[發(fā)明專利]一種吸氚靶片制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410835094.4 | 申請日： | 2014-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN104602438A | 公開（公告）日： | 2015-05-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊洪廣;宋應(yīng)民;何長水 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國原子能科學(xué)研究院 |
| 主分類號： | H05H6/00 | 分類號： | H05H6/00 |
| 代理公司： | 無 | 代理人： | 無 |
| 地址： | 102413 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 吸氚靶片 制備 方法 | ||
1.一種吸氚靶片制備方法，包括以下步驟：
(1)選用鉬圓片作為氚靶襯底材料；
(2)去除鉬圓片表面油污；
(3)將鉬圓片上表面鍍制鈦膜并通過高溫真空熱處理，使鈦膜轉(zhuǎn)變?yōu)門i-Mo合金膜，所述Ti-Mo合金膜稱為靶膜，鍍制鈦膜的鉬圓片稱為靶片；
(4)所述靶片吸氚后形成吸氚靶片，所述吸氚靶片高溫高真空除氣與靶膜吸氘/放氘活化處理；
(5)靶膜飽和吸氚。
2.如權(quán)利要求1所述的一種吸氚靶片制備方法，其特征是：在步驟(1)中，所述鉬圓片厚度為0.5-1mm。
3.如權(quán)利要求1所述的一種吸氚靶片制備方法，其特征是：在步驟(2)中，將所述鉬圓片放入丙酮溶液中進(jìn)行超聲清洗，超聲清洗的時間不少于30分鐘，去除表面油污。
4.如權(quán)利要求1所述的一種吸氚靶片制備方法，其特征是：在步驟(3)中，采用高真空磁控濺射鍍膜工藝鍍制鈦膜，在鍍膜過程中，通過控制靶襯底溫度，使鈦膜轉(zhuǎn)變?yōu)門i-Mo合金膜，并使鉬圓片與靶膜之間形成Ti-Mo合金擴(kuò)散層。
5.如權(quán)利要求4所述的一種吸氚靶片制備方法，其特征是：所述Ti-Mo合金擴(kuò)散層厚度為1-1.5μm。
6.如權(quán)利要求4所述的一種吸氚靶片制備方法，其特征是：所述Ti-Mo合金膜厚度為2-3μm。
7.如權(quán)利要求6所述的一種吸氚靶片制備方法，其特征是：所述Ti-Mo合金膜中鉬的含量在10-12at.％之間均勻分布。
8.如權(quán)利要求1所述的一種吸氚靶片制備方法，其特征是：在步驟(4)中，吸氚靶片除氣溫度應(yīng)不低于500℃，除氣真空度應(yīng)高于5×10-4Pa。
9.如權(quán)利要求1所述的一種吸氚靶片制備方法，其特征是：在步驟(4)中，吸氚靶片除氣完畢后，應(yīng)進(jìn)行吸氘/放氘循環(huán)2-3次，去除表面氧化膜。
10.如權(quán)利要求1所述的一種吸氚靶片制備方法，其特征是：在步驟(5)中，靶膜吸氚溫度為350-400℃，吸氚壓力不大于300Pa。
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