[發(fā)明專(zhuān)利]一種非易失存儲(chǔ)器的糾錯(cuò)方法和裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410835827.4 | 申請(qǐng)日: | 2014-12-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105788647B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-02-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉會(huì)娟 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G11C29/42 | 分類(lèi)號(hào): | G11C29/42 |
| 代理公司: | 北京潤(rùn)澤恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319 | 代理人: | 劉祥景 |
| 地址: | 100083 北京市海淀*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 非易失 存儲(chǔ)器 糾錯(cuò) 方法 裝置 | ||
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種非易失存儲(chǔ)器的糾錯(cuò)方法和裝置,其中,所述非易失存儲(chǔ)器的糾錯(cuò)方法,具體包括:周期性地對(duì)非易失存儲(chǔ)器樣本中頁(yè)執(zhí)行讀、寫(xiě)和擦除操作;依據(jù)所述非易失存儲(chǔ)器樣本中頁(yè)在所述讀、寫(xiě)和擦除操作過(guò)程中錯(cuò)誤數(shù)據(jù)出現(xiàn)的數(shù)目和位置,統(tǒng)計(jì)非易失存儲(chǔ)器中頁(yè)的錯(cuò)誤數(shù)據(jù)分布規(guī)律;依據(jù)所述頁(yè)的錯(cuò)誤數(shù)據(jù)分布規(guī)律對(duì)頁(yè)進(jìn)行區(qū)域劃分,針對(duì)不同區(qū)域確定對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼;利用各區(qū)域?qū)?yīng)的糾錯(cuò)碼,進(jìn)行各區(qū)域的糾錯(cuò)處理。本發(fā)明實(shí)施例能夠防止資源冗余或浪費(fèi),從而可以提高非易失存儲(chǔ)器的糾錯(cuò)效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種非易失存儲(chǔ)器的糾錯(cuò)方法和裝置。
背景技術(shù)
隨著非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)存儲(chǔ)器技術(shù)的不斷發(fā)展,非易失存儲(chǔ)器中的Nand Flash的工藝尺寸也在進(jìn)一步縮小,一個(gè)存儲(chǔ)單元(cell)中流動(dòng)的電子個(gè)數(shù)越來(lái)越少,但是一個(gè)cell所存儲(chǔ)的比特(bit)數(shù)卻越來(lái)越多,從1bit/cell,到2bit/cell,再到3bit/cell,甚至到4bit/cell,使得一頁(yè)中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)量也在增大。
參照?qǐng)D1,示出了現(xiàn)有的Nand Flash基于頁(yè)的結(jié)構(gòu)示意圖,Nand Flash以頁(yè)為單位讀寫(xiě)數(shù)據(jù),而以塊為單位擦除數(shù)據(jù),頁(yè)是讀寫(xiě)操作的最小單位。隨著工藝尺寸的縮小,NandFlash存在的干擾問(wèn)題越來(lái)越嚴(yán)重。使得存取數(shù)據(jù)過(guò)程中產(chǎn)生的錯(cuò)誤也越來(lái)越多,甚至在初始讀取數(shù)據(jù)時(shí)就會(huì)發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)出錯(cuò),尤其隨著其壽命的增加,數(shù)據(jù)出錯(cuò)的概率也在增大。
