰極層(14)；

步驟10、在所述陰極層(14)上設置封裝蓋板(15)，對COA型WOLED進行封裝，從而完成COA型WOLED的制作。

8.如權利要求7所述的COA型WOLED的制作方法，其特征在于，所述步驟2采用物理氣相沉積、黃光、及蝕刻制程形成所述半反射層(9)。