[發明專利]一種消除鳥嘴效應的方法

在審

• 申請號: 201410839948.6
• 申請日: 2014-12-26
• 公開（公告）號: CN105789135A
• 公開（公告）日: 2016-07-20
• 發明（設計）人: 劉濤;黃芳;楊海玩
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L21/02;H01L21/265
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

技術領域

本發明涉及半導體制備領域，確切的說，涉及一種消除鳥嘴效應 的方法。

背景技術

隨著技術的不斷發展，數碼相機、手機逐漸成了人們的經常使用 的電子產品，而這些電子產品都需要借助閃存來進行數據的存儲。閃 存是一種非易失性存儲器(Non-VolatileMemory，NVM)，即斷電數 據也不會丟失。目前，閃存可分為NORFLASH或NANDFLASH， NOR閃存是隨機存儲介質，用于數據量較小的場合；NAND閃存是 連續存儲介質，適合存放大的數據。

NAND結構是在閃存中較為普遍使用的一種結構，NAND閃存比 硬盤驅動器更好。隨著人們持續追求功耗更低、重量更輕和性能更佳 的產品，由于NAND所具的較高的單元密度，高存儲密度，較快的 寫入和擦除速度等優勢，其得到了廣泛的應用。同時NAND閃存的 単元尺寸幾乎是NOR器件的一半,可以在給定的模具尺寸內提供更 高的容量，具有很快的寫入和擦除速度，主要功能是存儲資料，目前 主要用在數碼相機等的閃存卡和MP3播放機中。

圖1～4現有技術中的NANDFLASH的部分制備工藝流程圖，參 照圖1所示，襯底1的部分上表面設置有一襯墊氧化層(PADOX) 2，在該襯墊氧化層2的上方還設置有一介質層3。而后需要沉積一 層氧化層4將襯底1暴露的表面進行覆蓋，參照圖2所示。之后移除 介質層3、襯墊氧化層2及部分氧化層4，最后再于襯底1暴露的表 面處制備一層氧化層5。

在制備氧化層4的過程中，氧化層4極易鉆到襯墊氧化層2的下 方，并將上方的襯墊氧化層2抬起，從而造成鳥嘴效應，如圖5所示。 這在LOCOS(硅局部氧化)工藝是中一種不好的現象，會造成器件 電壓不穩定，甚至可能造成器件失效。

發明內容

本發明提供了一種消除鳥嘴效應的方法，具體方案如下：

一種消除鳥嘴效應的方法，其中，包括以下步驟：

提供一半導體襯底，在襯底的上表面自下而上依次制備一層襯墊 氧化層和一層介質層，依次部分刻蝕所述介質層和所述襯墊氧化層至 所述襯底中，于所述襯底中形成溝槽；

進行傾斜離子注入工藝，以在所述溝槽底部及其側壁生成一層阻 擋層后，去除位于所述溝槽底部的阻擋層，并保留覆蓋在所述溝槽側 壁上的阻擋層；

制備第一氧化層充滿所述溝槽后，依次去除剩余的介質層和剩余 的襯墊氧化層；

在暴露的襯底表面制備一層第二氧化層。

上述的消除鳥嘴效應的方法，其中，采用氮離子進行所述傾斜離 子注入工藝。

上述的消除鳥嘴效應的方法，其中，所述氮離子注入的濃度大于 10¹⁵/cm²。

上述的消除鳥嘴效應的方法，其中，采用雙向傾斜角度注入離子 至所述襯底中。

上述的消除鳥嘴效應的方法，其中，注入的氮離子與襯底上表面 的夾角為35°～55°。

上述的消除鳥嘴效應的方法，其中，采用干法刻蝕工藝去除所述 剩余的介質層，采用濕法清洗工藝去除所述剩余的襯墊氧化層。

上述的消除鳥嘴效應的方法，其中，采用光刻工藝及刻蝕工藝去 除溝槽底部的阻擋層。

上述的消除鳥嘴效應的方法，其中，所述刻蝕工藝為干法刻蝕。

上述的消除鳥嘴效應的方法，其中，采用爐管生長工藝制備所述 第一氧化層和第二氧化層。

上述的消除鳥嘴效應的方法，其中，所述襯底為硅襯底。

本發明可有效避免鳥嘴效應的產生，同時制程變動小，實現成本 較低。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細描述，本發 明及其特征、外形和優點將會變得更明顯。在全部附圖中相同的標記 指示相同的部分。并未刻意按照比例繪制附圖，重點在于示出本發明 的主旨。

圖1～4為現有技術中NANDFLASH的部分工藝制備流程；

圖5為現有技術中產生鳥嘴效應的器件局部結構示意圖；

圖6～13為本發明提供的一種NANDFLASH的制備工藝流程圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明的具體實施方式作進一步的說明：