[發明專利]一種形成有天線槽的電子產品金屬殼體及其制備方法有效
| 申請號: | 201410834560.7 | 申請日: | 2014-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN105530785B | 公開(公告)日: | 2016-11-23 |
| 發明(設計)人: | 蔣寶榮;廖重重;李愛華;陳梁 | 申請(專利權)人: | 比亞迪股份有限公司 |
| 主分類號: | H05K5/04 | 分類號: | H05K5/04;H01Q1/22 |
| 代理公司: | 北京潤平知識產權代理有限公司 11283 | 代理人: | 金迪;李婉婉 |
| 地址: | 518118 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 形成 天線 電子產品 金屬 殼體 及其 制備 方法 | ||
1.一種形成有天線槽的電子產品金屬殼體,其特征在于,所述電子產品金屬殼體包括金屬層和硬質陽極氧化層,所述硬質陽極氧化層包裹在所述金屬層的表面,在厚度方向上天線槽貫穿所述電子產品金屬殼體的背面硬質陽極氧化層和金屬層,并使得正面硬質陽極氧化層的內側暴露,且所述天線槽中填充有非導電材料。
2.根據權利要求1所述的電子產品金屬殼體,其中,以所述電子產品金屬殼體的背面所對應的天線槽的開口為上部開口,所述天線槽的剖面結構為上部開口大下部開口小的梯形結構,且上部開口的寬度為3-15mm,下部開口的寬度為1-3mm。
3.根據權利要求2所述的電子產品金屬殼體,其中,上部開口的寬度為3-6mm。
4.根據權利要求2所述的電子產品金屬殼體,其中,下部開口的寬度為1-1.6mm。
5.根據權利要求1所述的電子產品金屬殼體,其中,所述金屬層的厚度為0.5-1.5mm;所述硬質陽極氧化層的厚度為0.02-0.06mm。
6.根據權利要求1所述的電子產品金屬殼體,其中,所述金屬層為鋁合金層。
7.根據權利要求1所述的電子產品金屬殼體,其中,所述電子產品金屬殼體為手機金屬外殼或平板電腦金屬外殼。
8.一種形成有天線槽的電子產品金屬殼體的制備方法,其特征在于,所述方法包括以下步驟:
(1)將金屬層依次進行硬質陽極氧化處理和油墨噴涂處理,以分別形成硬質陽極氧化層和油墨層;
(2)在經步驟(1)處理所得產品的背面形成天線槽,使得在厚度方向上所述天線槽貫穿所述產品的背面油墨層、背面硬質陽極氧化層和金屬層,并使得正面硬質陽極氧化層的內側暴露;
(3)去除油墨層,并在天線槽中填充非導電材料。
9.根據權利要求8所述的方法,其中,步驟(2)中,形成天線槽的過程包括:在經步驟(1)處理所得產品的背面形成天線槽狹縫,使得至少去除背面油墨層和背面硬質陽極氧化層,然后去除狹縫對應部位的金屬層至露出正面硬質陽極氧化層的內側。
10.根據權利要求9所述的方法,其中,步驟(2)中,在經步驟(1)處理所得產品的背面通過鐳雕形成天線槽狹縫,使得去除背面油墨層、背面硬質陽極氧化層和部分金屬層,去除的部分金屬層的厚度為金屬層總厚度的0-40%。
11.根據權利要求10所述的方法,其中,去除的部分金屬層的厚度為金屬層總厚度的20-30%。
12.根據權利要求9所述的方法,其中,步驟(2)中,所述形成的天線槽狹縫的寬度為0.05-0.1mm。
13.根據權利要求9所述的方法,其中,步驟(2)中,通過蝕刻去除 狹縫對應部位的金屬層,所述蝕刻的條件包括:溫度為20-30℃,時間為30-40min,蝕刻液為含有三氯化鐵和鹽酸的水溶液,以1L蝕刻液計,三氯化鐵的含量為800-1000g,鹽酸的含量為35-75g。
14.根據權利要求8-13中任意一項所述的方法,其中,步驟(1)中,所述硬質陽極氧化處理的方法包括依次對金屬層進行堿蝕處理、出光處理、氧化處理和封孔處理,并在每種處理后分別進行水洗。
15.根據權利要求14所述的方法,其中,所述堿蝕處理的條件包括:溫度為50-70℃,時間為1-2min,堿蝕液的濃度為30-60g/L,堿蝕液為氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液和氫氧化鋰溶液中的一種或多種。
16.根據權利要求14所述的方法,其中,所述出光處理的條件包括:溫度為20-30℃,時間為1-3min,出光液為硝酸水溶液,且以1L出光液計,硝酸的含量為130-270g。
17.根據權利要求14所述的方法,其中,所述氧化處理的條件包括:溫度為5-12℃,時間為30-50min,脈沖波型為正向方波脈沖,占空比為50-90%,頻率為500-1000Hz,電流密度為2-7A/dm2,氧化液為含有硫酸、草酸/蘋果酸的水溶液,以1L氧化液計,硫酸的含量為120-220g,草酸或蘋果酸的含量為8-20g。
18.根據權利要求14所述的方法,其中,所述封孔處理的條件包括:溫度為20-30℃,時間為2-3min。
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