為保證數(shù)據(jù)的可靠性,現(xiàn)有方案可以采用ECC(Error Correction Code,差錯(cuò)控制編碼)糾錯(cuò)技術(shù)發(fā)現(xiàn)并糾正Nand Flash中的錯(cuò)誤數(shù)據(jù)。為了保證糾錯(cuò)能力,現(xiàn)有方案通常采用足夠大的ECC碼來(lái)進(jìn)行Nand Flash中各頁(yè)(page)的糾錯(cuò)處理,然而,足夠大的ECC碼容易造成資源的冗余或浪費(fèi),且會(huì)花費(fèi)更長(zhǎng)的糾錯(cuò)時(shí)間。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種非易失存儲(chǔ)器的糾錯(cuò)方法和裝置,能夠防止資源冗余或浪費(fèi),從而可以提高非易失存儲(chǔ)器的糾錯(cuò)效率。
為了解決上述問(wèn)題,本發(fā)明公開(kāi)了一種非易失存儲(chǔ)器的糾錯(cuò)方法,包括:
周期性地對(duì)非易失存儲(chǔ)器樣本中頁(yè)執(zhí)行讀、寫(xiě)和擦除操作;
依據(jù)所述非易失存儲(chǔ)器樣本中頁(yè)在所述讀、寫(xiě)和擦除操作過(guò)程中錯(cuò)誤數(shù)據(jù)出現(xiàn)的數(shù)目和位置,統(tǒng)計(jì)非易失存儲(chǔ)器中頁(yè)的錯(cuò)誤數(shù)據(jù)分布規(guī)律;
依據(jù)所述頁(yè)的錯(cuò)誤數(shù)據(jù)分布規(guī)律對(duì)頁(yè)進(jìn)行區(qū)域劃分,針對(duì)不同區(qū)域確定對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼;
利用各區(qū)域?qū)?yīng)的糾錯(cuò)碼,進(jìn)行各區(qū)域的糾錯(cuò)處理。
優(yōu)選地,所述依據(jù)所述非易失存儲(chǔ)器樣本中頁(yè)在所述讀、寫(xiě)和擦除操作過(guò)程中錯(cuò)誤數(shù)據(jù)出現(xiàn)的數(shù)目和位置,統(tǒng)計(jì)非易失存儲(chǔ)器中頁(yè)的錯(cuò)誤數(shù)據(jù)分布規(guī)律,包括:
記錄所述非易失存儲(chǔ)器樣本中頁(yè)在所述讀、寫(xiě)和擦除操作過(guò)程中錯(cuò)誤數(shù)據(jù)出現(xiàn)的數(shù)目和位置,將記錄結(jié)果繪制成錯(cuò)誤數(shù)據(jù)分布圖形;
依據(jù)所述錯(cuò)誤數(shù)據(jù)分布圖形統(tǒng)計(jì)非易失存儲(chǔ)器中頁(yè)的錯(cuò)誤數(shù)據(jù)分布規(guī)律。
優(yōu)選地,所述周期性地對(duì)非易失存儲(chǔ)器樣本中頁(yè)執(zhí)行讀、寫(xiě)和擦除操作,包括:
周期性地對(duì)非易失存儲(chǔ)器樣本中頁(yè)執(zhí)行讀、寫(xiě)和擦除操作,直至所述非易失存儲(chǔ)器樣本中的所有非易失存儲(chǔ)器耗盡壽命。
優(yōu)選地,所述依據(jù)所述頁(yè)的錯(cuò)誤數(shù)據(jù)分布規(guī)律對(duì)頁(yè)進(jìn)行區(qū)域劃分,針對(duì)不同區(qū)域確定對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼,包括:
依據(jù)所述頁(yè)的錯(cuò)誤數(shù)據(jù)分布規(guī)律將所述頁(yè)劃分為對(duì)應(yīng)的區(qū)域;
依據(jù)各區(qū)域中對(duì)應(yīng)的錯(cuò)誤數(shù)據(jù)量確定各區(qū)域?qū)?yīng)的糾錯(cuò)碼。
優(yōu)選地,所述非易失存儲(chǔ)器包括Nand Flash存儲(chǔ)器。
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G11C29-02 .損壞的備用電路的檢測(cè)或定位,例如,損壞的刷新計(jì)數(shù)器
G11C29-04 .損壞存儲(chǔ)元件的檢測(cè)或定位
G11C29-52 .存儲(chǔ)器內(nèi)量保護(hù);存儲(chǔ)器內(nèi)量中的錯(cuò)誤檢測(cè)
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G11C29-56 .用于靜態(tài)存儲(chǔ)器的外部測(cè)試裝置,例如,自動(dòng)測(cè)試設(shè)備
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