[發(fā)明專利]抗反射層和方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410840746.3 | 申請日: | 2014-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN105047540B | 公開(公告)日: | 2018-05-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張慶裕;劉朕與 | 申請(專利權(quán))人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;H01L21/312;H01L21/336 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李偉 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 浮置 抗反射層 聚合物樹脂 交聯(lián)劑 催化劑 氟原子 頂面 去除 散布 | ||
提供了用于抗反射層的系統(tǒng)和方法。在一個實(shí)施例中,在散布抗反射層之后,抗反射層包括浮置組分以沿著抗反射層的頂面形成浮置區(qū)域。浮置組分可以是浮置交聯(lián)劑、浮置聚合物樹脂或浮置催化劑。浮置交聯(lián)劑、浮置聚合物樹脂或浮置催化劑可以包括氟原子。使用液體來去除抗反射層。
相關(guān)申請的交叉參考
本申請是于2013年10月17日提交的、標(biāo)題為“Anti-Reflective Layer andMethod”的第14/056,737號美國專利申請的繼續(xù)申請;要求于2013年3月12日提交的、標(biāo)題為“Anti-Reflective Layer and Method”的第61/777,782號美國臨時申請的優(yōu)先權(quán);以及要求于2014年4月29日提交的、標(biāo)題為“Anti-Reflective Layer and Method”的第61/982,945號美國臨時申請的優(yōu)先權(quán),其全部內(nèi)容結(jié)合于此作為參考。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,更具體地,涉及半導(dǎo)體器件的制造方法。
背景技術(shù)
隨著消費(fèi)設(shè)備響應(yīng)于消費(fèi)者的需求而變得越來越小,這些設(shè)備的各個部件的尺寸也需要減小。組成這些設(shè)備(諸如移動電話、平板電腦等)的主要部件的半導(dǎo)體器件迫于壓力而變得越來越小,半導(dǎo)體器件內(nèi)的各個器件(例如,晶體管、電阻器、電容器等)的對應(yīng)尺寸也迫于壓力而縮小。
半導(dǎo)體器件的制造工藝所使用的一種能夠減小尺寸的技術(shù)是使用光刻材料。這種材料被施加于表面,然后被暴露給能量使其被圖案化。這種曝光改變了光刻材料的暴露區(qū)域的化學(xué)和物理特性。與光刻材料沒有被曝光的區(qū)域中沒有改變特性一起,這些改變可以用于去除一個區(qū)域而不去除另一個區(qū)域。
然而,隨著各個器件尺寸的減小,用于光刻處理的工藝窗口變得越來越緊湊。如此,需要光刻處理領(lǐng)域的進(jìn)步(諸如使用抗反射層來防止入射光不期望的反射)來保持縮小器件的能力,并且需要進(jìn)一步的改進(jìn)以滿足期望的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn),使得可以保持越來越小部件的發(fā)展。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的缺陷,根據(jù)本發(fā)明的一方面,提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法,所述方法包括:在襯底上方散布抗反射材料以形成抗反射涂層,所述抗發(fā)射材料具有第一濃度的浮置組分;形成與所述抗反射涂層的頂面相鄰的浮置區(qū)域,所述浮置區(qū)域具有第二濃度的浮置組分,所述第二濃度大于所述第一濃度;以及向所述抗反射材料施加液體以去除所述抗反射材料和所述浮置區(qū)域。
在該方法中,施加所述液體包括施加水溶液。
在該方法中,所述水溶液的pH介于大約-1至大約4之間。
在該方法中,所述水溶液的pH介于大約9至大約14之間。
在該方法中,施加所述液體包括施加有機(jī)溶劑。
在該方法中,所述液體包括無機(jī)酸。
在該方法中,執(zhí)行施加所述液體小于1分鐘,以去除所述抗反射材料。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法,所述方法包括:在襯底上涂覆抗反射涂層;沿著所述抗反射涂層的頂面由所述抗反射涂層形成具有第一去除速率的第一區(qū)域,其中,所述抗反射涂層的第二區(qū)域具有不同于所述第一去除速率的第二去除速率;以及通過向所述抗反射涂層施加液體來去除所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域。
該方法還包括:在去除所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之前,圖案化所述抗反射涂層。
在該方法中,施加所述液體包括施加水溶液。
在該方法中,所述水溶液的pH介于大約-1至大約4之間。
在該方法中,所述水溶液的pH介于大約9至大約14之間。
在該方法中,施加所述液體包括施加有機(jī)溶劑。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





