[發明專利]一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 201410836490.9 | 申請日: | 2015-08-04 |
| 公開(公告)號: | CN104503164A | 公開(公告)日: | 2015-07-29 |
| 發明(設計)人: | 張新彥;席克瑞;汪梅林 | 申請(專利權)人: | 上海天馬微電子有限公司;天馬微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1343 | 分類號: | G02F1/1343;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 劉松 |
| 地址: | 201201 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
背景技術
一般液晶顯示器的像素結構中,必須配置存儲電容來儲存像素數據至下次更新的時間。如圖1所示為現有技術中像素結構示意圖,該像素結構包括透光區域101和遮光區域102,遮光區域102是由走線及存儲電容極板等形成的不透明區域。由于存儲電容極板通常是兩層不透光的金屬層,因此所述存儲電容的配置使得像素結構中透光區域101的面積減小,進而導致面板的開口率降低。
對于現有的一種全反射顯示器,在用作電子標簽時,由于通常進行靜態顯示,不需要高速刷新,因此,一般需要采用較低的驅動頻率,如20Hz、1Hz等,同時,為了確保像素電位保持在所設定的電壓上,一般采取增大像素結構中的存儲電容的方法來保持電位。通常情況下,為增大存儲電容將會增大兩金屬層的面積,進而使得不透光區的面積增大,導致面板的開口率更低,嚴重影響產品的顯示效果。此外,如圖2所示為現有技術中顯示區的顯示狀態示意圖,黑色區域為遮光區域,白色區域為透光區域,由于存儲電容極板的面積較大,造成不透光區域較為集中,使得顯示區有明顯的格子感,降低用戶的視覺感受。
發明內容
本發明實施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置,用以解決現有技術中顯示區域具有明顯格子感的技術問題。
本發明實施例提供的一種陣列基板,包括:
本發明實施例提供的一種陣列基板,包括:
襯底,所述襯底上設置有多條掃描線與數據線;多條所述掃描線和數據線交叉限定多個像素結構;
屏蔽電極,位于所述像素結構的至少一側邊緣且與所述掃描線位于同一層;
存儲電容的下極板,所述存儲電容的下極板與所述掃描線位于同一層,且所述存儲電容的下極板至少復用部分所述屏蔽電極;
第一絕緣層,覆蓋所述存儲電容下極板所在的層;
存儲電容的上極板,設置在所述第一絕緣層上,并與所述數據線位于同一層;
所述存儲電容的上極板至少具有與所述存儲電容的下極板重疊的部分;
所述存儲電容的上極板與所述存儲電容的下極板重疊的部分將所述像素結構分割成至少兩個透光區。
本發明實施例提供一種顯示裝置,包括上述權利要求中所述的陣列基板,和與所述陣列基板相對設置的對向基板。
本發明實施例提供一種陣列基板的制作方法,包括:
提供一襯底;
在所述襯底上形成掃描線、屏蔽電極與存儲電容的下極板,所述存儲電容的下極板、屏蔽電極以及掃描線位于同一層,且所述存儲電容的下極板至少復用部分所述屏蔽電極;
形成第一絕緣層,覆蓋所述存儲電容的下極板所在的層;
在所述第一絕緣層上形成存儲電容的上極板以及數據線,所述存儲電容的上極板與所述數據線位于同一層;
所述掃描線與所述數據線交叉限定多個像素結構;
所述存儲電容的上極板至少具有與所述存儲電容的下極板重疊的部分;所述存儲電容的上極板與所述存儲電容的下極板重疊的部分將所述像素結構分割成至少兩個透光區。
本發明實施例提供一種陣列基板,該陣列基板的襯底上有多個像素結構;屏蔽電極、存儲電容的下極板與掃描線位于同一層存儲電容的下極板復用部分屏蔽電極;第一絕緣層覆蓋存儲電容下極板所在的層;存儲電容的上極板設置在所述第一絕緣層上,并與數據線位于同一層,存儲電容的上極板至少具有與所述存儲電容的下極板重疊的部分,該重疊的部分將像素結構分割成至少兩個透光區。本發明實施例通過對將存儲電容的形狀進行改變,將透光區分割成至少兩個透光區,分散了不透光區,從而有效避免了由于大面積的不透光區而導致的格子感問題。
附圖說明
圖1為現有技術中像素結構示意圖;
圖2為現有技術中顯示區的顯示狀態示意圖;
圖3為本發明實施例提供的陣列基板上的一個像素結構示意圖;
圖4為圖3中沿AA’截面的剖視結構示意圖;
圖5為本發明實施例提供的陣列基板顯示區的顯示狀態示意圖;
圖6為本發明實施例提供的一種顯示裝置示意圖;
圖7為本發明實施例提供的一種陣列基板的制作方法的流程示意圖;
圖8為本發明實施例提供的陣列基板的制作方法具體流程圖;
圖9為本發明實施例第一圖案化金屬層示意圖;
圖10為本發明實施例形成第二圖案化金屬層的像素結構示意圖;
圖11為本發明實施例第二圖案化金屬層示意圖。
具體實施方式
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