[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置

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• 申請日: 2015-08-04
• 公開（公告）號: CN104503164A
• 公開（公告）日: 2015-07-29
• 發(fā)明（設計）人: 張新彥;席克瑞;汪梅林
• 申請（專利權）人: 上海天馬微電子有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1333
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 劉松

1.一種陣列基板，包括：

襯底，所述襯底上設置有多條掃描線與數據線；多條所述掃描線和數據線交叉限定多個像素結構；

屏蔽電極，位于所述像素結構的至少一側邊緣且與所述掃描線位于同一層；

存儲電容的下極板，所述存儲電容的下極板與所述掃描線位于同一層，且所述存儲電容的下極板至少復用部分所述屏蔽電極；

第一絕緣層，覆蓋所述存儲電容下極板所在的層；

存儲電容的上極板，設置在所述第一絕緣層上，并與所述數據線位于同一層；

所述存儲電容的上極板至少具有與所述存儲電容的下極板重疊的部分；

所述存儲電容的上極板與所述存儲電容的下極板重疊的部分將所述像素結構分割成至少兩個透光區(qū)。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述存儲電容的上極板與所述存儲電容的下極板重疊的部分將所述像素結構分割成兩個透光區(qū)。

3.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述兩個透光區(qū)的面積相等。

4.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述存儲電容的上極板與所述存儲電容的下極板重疊的部分為“工”字形圖案；所述“工”字形圖案與所述數據線同向設置。

5.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括：

第二絕緣層，覆蓋所述存儲電容的上極板；

像素電極，覆蓋所述第二絕緣層；所述像素電極與所述存儲電容的上極板電性連接。

6.如權利要求1-5中任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述像素結構還包括至少一個與所述掃描線相連的柵極，以及與所述數據線位于同一層的源極和漏極，所述存儲電容上極板與所述漏極電連接。

7.如權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極的數目為二個，所述第一絕緣層上與所述兩個柵極對應設置有兩個相互分離的半導體層。

8.一種顯示裝置，其特征在于，包括上述權利要求1-7中任一項所述的陣列基板，和與所述陣列基板相對設置的對向基板。

9.如權利要求8所述的顯示裝置，其特征在于，還包括設置于所述陣列基板背離所述對向基板一側的反射片。

10.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一襯底；

在所述襯底上形成掃描線、屏蔽電極與存儲電容的下極板，所述存儲電容的下極板、屏蔽電極以及掃描線位于同一層，且所述存儲電容的下極板至少復用部分所述屏蔽電極；

形成第一絕緣層，覆蓋所述存儲電容的下極板所在的層；

在所述第一絕緣層上形成存儲電容的上極板以及數據線，所述存儲電容的上極板與所述數據線位于同一層；

所述掃描線與所述數據線交叉限定多個像素結構；

所述存儲電容的上極板至少具有與所述存儲電容的下極板重疊的部分；所述存儲電容的上極板與所述存儲電容的下極板重疊的部分將所述像素結構分割成至少兩個透光區(qū)。