[發明專利]一種SiC/石墨烯核殼結構納米材料的制備方法有效
| 申請號： | 201410834823.4 | 申請日： | 2014-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN104495850A | 公開（公告）日： | 2015-04-08 |
| 發明（設計）人： | 黃小蕭;閆旭;溫廣武;張曉東;夏龍;費連東 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工業大學;威海云山科技有限公司 |
| 主分類號： | C01B31/36 | 分類號： | C01B31/36;C01B31/04;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 無 | 代理人： | 無 |
| 地址： | 150001黑龍江*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 sic 石墨 烯核殼 結構 納米 材料 制備 方法 | ||
1.一種SiC/石墨烯核殼結構納米材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
A1、將SiC置于加熱爐中加熱至400～650℃進行除碳處理，然后將加熱后的SiC浸泡到HF溶液中20～26小時，得到預處理后的SiC；
A2、使用去離子水反復沖洗預處理后的SiC，過濾后放入干燥箱干燥，得到所需的SiC；
A3、稱量金屬粉或其化合物，所述金屬粉為Ag、Ni、Zn之一或其組合；
A4、在石墨紙上扎孔，得到扎孔后的石墨紙，依次在石墨坩堝的底部鋪放金屬粉或其化合物、扎孔后的石墨紙、SiC和石墨紙，蓋上坩堝蓋，然后將石墨坩堝放入到氣氛壓力燒結爐中，在1200℃～1500℃的溫度下保溫1～4小時，得到SiC/石墨烯核殼結構納米材料。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述除碳處理時間為4個小時。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟A3中所述化合物為氯化物。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述HF溶液的濃度為5vol％～10vol％。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟A2過濾后放入干燥箱中，60℃，干燥48小時。
6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟A2中得到的SiC呈中性，不含雜質。
7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟A4中，在SiC和金屬粉或其化合物的總體積中，金屬粉或其化合物占的總體積分數為40％。
8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟A4中，將石墨坩堝放入到氣氛壓力燒結爐中，在1200℃～1500℃的溫度下保溫1～4小時，壓力在0.3～0.5MPa。
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