[發明專利]一種閃存存儲單元及制作方法

在審

• 申請號: 201410838164.1
• 申請日: 2014-12-24
• 公開（公告）號: CN105789212A
• 公開（公告）日: 2016-07-20
• 發明（設計）人: 劉釗;熊濤;許毅勝;舒清明
• 申請（專利權）人: 上海格易電子有限公司;北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L29/423;H01L21/8247
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬;鄧猛烈

1.一種閃存存儲單元制作方法，其特征在于，包括：

于襯底中通過制備淺溝槽隔離以隔離出有源區，所述有源區上依次制備有 遂穿氧化層和多個溝槽；

于所述多個溝槽的側壁和底部制備U形浮柵，所述U型浮柵的表面與所述 多個溝槽的表面位于同一平面；

對所述淺溝槽隔離進行刻蝕，以使所述淺溝槽隔離的表面位于所述U型浮 柵的上表面和下表面之間；

于所述U型浮柵暴露出的表面以及所述淺溝槽隔離的表面上制備氧化硅阻 擋層；

于所述氧化硅阻擋層之上制備控制柵。

2.根據權利要求1所述的閃存存儲單元制作方法，其特征在于，于襯底 中通過制備淺溝槽隔離以隔離出有源區，所述有源區上依次制備有遂穿氧化層 和多個溝槽，具體包括：

于襯底之上依次生長遂穿氧化層和氮化硅層，所述遂穿氧化層和所述氮化 硅層形成硬掩膜層；

以所述硬掩膜層為掩膜，于所述襯底中制備多個淺溝槽，所述氮化硅層形 成氮化硅結構；

于所述多個淺溝槽內形成淺溝槽隔離以隔離出有源區，對所述淺溝槽隔離 進行化學機械拋光處理，以使所述淺溝槽隔離的表面與所述氮化硅結構的上表 面位于同一平面；

剝離所述氮化硅結構，以形成多個溝槽。

3.根據權利要求1所述的閃存存儲單元制作方法，其特征在于，于所述 多個溝槽的側壁和底部制備U形浮柵，具體包括：

于所述多個溝槽的側壁和底部以及所述淺溝槽隔離的表面上沉淀多晶硅結 構；

對所述淺溝槽隔離表面上的多晶硅結構進行去除，以于所述多個溝槽的側 壁和底部制備U型浮柵，所述U型浮柵的表面與所述多個溝槽的表面位于同一 平面。

4.根據權利要求3所述的閃存存儲單元制作方法，其特征在于，所述于 所述多個溝槽的側壁和底部以及所述淺溝槽隔離的表面上沉淀多晶硅結構通過 低壓化學氣象沉淀工藝進行沉淀。

5.根據權利要求3所述的閃存存儲單元制作方法，其特征在于，所述對 所述淺溝槽隔離表面上的多晶硅結構進行去除通過化學機械拋光工藝進行去 除。

6.根據權利要求1所述的閃存存儲單元制作方法，其特征在于，所述對 所述淺溝槽隔離進行刻蝕采用濕法刻蝕或干法刻蝕。

7.根據權利要求1-6任一所述的閃存存儲單元制作方法，其特征在于， 所述U型浮柵的厚度取值范圍為200～500埃。

8.根據權利要求1-6任一所述的閃存存儲單元制作方法，其特征在于， 所述淺溝槽隔離的表面位于所述U型浮柵的上表面和下表面之間，進一步的， 所述淺溝槽隔離的表面與所述U型浮柵的上表面之間的高度取值范圍為100～ 600埃。

9.一種通過權利要求1-8任一所述方法制作的閃存存儲單元，其特征在于， 包括：

襯底，所述襯底的上部形成有多個淺溝槽；

遂穿氧化層，生長于所述襯底之上；

U形浮柵，形成于所述遂穿氧化層之上；

淺溝槽隔離，形成于所述多個淺溝槽內和所述U型浮柵的側壁上；

氧化硅阻擋層，形成于所述U型浮柵的側壁和表面以及所述淺溝槽隔離的 表面上；

控制柵，形成于所述氧化硅阻擋層之上。