[發(fā)明專(zhuān)利]一種消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410839948.6
• 申請(qǐng)日: 2014-12-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105789135A
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉濤;黃芳;楊海玩
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/8247
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/8247;H01L21/02;H01L21/265
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一半導(dǎo)體襯底，在襯底的上表面自下而上依次制備一層襯墊 氧化層和一層介質(zhì)層，依次部分刻蝕所述介質(zhì)層和所述襯墊氧化層至 所述襯底中，于所述襯底中形成溝槽；

進(jìn)行傾斜離子注入工藝，以在所述溝槽底部及其側(cè)壁生成一層阻 擋層后，去除位于所述溝槽底部的阻擋層，并保留覆蓋在所述溝槽側(cè) 壁上的阻擋層；

制備第一氧化層充滿所述溝槽后，依次去除剩余的介質(zhì)層和剩余 的襯墊氧化層；

在暴露的襯底表面制備一層第二氧化層。

2.如權(quán)利要求1所述的消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法，其特征在于，采 用氮離子進(jìn)行所述傾斜離子注入工藝。

3.如權(quán)利要求2所述的消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法，其特征在于，所 述氮離子注入的濃度大于10¹⁵/cm²。

4.如權(quán)利要求2所述的消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法，其特征在于，采 用雙向傾斜角度注入離子至所述襯底中。

5.如權(quán)利要求4所述的消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法，其特征在于，注 入的氮離子與襯底上表面的夾角為35°～55°。

6.如權(quán)利要求1所述的消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法，其特征在于，采 用干法刻蝕工藝去除所述剩余的介質(zhì)層，采用濕法清洗工藝去除所述 剩余的襯墊氧化層。

7.如權(quán)利要求1所述的消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法，其特征在于，采 用光刻工藝及刻蝕工藝去除溝槽底部的阻擋層。

8.如權(quán)利要求7所述的消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法，其特征在于，所 述刻蝕工藝為干法刻蝕。

9.如權(quán)利要求1所述的消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法，其特征在于，采 用爐管生長(zhǎng)工藝制備所述第一氧化層和第二氧化層。

10.如權(quán)利要求1所述的消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法，其特征在于，所 述襯底為硅襯底。