[發明專利]一種OLED及其制作方法在審
| 申請號: | 201410837334.4 | 申請日: | 2014-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN104485428A | 公開(公告)日: | 2015-04-01 |
| 發明(設計)人: | 周曉峰;謝志生;葉雁祥;徐永尊;丁濤;蘇君海;何基強;李建華 | 申請(專利權)人: | 信利半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 王寶筠 |
| 地址: | 516600 *** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 oled 及其 制作方法 | ||
技術領域
本發明涉及半導體發光器件領域,更具體的說,涉及一種OLED及其制作方法。
背景技術
在顯示技術中,有機電致發光二極管(OLED)因具有更薄、更輕、耐低溫、響應速度快的優勢而備受人們的高度關注,不僅如此,OLED顯示屏還不受外形限制,可彎曲任意形狀,成本低廉,在顯示器市場更具有競爭力,而且一直處于上升趨勢。其中,被動式有機電致發光二極管(PM-OLED)主要采用行掃描方式工作,制作工藝相對較為簡單,在小尺寸、低分辨率的點矩陣顯示屏中應用廣泛。
PM-OLED的電阻主要包括器件的電阻和走線的電阻,由于PM-OLED器件具有二極管特性,即器件的電阻隨著外部電壓的上升而減小,因此,對于在較高電壓下工作的PM-OLED來說,要想降低功耗,走線的電阻就顯得尤為重要。如果PM-OLED的驅動電路僅采用氧化銦錫(ITO)做走線,由于ITO的面電阻較大,導致走線的電阻較大,從而增加了OLED器件的功耗。
現有技術中MoAlMo(鉬鋁鉬)的走線結構雖然能夠在一定程度上降低功耗,但是走線的電阻率仍然較大,且走線結構復雜。
發明內容
為解決上述問題,本發明提供了一種OLED及其制作方法,降低了OLED器件的功耗,實現同步刻蝕,不會造成側蝕,降低工藝難度,簡化工藝流程。
為實現上述目的,本發明提供了一種OLED的制作方法,該OLED的制作方法包括:
提供一透明基板,所述透明基板包括:器件區以及包圍所述器件區的走線區;
在所述器件區形成OLED的以ITO為材料的第一電極;
在所述走線區形成走線層,所述走線層包括:金屬導電層以及覆蓋于所述金屬導電層表面的Al保護層,所述金屬導電層與ITO的接觸電阻小于Al與ITO的接觸電阻;
對所述走線層進行刻蝕,形成設定圖案的走線,所述走線的第一端與所述第一電極連接,第二端用于與電路板連接;
在所述第一電極表面依次形成有機發光功能層以及OLED的第二電極;
剝離所述第二端用于和所述電路板連接的Al保護層。
優選的,在上述OLED的制作方法中,所述在所述走線區形成走線層包括:
在所述走線區形成厚度范圍為的所述金屬導電層,所述范圍包括端點值;
在所述金屬導電層表面形成厚度范圍為的Al保護層,所述范圍均包括端點值。
優選的,在上述OLED的制作方法中,所述金屬導電層為Cu、Cu合金層、Ag層或Ag合金層。
優選的,在上述OLED的制作方法中,當所述金屬導電層為Ag層或Ag合金層時,所述對所述走線層進行刻蝕包括:
在所述Al保護層表面形成設定圖案的掩膜層;
利用第一刻蝕液對所述走線層進行刻蝕,所述第一刻蝕液為硝酸、磷酸、醋酸和水的混合液;
其中,所述硝酸的濃度為70%,其在第一刻蝕液中的質量分數為1%-10%;所述磷酸的濃度為85%,其在第一刻蝕液中的質量分數為58%-78%;所述醋酸的濃度為100%,其在第一刻蝕液中的質量分數為5%-20%,所述水在第一刻蝕液中的質量分數為10%-30%。
優選的,在上述OLED的制作方法中,當所述金屬導電層為Cu層或Cu合金層時,所述對所述走線層進行刻蝕包括:
在所述Al保護層表面形成設定圖案的掩膜層;
利用第二刻蝕液對所述走線層進行刻蝕,所述第二刻蝕液為水、磷酸以及過硫酸鈉的混合液;
其中,所述第二刻蝕液中,水的含量為1L;所述磷酸含量為30ml,其濃度為85%;所述過硫酸鈉含量為40g。
優選的,在上述OLED的制作方法中,所述剝離所述第二端用于和所述電路板連接的Al保護層包括:
利用設定的水洗刻蝕液去掉所述第二端用于和所述電路板連接的Al保護層,所述水洗刻蝕液為水、磷酸與醋酸的混合液;
其中,磷酸在第二刻蝕液中的質量分數為3%,其濃度為85%;醋酸在第二刻蝕液中的質量分數為1%,其濃度為100%。
優選的,在上述OLED的制作方法中,所述第二電極為反射式電極。
本發明還提供一種OLED,包括:
透明基板,包括:器件區以及包圍所述器件區的走線區;
設置在所述器件區的OLED結構,包括:位于所述器件區的第一電極、位于所述第一電極表面的有機發光功能層以及位于所述有機發光功能層表面的第二電極,所述第一電極材料為ITO;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
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H01L51-54 .. 材料選擇





