[發明專利]一種OLED及其制作方法

在審

• 申請號: 201410837334.4
• 申請日: 2014-12-29
• 公開（公告）號: CN104485428A
• 公開（公告）日: 2015-04-01
• 發明（設計）人: 周曉峰;謝志生;葉雁祥;徐永尊;丁濤;蘇君海;何基強;李建華
• 申請（專利權）人: 信利半導體有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種OLED的制作方法，其特征在于，包括：

提供一透明基板，所述透明基板包括：器件區以及包圍所述器件區的走線區；

在所述器件區形成OLED的以ITO為材料的第一電極；

在所述走線區形成走線層，所述走線層包括：金屬導電層以及覆蓋于所述金屬導電層表面的Al保護層，所述金屬導電層與ITO的接觸電阻小于Al與ITO的接觸電阻；

對所述走線層進行刻蝕，形成設定圖案的走線，所述走線的第一端與所述第一電極連接，第二端用于與電路板連接；

在所述第一電極表面依次形成有機發光功能層以及OLED的第二電極；

剝離所述第二端用于和所述電路板連接的Al保護層。

2.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述走線區形成走線層包括：

在所述走線區形成厚度范圍為的所述金屬導電層，所述范圍包括端點值；

在所述金屬導電層表面形成厚度范圍為的Al保護層，所述范圍均包括端點值。

3.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述金屬導電層為Cu、Cu合金層、Ag層或Ag合金層。

4.如權利要求3所述的制作方法，其特征在于，當所述金屬導電層為Ag層或Ag合金層時，所述對所述走線層進行刻蝕包括：

在所述Al保護層表面形成設定圖案的掩膜層；

利用第一刻蝕液對所述走線層進行刻蝕，所述第一刻蝕液為硝酸、磷酸、醋酸和水的混合液；

其中，所述硝酸的濃度為70％，其在第一刻蝕液中的質量分數為1％-10％；所述磷酸的濃度為85％，其在第一刻蝕液中的質量分數為58％-78％；所述醋酸的濃度為100％，其在第一刻蝕液中的質量分數為5％-20％，所述水在第一刻蝕液中的質量分數為10％-30％。

5.如權利要求3所述的制作方法，其特征在于，當所述金屬導電層為Cu層或Cu合金層時，所述對所述走線層進行刻蝕包括：

在所述Al保護層表面形成設定圖案的掩膜層；

利用第二刻蝕液對所述走線層進行刻蝕，所述第二刻蝕液為水、磷酸以及過硫酸鈉的混合液；

其中，所述第二刻蝕液中，水的含量為1L；所述磷酸含量為30ml，其濃度為85％；所述過硫酸鈉含量為40g。

6.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述剝離所述第二端用于和所述電路板連接的Al保護層包括：

利用設定的水洗刻蝕液去掉所述第二端用于和所述電路板連接的Al保護層，所述水洗刻蝕液為水、磷酸與醋酸的混合液；

其中，磷酸在第二刻蝕液中的質量分數為3％，其濃度為85％；醋酸在第二刻蝕液中的質量分數為1％，其濃度為100％。

7.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二電極為反射式電極。

8.一種OLED，其特征在于，包括：

透明基板，包括：器件區以及包圍所述器件區的走線區；

設置在所述器件區的OLED結構，包括：位于所述器件區的第一電極、位于所述第一電極表面的有機發光功能層以及位于所述有機發光功能層表面的第二電極，所述第一電極材料為ITO；

設置在所述走線區的走線，所述走線的第一端與第一電極連接，第二端用于與電路板連接，所述走線包括：金屬導電層以及覆蓋于所述金屬導電層表面的Al保護層；

其中，所述金屬導電層與ITO的接觸電阻小于Al與ITO的接觸電阻；所述第二端用于和所述電路板連接的Al保護層被剝離去除。

9.如權利要求8所述的OLED，其特征在于，所述金屬導電層的厚度為包括端點值；所述Al保護層的厚度為包括端點值。

10.如權利要求8所述的OLED，其特征在于，所述金屬導電層為Cu、Cu合金層、Ag層或Ag合金層。