[發(fā)明專利]抗反射層和方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410840746.3
• 申請日: 2014-12-30
• 公開（公告）號: CN105047540B
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張慶裕;劉朕與
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/312;H01L21/336
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

在襯底上方散布抗反射材料以形成抗反射涂層，所述抗反射材料具有第一濃度的浮置組分；

形成與所述抗反射涂層的頂面相鄰的浮置區(qū)域，所述浮置區(qū)域具有第二濃度的浮置組分，所述第二濃度大于所述第一濃度；

在所述浮置區(qū)域上方形成中間層；以及

向所述抗反射材料施加液體以去除所述抗反射材料和所述浮置區(qū)域；

其中，所述抗反射涂層包括聚合物樹脂、催化劑和交聯(lián)劑，所述催化劑為含有氟原子的浮置催化劑或者所述交聯(lián)劑為含有氟原子的浮置交聯(lián)劑。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，施加所述液體包括施加水溶液。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述水溶液的pH介于-1至4之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述水溶液的pH介于9至14之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，施加所述液體包括施加有機溶劑。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述液體包括無機酸。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，執(zhí)行施加所述液體小于1分鐘，以去除所述抗反射材料。

8.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

在襯底上涂覆抗反射涂層；

沿著所述抗反射涂層的頂面由所述抗反射涂層形成具有第一去除速率的第一區(qū)域，其中，所述抗反射涂層的第二區(qū)域具有不同于所述第一去除速率的第二去除速率；

在所述第一區(qū)域上方形成中間層；以及

通過向所述抗反射涂層施加液體來去除所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域；

其中，所述抗反射涂層包括聚合物樹脂、催化劑和交聯(lián)劑，所述催化劑為含有氟原子的浮置催化劑或者所述交聯(lián)劑為含有氟原子的浮置交聯(lián)劑。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括：在去除所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之前，圖案化所述抗反射涂層。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，施加所述液體包括施加水溶液。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述水溶液的pH介于-1至4之間。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述水溶液的pH介于9至14之間。

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，施加所述液體包括施加有機溶劑。

14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述液體包括無機酸。

15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，在一分鐘內(nèi)完成去除所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域。

16.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

在襯底上涂覆抗反射涂層，所述抗反射涂層包括聚合物樹脂、催化劑和交聯(lián)劑，所述催化劑為含有氟原子的浮置催化劑或者所述交聯(lián)劑為含有氟原子的浮置交聯(lián)劑；

沿著所述抗反射涂層的頂面形成浮置區(qū)域，其中，所述浮置區(qū)域比所述抗反射涂層的剩余部分具有更高濃度的所述浮置催化劑或所述浮置交聯(lián)劑；

在所述浮置區(qū)域上方形成中間層；以及

通過向所述抗反射涂層施加液體小于1分鐘，去除所述浮置區(qū)域和所述抗反射涂層的剩余部分。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述液體為水溶液。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述水溶液的pH介于-1至4之間。